ROHM Semiconductor RS6/RH6铜夹型封装N沟道功率MOSFET能够在更低的封装电阻下实现大电流处理能力。HSOP-8和HSMT-8封装组件同时提供低导通电阻和栅极电荷电容,最大限度地减少能量损失。这些MOSFET在-55°C至+150°C的温度范围内工作,非常适合24V/36V/48V电源的工作驱动应用。
特性
》采用铜夹型封装,能在更低的封装电阻下实现高电流处理能力
》同时具有低导通电阻和栅极电荷电容(平衡关系),最大限度地减少能量损失
》提供紧凑型3333和5060封装尺寸(HSOP-8和HSMT-8外壳样式)
》40V/60V/80V/100V/150V击穿电压(24V/36V/48V输入,考虑尖峰和噪声容限)
》非常适用于采用24V/36V/48V电源的驱动应用
应用
》电源
》服务器
》基站
》电机驱动设备
》工业
》消费电子
规范
》漏极-源极击穿范围:40V至150V
》连续漏极电流范围:25A至210A
》漏源电阻范围:1.34mΩ至73mΩ
》栅源范围:±20V
》栅源阈值范围:2.5V或4V
》栅极电荷范围:16.7nC至67nC
》工作温度范围:-55°C至+150°C
》功耗范围:59W至104W
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