恩智浦联合台积电推出首款车用16纳米芯片FinFET嵌入式MRAM

发布时间：2023-06-05 14:55
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：2115

　　恩智浦半导体宣布与台积体电路制造股份有限公司(TSMC)合作，推出业界首款采用16纳米(nm)鳍式场效电晶体(FinFET)技术的车用嵌入式磁阻式随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory;MRAM)。随着汽车制造商朝向软件定义汽车(software-defined vehicle;SDV)转型，车厂需要在单一硬件平台上支持多世代软件更新。结合恩智浦的高性能S32车用处理器与采用16纳米FinFET技术的快速且高度可靠下一代非易失性存储器(non-volatile memory)，就能提供支持这类转变的理想硬件平台。

恩智浦联合台积电推出首款车用16纳米芯片FinFET嵌入式MRAM

　　恩智浦与台积电共同开发采用16纳米鳍式场效电晶体(FinFET)技术的嵌入式磁阻式随机存取存储器硅智财(，汽车制造商可运用MRAM更有效率地推出全新功能，加速空中下载更新，以及消除生产瓶颈。恩智浦下一代S32区域处理器(zonal processor)和通用车用微控制器(general purpose automotive MCU)预计于2025年初成为首批提供样品的产品。

　　MRAM只要约3秒就能更新20MB的程序码，相较于快闪存储器需约1分钟，能最大限度缩短软件更新导致的停机时间，并让汽车制造商消除因长时间模组编程而造成的瓶颈。此外，MRAM还能提供高达百万次的更新周期，较快闪存储器和其他新型存储器技术高出10倍，为车辆任务剖面(mission profile)提供高度可靠的技术。

　　软件定义汽车让汽车制造商能够通过空中下载(over-the-air;空中下载)更新推出全新的舒适、安全以及便利功能，延长车辆使用寿命并提升其功能性、吸引度、与获利能力。随着基于软件的功能在车辆中越趋普及，更新频率将会持续增加，MRAM的速度和稳健度变得极为重要。台积公司的16 FinFET嵌入式MRAM技术凭借其百万周期耐用度、支持焊锡回焊(solder reflow)、以及摄氏150度下还能保留数据达20年，超越车载应用严格要求。

　　台积电业务开发资深副总经理张晓强博士表示：恩智浦内部的创新者总是能迅速认识到台积公司新制程技术的潜力，尤其是在要求严格的车载应用方面。我们很高兴看到台积公司领先的MRAM技术被运用于恩智浦 S32平台，帮助实现下一代软件定义汽车。

　　恩智浦半导体执行副总裁暨车用处理事业部总经理Henri Ardevol表示：恩智浦与台积电已成功合作达数十年，向来持续为汽车市场提供高品质的嵌入式存储器技术。MRAM是恩智浦S32车用解决方案系列的突破性新生力军，支持下一代车辆架构。

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