上海雷卯:功率MOSFET选型的几点经验

发布时间:2023-10-25 10:23
作者:AMEYA360
来源:上海雷卯
阅读量:1384

  在此,AMEYA360根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。

  由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用。

  功率MOSFET的分类及优缺点

  和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势(请查阅资料,不详述),但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。

  MOSFET是电压控制型器件,三极管是电流控制型器件,这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的:优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等;缺点—难以制成高电压、大电流型器件,这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。

  言归正传,下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型

  1、我的应用该选择哪种类型的MOSFET?

  前面说了,实际应用主要使用增强型功率MOSFET,但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢?如果你对这个问题有疑问,下面的图和注释会让你一目了然!

上海雷卯:功率MOSFET选型的几点经验

  负载(Load)的连接方式决定了所选MOSFET的类型,这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时,采用P沟道MOSFET;当负载连接电源电压时,选择N沟道MOSFET。

  2、确定额定电压与额定电流

  选好MOSFET的类型后,接下来要做的是确定在你的设计中,漏极和源级间可能承受的最大电压,即最大VDS 。MOSFET能承受的最大电压会随温度变化,这是我们工程师在设计时必须考虑到的,必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。

  接下来,说点实际的:

  MOSFET在关断瞬间,会承受到最大的电压冲击,这个最大电压跟负载有很大关系:如果是阻性负载,那就是来自VCC端的电压,但还需要考虑电源本身的质量,如果电源质量不佳,需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载,那承受的电压会大不少,因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律),其方向与VCC方向相同(楞次定律),承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话,在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。

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上海雷卯:气体放电管怎样选型
一、 GDT 参数选择步骤  关于GDT的选型上海雷卯EMC小哥引用“AC 220V线路进行2kV线间和4kV线对地的过电压防护”案例来阐述GDT的选型。  1. 续流电压  考虑AC 220V线路工作电压远大于续弧电压15V,因此不能直接只使用GDT进行防护,需要采取其他措施(如串联电阻或使用其他类型的保护器件)来避免续弧现象。  2. 直流击穿电压  直流击穿电压选择多大需根据以下计算得出:线路正常运行电压峰值(交流线路需将有效值转换为峰值)故220V×1.414=311.08V,最小直流击穿电压 min(ufdc)应当大于等于线路正常运行电压峰值 (Up) 的1.8倍则1.8×311.08V=559.944V,可以选择一个接近但不低于560V的直流击穿电压。例如,选择600V的直流击穿电压的GDT。  3. 后级器件耐压值  GDT的脉冲击穿电压需要基于后级电路中元件的耐压能力来确定。后级保护器件的耐压应当大于GDT的脉冲击穿电压,以确保电路安全。这一部分的具体数值需要根据后级电路的设计来决定。  4. 通流容量  首先确认测试波形,一般是8/20us和10/700us 2种波形,通流容量大小选择:假设浪涌电压完全出现在内阻上,则通流容量为 2000V/2Ω = 1000A,为了确保GDT能承受这一级别的浪涌电流,所选GDT的通流容量至少应为1000A。  通过上述步骤,我们可以合理地选择并配置GDT以实现有效的浪涌保护。  二、GDT的应用  通常电源、高速信号等都可以使用GDT浪涌防护, 低电容可以保证信号传输,微信搜索上海雷卯微信公众号内可查看全套的防护方案。摘列示意图如下。  三、GDT的续流问题  当过电压施加于GDT两端时,其两端电压上升至足以引发气体放电,从而导通GDT。随着通过GDT的电流增加,放电状态会从辉光放电过渡到弧光放电。这两种放电状态都需要一定的维持电压才能持续。在过电压消失之后,理想的GDT应该立即断开,以恢复正常的工作状态,然而在实际应用中,如果电路的工作电压高于GDT的续流电压(也称为维持电压),GDT可能会继续导通,形成续流现象。GDT的持续导通会导致电路短路,进而产生较大的电流,最终可能导致GDT或其他电路元件过热甚至损坏。  为了避免上述续流问题,上海雷卯建议采取以下措施之一或结合使用:  1. 串联限流电阻:在GDT与电路之间串联一个适当的电阻,以限制通过GDT的电流,降低续流的可能性。  2. 使用附加保护器件:压敏电阻可以在过电压事件发生时与GDT共同工作,而在正常工作条件下能够确保电路不受GDT续流的影响。  3. 选择具有较高续流电压的GDT,使得在正常工作电压下不易触发续流现象。提高续弧电压,并不是不续流,工作电压足够大,还是会续流,要注意这点。  四、上海雷卯既往客户的案例分析  产品背景:220V AC输入,满足浪涌8/20us和1.2/50us测试标准,差模6kV,共模10kV,绝缘耐压测试1750V,3S实验,但是浪涌共模10kV时,次级电解电容异常。  初始选型问题:初始设计中,考虑到绝缘耐压测试的要求,选择了直流击穿电压高达3600V的GDT。然而,这样的选择导致了残压过高(约5.1kV),这与电路保护的需求产生了冲突。在浪涌测试过程中,次级电解电容器由于残压过高而受到损害。  解决方案 更换GDT:将GDT的直流击穿电压从3600V降低至2500V,以减小残压(大约2.8kV),同时确保它能够承受绝缘耐压测试的要求。更换后的GDT在进行10kV共模浪涌测试时,次级电解电容器未再出现异常,测试通过。  安规测试:在安规测试中,通常要求移除过电压保护器件来进行绝缘耐压测试,以便准确评估线缆和绝缘外壳之间的耐压性能。然而,在某些行业中,如铁路行业,不允许移除保护器件,因为这种做法一般不符合现场实际情况。  结论:在本案例中,通过调整GDT的选择,上海雷卯成功解决了次级电解电容器在共模10kV浪涌测试中出现的问题。同时也综合考虑行业实践与安规标准之间的平衡。通过合理选择保护器件,并根据实际情况进行适当的调整,可以确保电路既符合安全标准又能在实际应用中提供有效的保护。  五、常见场景的浪涌防护GDT用料推荐  上海雷卯专业研发销售ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯致力于为客户提供高品质产品,以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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