EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路,用两个栅极驱动IC 1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。
该板预装了两个CoolSiC™ SiC MOSFET IMZA120R020M1H,一个额外的栅极驱动IC用于隔离从上桥臂到逻辑控制侧的过流反馈信号,采用快速运算放大器做过流检测的比较器,评估板最适合于双脉冲测试。
产品型号:
●Eval-1ED3142MU12F-SiC
所用器件:
●1ED3142MU12F 6.5A,
●2300V单通道隔离式栅极驱动器
●IMZA120R020M1H
●20mΩ 1200V SiC MOSFET
产品特点
EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx系列(X3紧凑型系列)。
用于650V/1200V/1700V/2300V
/IGBT,Si和SiC MOSFET驱动
2300V的功能偏移电压可用于相应的应用
电隔离的无磁芯变压器栅极驱动器
6.5A源和灌峰值输出电流典型值
35V绝对最大输出电源电压
45ns的传输延迟,20ns的输入滤波器
应用价值
集成滤波器减少了对外部滤波器的需求
严格的IC到IC传输延迟匹配(最7ns),提高了应用的稳健性,不会因老化、电流和温度而产生变化
适合在高环境温度和快速开关应用中运行
UL 1577(计划)VISO=3.6kV(rms)1秒,3.0kV(rms)1分钟
应用领域
电动汽车充电
电机控制和驱动
服务器电源
光伏系统的解决方案
不间断电源(UPS)
产品框图
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型号 | 品牌 | 询价 |
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TL431ACLPR | Texas Instruments | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
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CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
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BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
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