士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力-Ameya360 electronic components purchasing network

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

Release time：2023-09-07

author：AMEYA360

source：士兰微

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　　随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求，新能源汽车的市场需求逐渐增大，已然成为汽车发展的大趋势，但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此，需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

　　针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好的体验。

　　该模块产品阻断电压可以达到1200V，可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求，在5C倍率的充电速度下，可以实现5min充电0-80%。同时，该模块峰值工况下支持850V电压，输出电流350-400Arms，输出动能强，汽车加速快，这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。

　　士兰微电子基于自主研发的精细沟槽 FS-V 技术开发的这款六单元拓扑模块，可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性，从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。

　　与传统的驱动模块相比，士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高，可以将更多的功率输出到驱动轴，提高车辆的加速性能和行驶距离。此外，该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级，可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害，从而延长逆变器的寿命。

　　该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代(Field-Stop V)技术和最先进的精细沟槽技术，较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度，用于降低饱和压降，提高器件的功率密度，缩小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐压大于1200V，大大降低了器件的饱和压降和关断损耗;其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数，具有较低的静态损耗，以及低开关损耗，可以增大模块的输出能力，提高整个电控系统的效率;采用导热性优良的DBC，进一步降低模块热阻，提高输出能力。

　　产品验证数据显示，该模块的规格和同封装下的输出能力已经超过了同类竞品，达到了世界一流水平。这也意味着，士兰600A/1200V IGBT模块是一款创新产品，它可以为混动和纯电动汽车等应用带来更高的燃油效率和更快的充电速度，进而改善车辆的性能和驾驶体验。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

　　二十多年来，士兰微电子坚持走“设计制造一体化”道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，为汽车客户与零部件供应商提供一站式的服务。

　　士兰微电子应用于汽车电子的产品不仅涵盖了主驱、车载充电机、车身电子、底盘电子和智能座舱等功率器件，还包括驱动IC、电源IC、电机IC和MCU等系列产品，可以为客户提供更可靠、更具性价比、更高性能的产品和解决方案。在稳产保供的大方针下，全力以赴促进客户和行业的共同发展。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

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行业新闻

士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工

　　2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东，副董事长、总裁郑少波，副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞，中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂，共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。　　此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。　　同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币，两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设，将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。　　士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。　　公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调，8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设，是士兰发展历程中的重大里程碑，将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。　　公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果，并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心，全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示，面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇，士兰愿与客户携手共创解决方案，推动产业高效、智能、绿色发展。　　中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示，士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业，此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工，是士兰微电子发展史上的重要里程碑，士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。　　活动期间，与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场，并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。　　此次双线并举，是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局，也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。

2026-01-05 16:05 reading：451

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