雷卯推出SOD123HE封装二极管，帮工程师解决发热问题

Release time：2023-07-05
author：Ameya360
source：网络
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　　雷卯推出SOD123HE封装二极管，帮工程师解决发热问题

雷卯推出SOD123HE封装二极管，帮工程师解决发热问题

　　为何肖特基二极管会发热?

　　肖特基二极管在工作时发热量不可小视，发热量大小与实际工作电流大小有关，与肖特基二极管实际压降大小有关。这是可以通过测量和计算得到，很方便。

　　方法是：测得二极管两端实际压降假如为0.5V，流过二极管实际电流假如为30A;

　　那么肖特基二极管本身消耗功率P=U*I=0.5 *30A=15W，每小时做功W=P*T=15*1=15WH=0.015KWH;

　　肖特基如何降低发热量?

　　有以下方法可以解决

　　一、选择更好芯片的肖特基

　　同等电流情况下，一是可以选择更低压降的肖特基，可以保证VF稍微低0.2-0.3V，可以保证功耗情况下，比如选择雷卯的SS34LVFA 压降为0.3V。

　　二、选择带散热焊盘的肖特基

　　国内大部分工厂目前都用的两端引脚大小相同的封装，比如SMA SOD123等，现在有SOD123HE封装，可以解决一些散热问题，帮客户在不改变封装焊盘大小情况下，设计更好的产品。以下是2种封装的对比图

　　同样大小的体积，SOD123-HE SOD123EP的产品热阻明显比普通封装小，散热能力大大增加。

　　产品列表

　　目前推出的SOD123HE系列的产品有FR系列快恢复二极管，US系列高效二极管，1A 2A 3A的肖特基产品。

　　可以替代国外品牌的型号

雷卯推出SOD123HE封装二极管，帮工程师解决发热问题

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上海雷卯电子：AZ5515-02F 和AOZ8S322UD2-03国产替代型号ULC0502P3H参数对比
行业新闻

上海雷卯电子：AZ5515-02F 和AOZ8S322UD2-03国产替代型号ULC0502P3H参数对比

　　上海雷卯ESD二极管ULC0502P3H完全替代Amazing 晶焱型号AZ5515-02F和 AOS万代 AOZ8S322UD2-03。已经有很多客户选用ULC0502P3H作为替代，客户可以获得更好的价格和更快的交期。　　ULC0502P3H 性能特点：　　封装：DFN1006-3 (1mmx0.6mm)　　l 性能：单向 低容0.65PF　　性能：单向 低容0.65PF　　抗静电能力：空气/接触均是±30KV　　应用：USB接口，HDMI1.3 1.4 5V数据接口及模拟接口 手持设备信号保护　　替代料对比列表：　　通过以上参数对比可以了知 ：ULC0502P3H 抗静电 30KV，IPP为13A, Cj为0.65PF这些参数都较优，因此完全可以替代另外两款。AOZ8S322UD2-03的VRWM 虽然是3.3V ，但它的VBR是6V。所以5V的 ULC0502P3H完全可以替代。　　ULC0502P3H参数表　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
2025-01-03 14:07 reading：301
上海雷卯电子：功率MOSFET选型的几点经验
行业新闻

上海雷卯电子：功率MOSFET选型的几点经验

　　在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。　　由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。不正之处，希望大家不吝指正。　　功率MOSFET的分类及优缺点　　和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势(请查阅资料，不详述)，但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。(可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈)　　MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等;缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。　　言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型　　一、我的应用该选择哪种类型的MOSFET?　　前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢?如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然!　　负载(Load)的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时，采用P沟道MOSFET;当负载连接电源电压时，选择N沟道MOSFET。　　二、确定额定电压与额定电流　　选好MOSFET的类型后，接下来要做的是确定在你的设计中，漏极和源级间可能承受的最大电压，即最大VDS 。MOSFET能承受的最大电压会随温度变化，这是我们工程师在设计时必须考虑到的，必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。　　接下来，说点实际的：　　MOSFET在关断瞬间，会承受到最大的电压冲击，这个最大电压跟负载有很大关系：如果是阻性负载，那就是来自VCC端的电压，但还需要考虑电源本身的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载，那承受的电压会大不少，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律)，其方向与VCC方向相同(楞次定律)，承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
2025-01-03 13:56 reading：310
上海雷卯电子：TOSHIBA的SSM3K37FS国产替代型号LM1012T参数对比
行业新闻

上海雷卯电子：TOSHIBA的SSM3K37FS国产替代型号LM1012T参数对比

　　上海雷卯NMOS型号LM1012T完全替代TOSHIBA型号SSM3K37FS，LM1012T是一颗带ESD功能的NMOS，封装SOT-523 .已经有很多客户选用 LM1012T替代SSM3K37FS，客户可以获得更好的价格和更快的交期。特别是在一些受空间所限的小电子设备很受青睐，因为封装仅仅是SOT-523。　　性能特点：　　栅极带ESD保护　　高速开关　　内阻低至0.4Ω　　低阈值：0.8V(典型值)　　开关速度10ns　　应用于：高速开关和模拟开关　　LM1012T性能参数如下：　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
2024-12-24 13:10 reading：387
雷卯电子：集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(二)集成电路ESD问题应对措施
行业新闻

雷卯电子：集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(二)集成电路ESD问题应对措施

　　ESD是指处于不同电位的两个物体之间，由于直接接触或静电场感应导致的电荷传输现象。在电子设备中，ESD 可能会对敏感的电子元件造成损害，因此提高ESD抗扰度对于保证电子设备的正常运行至关重要。预防措施能够将 ESD 抗扰度提高到约 15kV，这表明通过合理的设计和防护，可以有效降低 ESD 对电子模块的影响。　　ESD问题应对措施　　ESD测试只能在成品部件上进行，这是因为只有在整个部件完成开发和生产后，才能准确地评估其在实际工作环境中的ESD抗扰度。这也意味着在产品开发过程中，需要提前规划和考虑ESD防护措施，以避免在测试阶段出现问题而导致成本增加和时间延误.　　1、改进IC设计：IC 制造商可以通过改进 IC 的设计来提高其ESD抗扰度。例如，采用更先进的ESD保护技术、优化电路布局和增加ESD保护器件等。这可以在一定程度上降低 ESD故障的发生概率，但需要在 IC 设计和制造过程中进行大量的研究和投入.　　2、优化机械结构设计：在机械结构设计中采取适当的EMC预防措施也可以减少ESD对集成电路的影响。当 ESD干扰源自散热器并直接作用于IC外壳时，改变机械设计是解决问题的有效方法。这可能包括重新设计散热器的结构、位置或材料，以减少其对 IC 的干扰。然而，这种方法需要更改机械结构部件和生产工具，成本较高。因此，在产品设计的早期阶段，了解 IC 的电磁兼容性特性，并采取相应的预防措施，可以避免在后期出现此类问题，从而降低成本和缩短开发周期.　　3、增加屏蔽：集成电路(IC)周围增加屏蔽罩、滤波电路等，以减少电磁干扰的耦合和传播。这需要在设计阶段就充分考虑 EMC 问题，并与电子设计人员进行密切合作。　　(图3) 用场源检测到的微控制器的易感区域　　比如，为了提高 ESD 免疫力，可以在 IC 上方设置屏蔽罩，以拦截散热片发出的电场，(如图3所示)，在进行静电放电(ESD)　　测试中，屏蔽罩还必须延伸到石英晶体上。从而将 ESD 免疫力提高到大约 15kV 左右。不过，需要注意的是，IC中的其他薄弱点可能会限制进一步提高免疫力，因为干扰仍可能通过线路网络耦合到 IC。因此在电子设备的设计中，需要综合考虑各种因素，不能仅仅依赖屏蔽层来解决电磁兼容性问题。　　4、加强测试和评估：为了确保IC的 EMC 性能，需要进行严格的测试和评估。这包括 ESD 测试、电磁兼容性测试等，以验证集成电路在各种电磁环境下的性能和可靠性。通过测试，可以及时发现问题并采取相应的改进措施，从而提高集成电路的质量和稳定性。
2024-12-20 09:44 reading：436
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