罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

Release time:2023-08-16
author:AMEYA360
source:网络
reading:3022

  检流电阻器的基础知识电路中的电流检测技术多种多样。其中最简单和最常见的方法之一是使用专用的检流电阻器。如下图所示,这种电阻器有两种用法。其一是图左侧的分流配置,其中大部分电流流经检流电阻器,而已知比例的电流流经电流表。该比例是已知电流表电阻和已知分流电阻的比例函数,因此可以计算出电路中的总电流。其二是图右侧的串联感测拓扑结构,其中所有电流都流经阻值较低的检流电阻器,再用高阻抗万用表测量其两端的电压。这样,电路中的总电流就可以运用欧姆定律轻松计算出来。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  很明显在这两种检流电阻拓扑中,电阻器会以热量的形式损耗部分功率。为了尽量减少功率损耗,应该尽量缩小检流电阻器的尺寸,不过这样会增加检测电路中的噪声。为实现令人满意的设计性能,必须谨慎权衡检测精度与功耗。

  在选择检流电阻器时,还必须根据高温条件下的二阶效应仔细衡量。器件本身的电阻值会随着温度的升高而增大,如果电阻器无法得到充分冷却,那么必须考虑到在检测过程中的这种非理想状态。同样,当检流电阻器发热升温,达到特定温度后,必须降低容许的总功率损耗。通过仔细选择电阻器结构、封装几何结构和PCB布局等,可减轻温升所带来的不良影响。

  检流电阻器的应用检流电阻器可用在从低电流穿戴式设备到大功率电动汽车等众多应用中。然而,无论在哪种应用中,都适用一些通用的原则。选择电阻器时必须考虑合适的阻抗和检测范围。此外,还要全面考虑电阻因发热而产生的功率损耗问题。下图展示了两种常见的应用,一种用于电流较大的多相电机驱动器,另一种用于低电流的电池监控器。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  在图2左侧的电机驱动电路中,检流电阻器用于监测经过低边晶体管流经电机绕组各相的电流。差分放大器用于检测感应电压并将其馈送至控制器IC中的模数转换器(ADC)。控制器IC使用该电压反馈来计算电机电流的大小和相位,进而控制晶体管驱动器的时序。

  在图2右侧的电池监控电路中,通过专用电池管理IC上的ADC来测量流入和流出锂电池组的电流。这通常用来控制电池的充电,让充电过程遵照特定电流曲线。此外,同一电阻器也可以用来检测电池释放的总电量,为上游用户界面提供剩余电量读数。

  大功率检流电阻器的分类检流电阻器有两种不同的制造方式。第一种是基于传统的厚膜电阻结构,如下图所示,即在陶瓷衬底上印刷电阻膏经过烧结后,用激光调阻使电阻达到目标阻值,再经过涂装和组装,最终制成表面贴装型电阻器。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  第二种方式是使用金属合金作为电阻结构,将其直接焊接到接触电极上。合金配方对于确定阻值及其热特性至关重要。这种电阻结构具有出色的功率和热性能表现,但其制造成本较高。下图给出了一个示例。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  除基本结构不同外,检流电阻器还具有多种封装形式,以满足不同的应用需求。传统的Top Mount封装形式成本最低,但额定功率也最低。Rear Mount封装形式可以使电阻元件与下层PCB之间直接接触散热,散热性能更出色。最后,长边电极型电阻则采用反向长宽比,这更大程度地扩大了引脚表面积。引脚可以提供良好的散热路径,因此在所有检流电阻器中这类产品的额定功率最高。

  ROHM的大功率检流电阻器产品阵容ROHM提供了丰富的产品阵容,可以满足各种应用对额定功率和电阻值等性能变量的不同需求。下图展示了ROHM的各系列分流电阻器及其性能范围。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  在金属板型分流电阻器领域,ROHM拥有PSR、GMR、PML和PMR系列产品。PSR系列主要是0.1mΩ~3mΩ范围的大电流、超低阻值电阻器。GMR系列支持5mΩ~220mΩ的更大阻值范围,并具有优异的温度特性。PM(PML和PMR)系列涵盖的阻值范围更宽,是适用于低功率应用的通用设计。

  在厚膜分流电阻器领域,ROHM推出了LTR/LHR和UCR系列产品。LTR/LHR系列电阻器是1W~4W的低功率产品,具有优异的温度特性。LTR/LHR系列进一步优化了温度特性,仍然专注于低功率应用领域。而UCR系列则是适用于0.5W以下应用的通用产品。

  ROHM开发并确立了一系列创新型结构和设计技术,打造出性能显著优于普通产品的出色产品群。例如GMR系列电阻器的热性能,通过采用ROHM自有的触点结构和特有的合金材料,实现了出色的温度系数。相较于普通产品,在3W功耗耗散功率条件下ROHM产品的表面温度降低了57%。这使得在设计阶段就可以采用更低的温度降额,从而可以节省空间并降低成本。

  不仅如此,ROHM还开发出特殊的封装技术,例如长边电极和背面贴装(face-down)技术。如下图所示,长边电极产品优化了散热路径,通过接触散热将热量释放到周围路径中,这样就可以获得更高的额定功率并改进温度降额曲线。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  结语检流电阻器是用来监控众多电子设备中的电流的常见电路元件。ROHM已经开发出多种材料、结构和封装技术,打造了丰富的检流电阻器产品阵容,支持从低功率的通用设计到大电流高精度配置的各种应用领域。用户可根据总功率、总阻值和温度系数,在厚膜拓扑和金属拓扑结构中进行选择。在这些系列产品中,ROHM通过优化长宽比和封装结构,致力于更大程度地降低总成本并减少电路板面积,同时更大程度地提高性能。

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罗姆适配 800VDC 20~33kW 级电源单元的全套产品解决方案
  承接前文,AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级,推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展,对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元,打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案,充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点,精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求,以下为核心方案详情。  适用800VDC 20~30kW级电源单元的解决方案简介  *SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计,核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标,为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件,充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。  高效率:各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)  高功率密度:现行 PSU 标准为 100W/in³,而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³  AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架),机架母线为 800V DC,经电源侧架、IT 机架功率转换后,输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘,具体解决方案如下表:  注:SIM 基于 PLECS® 仿真,仅计算功率元器件损耗,不含电抗器等外围元器件的损耗  电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压,助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)  第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%,支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行  负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大,可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件  罗姆的 SiC 开发路线图中,功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示,导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%,效率 SIM * 最多降低 33%。  仿真条件:Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz  IT 机架用的 DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  隔离型三相 LLC 拓扑解决方案  IT 机架电源用解决方案,确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题,需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计  将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器  采用三相隔离型 LLC 拓扑  一次侧:推荐使用第 4 代 SiC  推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ  最大额定电压 1200V,ID TBD,导通电阻 11mΩ  封装:TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK  背景:可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  效率 SIM * 达 99% 以上 (~125kHz)  二次侧:推荐使用以下 Si MOSFET  推荐产品 RSS7 系列:RS7N200CH  最大额定电压 80V,ID 295A,1.43mΩ,DFN5060-8S  RSJ2 系列:RJ2N17BCH  最大额定电压 80V,ID 450A,0.86mΩ,TOLL-pkg  背景:推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案,利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势,有效降低开关损耗。  针对高功率密度的 GaN 解决方案  搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC  功率密度:7.8W/cc (129W/in³),LLC 开关频率 100kHz,尺寸:40mm×91mm×700mm  通过将开关频率提升至 500kHz,实现变压器等外围元器件的小型化,通过级联结构分担一次侧和变压器的电流,可提高效率  功率密度:15W/cc (246W/in³),LLC 开关频率 500kHz,尺寸:40mm×55mm×605mm  行业标准功率封装产品部署  提供行业标准封装产品群,通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应,并提升表面散热和模块性能。  针对不同拓扑电路搭配对应封装模块:  Vienna 双向开关电路:DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs  PSU 隔离型三相 LLC 一次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs  HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块  PSU 隔离型三相 LLC 二次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs  罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中,其他封装请另行咨询),含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装,SiC 产品专用模块封装为 DOT-247,封装类型分为插装型与表贴型,具体适配如下:  同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。  以上为罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案,解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统,还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定,后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
2026-03-20 16:41 reading:243
AI 服务器扛不住了!电力瓶颈迫在眉睫,罗姆携 800VDC 方案破局
  当下AI的应用越来越广,从日常的智能问答到大企业的数据分析、算力运算,背后都离不开AI服务器的支撑。但随着算力需求一路飙升,AI服务器也遇到了一个核心难题——耗电量太大,传统供电架构根本跟不上。  在2025深圳媒体交流会上,全球知名半导体企业罗姆深度解读了AI服务器市场的最新变化,点出当前行业的电力痛点,还指明了+800V/±400VDC高压直流架构是解决这一问题的关键。今天我们就来聊聊,AI服务器的电力难题到底有多严重,行业又为何集体选择升级到800VDC架构。  AI服务器功耗翻几倍,电力成了算力“拦路虎”  别看AI用起来方便,背后的AI服务器可是十足的“电老虎”。和我们常见的通用服务器比起来,两者的耗电量完全不是一个量级。  根据罗姆的实际调研数据,一台通用服务器的功耗大概在600W,而一台AI服务器的功耗直接冲到了3000W,是通用服务器的5倍还多。现在各大数据中心都在批量部署AI服务器,这些“电老虎”同时运行,让数据中心的电力消耗呈几何级增长,而耗电量激增带来的连锁影响,也开始全面显现:  电力损耗增加:需要能够提供低电压、高输出功率的大电流。电缆内的电阻损耗导致能源浪费和发热量增加,这意味着大量电力在传输过程中被白白消耗,不仅不划算,还会进一步加剧发热问题;  物理限制:一方面需要承载大电流的粗重铜质电缆,占用大量数据中心空间;另一方面电缆和电源插座、线缆的重量与体积大幅增加,让数据中心的空间、重量承压能力达到极限,传统架构实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题,电源插座、线缆等也必须彻底改进;  散热设计压力:电力消耗和功率损耗会直接转化为热能,海量AI服务器运行产生的高热量,迫使数据中心必须构建高效的液体冷却系统,否则设备易因高温宕机,而液体冷却系统的部署和运维成本也随之攀升;  可扩展性的极限:以往的架构要实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题,电源插座、线缆等也需要改进,无法适配未来AI服务器算力持续提升的需求,扩容难度和成本大幅增加;  运营成本增加:数据中心运营成本中近六成是电费,耗电量增加和功率损耗导致的成本上升,直接让企业的长期运营压力翻倍,电力成本成为数据中心最主要的支出项之一。  电力供应不仅关系着数据中心的运营成本,更直接影响AI算力的释放——如果供电跟不上,再强的算力也无从发挥。如何让电力更高效地支撑AI运算,成了整个行业都要解决的问题。  GPU功耗一路猛涨,传统服务器机架摸到了“天花板”  AI服务器的高功耗,核心原因在它的“心脏”——GPU(图形处理器)。作为AI运算的核心部件,GPU的功耗正以肉眼可见的速度飙升,直接让传统的服务器机架扛不住了。  从英伟达的产品发展路线就能清晰看到这个趋势:GPU的热设计功率(简单说就是芯片的功耗上限),从之前H100的700W,涨到B200的1200W、B300的1400W,未来还会突破3600W。而且为了跟上AI算力的需求,英伟达还把GPU的升级周期从两年缩短到了一年,算力提升的同时,功耗压力也跟着翻倍。  功耗飙升带来的问题一连串:传统架构要给GPU供大电流,就得用粗重的铜电缆,不仅占空间、增加数据中心的重量,还让硬件成本大幅上升;电缆传输大电流时,会因为电阻产生损耗,既浪费电能,又会发热,让数据中心的散热难题雪上加霜。  说到底,传统的低电压供电方式,已经跟不上GPU的功耗增长了,服务器机架的空间、电力承载能力都到了极限,供电架构升级已经迫在眉睫。  行业达成共识!800VDC高压架构成最优解  面对这个绕不开的电力难题,全球科技企业都在找解决办法,而+800V/±400VDC高压直流架构,成了大家公认的最优解。  这个架构的推出,背后有两大重量级阵营推动:一边是微软、Meta、谷歌等企业联合发起的开放计算项目,提出了±400VDC的标准;另一边是英伟达主导的800VDC标准,两大阵营一起定下了下一代AI服务器的供电核心方向。  为什么800VDC能解决传统架构的痛点?核心就是它有五大优势,从效率、成本、扩展性等方面全方位优化,精准破解了耗电量激增带来的各类问题:  1.扩容更轻松,从100kW到1MW无缝衔接  基于800VDC架构,数据中心不用大规模改造原有电力设施,就能实现从100kW到1MW以上的机架功率部署,完美突破传统架构的可扩展性极限,不管是现在的AI服务器,还是未来更高算力的设备,都能适配,实现无缝扩容。  2.效率更高,端到端电力利用率提升5%  和目前主流的54V供电系统比,800VDC架构的端到端效率能提升5%。别看只是5%的提升,在海量AI服务器长期运行的情况下,能大幅降低电缆电阻带来的电力损耗,减少发热量,同时省下大量电能,大幅降低数据中心的能耗成本。  3.减少铜材使用,省钱又减损耗  800VDC架构能显著降低数据中心骨干网的电流,对应的电缆就能更细,直接减少了铜材的使用量,降低硬件成本;同时电流变小,电缆的电阻损耗也会减少,从根源上缓解能源浪费和发热问题,不用再依赖超粗的铜质电缆,也解决了数据中心的空间与重量问题。  4.更可靠,破解散热与维护的麻烦  传统的服务器机架电源,为了防止停机,往往要多装备用模块,不仅占空间,还得频繁维护、更换故障模块;800VDC架构可以把功率转换模块移到机架外,从根本上解决机架内的散热难题,无需构建复杂的液体冷却系统,同时降低了运营成本中电费的占比,在成本和长期可靠性之间找到最优平衡。  5.适配未来,能支撑超高功率机架  800VDC架构从设计之初,就瞄准了未来1MW超高功率机架的需求,为后续AI算力的持续提升预留了充足的空间,不用因为算力升级再反复改造供电架构,也能轻松应对未来更高功率密度的部署需求。  明日预告电源单位迎升级,半导体厂商迎来新挑战  AI服务器向800VDC架构升级,直接带动了核心部件电源单元(PSU)的高电压化变革,这也给半导体制造商带来了新的市场需求和技术挑战。  从目前的情况来看,主流的电源单元功率是5.5kW/个,一层机架能到33kW;升级后的产品已经涨到12kW/个,一层机架72kW;而随着800VDC架构落地,下一代电源单元会全面贴合新的行业规范,朝着更高功率、更高效率、更小体积的方向发展。  这对半导体器件的要求也变得更高:需要能扛住800VDC高压、适配大电流,同时还要耗电少、开关速度快、体积小。简单说,AI服务器的供电升级,本质上是半导体技术的比拼,谁能做出适配800VDC架构的核心器件,谁就能抓住行业机遇。  后文预告  800VDC高压架构的升级浪潮已经来了,半导体厂商该如何接招?罗姆作为功率半导体领域的老牌企业,早已提前布局,不仅推出了适配800VDC20~33kW级电源单元的全套解决方案,还和头部电源厂商深度合作,甚至推出了专属的热插拔控制器产品。  接下来,我们就来详细说说,罗姆到底拿出了哪些硬核技术,破解AI服务器的供电难题,成为行业升级的核心助力!
2026-03-20 16:39 reading:237
锚定全球赛道:罗姆的核心优势与中长期发展战略!
  作为一家创立于1958年的老牌半导体巨头,罗姆(ROHM)这几十年在行业里的存在感一直超强。不管是新能源汽车的“动力心脏”,还是AI服务器的算力底座,甚至是咱们日常用的消费电子,都能看到它的身影。  在国内市场,AMEYA360作为核心电子元器件分销平台,早已将罗姆列为重点代理品牌,让国内广大客户能更便捷、高效地获取罗姆的优质产品与专业技术支持。那么在竞争白热化的半导体行业,罗姆究竟凭什么长期稳坐第一梯队?  01 罗姆的核心优势  先看罗姆的优势,其实可以分成 “前端服务能力” 和 “后端坚实后盾” 两部分,每一点都戳中了行业的核心需求。  前端服务能力:  以客户为导向的服务能力是其核心特色,既能深入挖掘客户需求、提供高价值定制化解决方案,也凭借快速响应速度适配市场变化;同时,尖端技术实力为其赋能,既拥有助力解决社会难题的开发能力,也通过持续创新积累了成熟的制造实力。  后端坚实后盾:  IDM垂直整合模式:从设计、晶圆制造到封装测试全链条自己掌控,不用看别人脸色。既能严格把控产品品质,保证供货稳定不缺货,又能快速推进技术创新,比如 SiC 器件从衬底优化到量产,全程自己把控效率拉满。  整合技术实力:靠专业复合型人才团队,跨领域协同破解客户痛点。不是单纯卖元器件,而是给“一站式方案”,比如把功率器件和模拟IC结合,帮客户降低系统设计难度。  功率电子+模拟技术壁垒:六十多年的技术积累,形成了独有的技术体系和知识库。在SiC、GaN这些宽禁带半导体领域,技术优势特别突出,这是别人短期内很难追上的。  02 罗姆的发展战略  基于深厚的核心优势,罗姆确立了“核心突破+多元拓展”的中长期发展战略,以功率电子与模拟技术为底层根基,锚定全球功率与模拟半导体领域的领先目标稳步推进。战略核心层面,罗姆将汽车领域视为核心增长引擎,重点布局xEV 用隔离型栅极驱动器、第5/6代SiC MOSFET及SiC功率模块等产品,精准契合新能源汽车电动化、智能化发展趋势,持续强化在车载半导体领域的市场竞争力。  同时,罗姆同步强化工业设备、消费电子及服务器等业务板块,构建均衡发展的产品组合:在工业领域,聚焦FA/机器人用电机驱动器、激光二极管等产品,适配工业自动化与智能制造需求;在消费电子与服务器领域,推出适配高功率场景的Si/SiC MOSFET、家电用IPM等产品,覆盖高端算力与日常消费电子场景,有效分散单一市场波动风险。  此外,罗姆将感测领域的光学元器件业务列为下一代核心业务支柱,重点发力LiDAR用激光二极管、半导体继电器用VCSEL等产品,深度挖掘自动驾驶、工业检测等新兴应用场景的增长潜力。在产品落地层面,罗姆采用“增长-发展-创新”的分层推进策略:增长层聚焦成熟高需求产品,快速兑现市场价值;发展层拓展潜力品类,培育中长期增长动能;创新层研发48V系统电源管理LSI、Solist-AI微控制器等前沿技术,以技术迭代驱动产业升级。依托与AMEYA360等核心分销平台的合作,罗姆的技术与产品得以高效触达中国市场,为本土电子产业的数字化、电动化转型提供核心支撑。  03 总结  能在半导体行业的激烈竞争中站稳脚跟,罗姆靠的正是前端服务与后端技术的双重硬实力,以及清晰的“核心突破 + 多元拓展”发展布局。从贴合客户需求的定制化服务,到IDM模式、核心技术构筑的深层壁垒,再到锚定汽车赛道、布局多板块、培育新支柱的精准战略,每一步都踩准了产业发展的节奏。  而借助与AMEYA360的合作,罗姆也让优质的产品和技术更高效地触达国内市场,持续为本土电子产业的升级添力。相信凭借深厚的技术积淀与前瞻的布局,罗姆未来在全球功率与模拟半导体领域,还将持续释放更多价值。
2026-03-17 10:19 reading:260
罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展
  当前AI算力需求爆发式增长,数据中心供电向高效化、绿色化升级,800V高压直流架构渗透率提升,SST等核心技术加速迭代,行业面临技术革新与标准完善的双重需求。 基于此2026年4月25日“AI PowerDC 算力供电创新技术国际领军者论”将在深圳湾万丽酒店顺势召开,聚焦行业核心痛点,搭建技术交流与合作对接平台。  全球知名半导体制造商罗姆半导体(ROHM)重磅亮相本次论坛,公司技术专家苏勇锦将于A会场11:20-11:50,发表题为《ROHM Power The Future of ECO AI Server》的主题演讲,深度解读AI服务器供电痛点,分享前沿电源技术解决方案,彰显罗姆在高端算力供电领域的核心技术实力。  AI 硬件的急速成长,带来了数据中心对电力设施前所未有的负荷压力。Server Rack 单位消耗功率由数十~数百kW 向MW 级别的规模扩展,现有的48VDC 配电系统,以达到其物理性的、经济性的极限。为解决这一历史性的课题,包括HVDC电源架构等的技术变革正在发生。如何让AI服务器电源系统更节能,更高效,更智能,成为各大电源厂家和半导体厂家的目标和方向。罗姆半导体做为全球知名半导体制造商,充分利用常年以来积累的功率器件和模拟器件的技术经验,为AI服务器提供包括SiC,GaN,Si-MOS,DrMOS,模拟IC等电源解决方案,助力AI服务器向更加ECO的未来发展!  4月25日AI算例论坛概要  名称:AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛  ■主办:21世纪电源网  ■ 会场:深圳湾万丽酒店  ■ 时间:2026年4月25日  ■ 地址:广东省深圳市南山区粤海街道科技南路18号  ■交通:9号线高新南站A出口步行3分钟  赞助企业
2026-03-12 17:50 reading:326
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