意法半导体量产氮化镓器件：SGT120R65AL和SGT65R65AL工业级650V常关G-HEMT™晶体管

发布时间：2023-08-03 09:48
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：1978

　　氮化镓(GaN)是一种新型宽带隙化合物，为功率转换解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。

意法半导体量产氮化镓器件：SGT120R65AL和SGT65R65AL工业级650V常关G-HEMT™晶体管

　　与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢?GaN在品质因数(FoM)、导通电阻 (RDS(on))和总栅电荷(QG)方面的表现更出色，提供高漏源电压能力、零反向恢复电荷(在共源共栅器件中可以忽略)和极低的本征电容。先进的GaN技术解决方案可以提高功率转换效率，在满足极其严格的能源要求的同时实现更高的功率密度，它的工作频率更高，器件外观更为紧凑。

　　意法半导体最近宣布，已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管，提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。

　　该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外，两款新GaN晶体管还能实现更高的能效、更低的工作温度和更长的使用寿命。

　　意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，而总栅极电荷和寄生电容更低，且无反向恢复电荷。这些特性提高了晶体管的能效和开关性能，可以用更小的无源器件实现更高的开关频率，提高功率密度。因此应用设备可以变得更小，性能更高。未来，GaN还有望实现新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效，并降低功耗。

　　意法半导体PowerGaN分立器件的产能充足，能够支持客户快速量产需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封装。

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