士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力
随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求，新能源汽车的市场需求逐渐增大，已然成为汽车发展的大趋势，但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此，需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。
针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好的体验。
该模块产品阻断电压可以达到1200V，可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求，在5C倍率的充电速度下，可以实现5min充电0-80%。同时，该模块峰值工况下支持850V电压，输出电流350-400Arms，输出动能强，汽车加速快，这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。
士兰微电子基于自主研发的精细沟槽 FS-V 技术开发的这款六单元拓扑模块，可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性，从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。
与传统的驱动模块相比，士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高，可以将更多的功率输出到驱动轴，提高车辆的加速性能和行驶距离。此外，该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级，可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害，从而延长逆变器的寿命。
该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代(Field-Stop V)技术和最先进的精细沟槽技术，较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度，用于降低饱和压降，提高器件的功率密度，缩小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐压大于1200V，大大降低了器件的饱和压降和关断损耗;其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数，具有较低的静态损耗，以及低开关损耗，可以增大模块的输出能力，提高整个电控系统的效率;采用导热性优良的DBC，进一步降低模块热阻，提高输出能力。
产品验证数据显示，该模块的规格和同封装下的输出能力已经超过了同类竞品，达到了世界一流水平。这也意味着，士兰600A/1200V IGBT模块是一款创新产品，它可以为混动和纯电动汽车等应用带来更高的燃油效率和更快的充电速度，进而改善车辆的性能和驾驶体验。
二十多年来，士兰微电子坚持走“设计制造一体化”道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，为汽车客户与零部件供应商提供一站式的服务。
士兰微电子应用于汽车电子的产品不仅涵盖了主驱、车载充电机、车身电子、底盘电子和智能座舱等功率器件，还包括驱动IC、电源IC、电机IC和MCU等系列产品，可以为客户提供更可靠、更具性价比、更高性能的产品和解决方案。在稳产保供的大方针下，全力以赴促进客户和行业的共同发展。
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
