士兰微49.6亿定增完成,大基金二期12.4亿元认购

Release time:2023-11-24
author:AMEYA360
source:士兰微
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  11月22日,半导体IDM公司士兰微发布向特定对象发行股票发行情况报告书,公司完成发行2.48亿股公司股份,发行价为20元/股,募集资金总额49.60亿元,募集资金净额约49.13亿元。

士兰微49.6亿定增完成,大基金二期12.4亿元认购

  士兰微是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。

  士兰微目前的产品和研发投入主要集中在以下五个领域,分别为功率半导体和半导体化合物器件、功率驱动与控制系统、MEMS传感器、ASIC产品、光电产品。

  士兰微本次定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目(一期)和补充流动资金。

  士兰微表示,本次募投项目的实施,有助于公司进一步提升汽车级功率模块等新兴产品的产能规模和销售占比,推进产品结构升级转型;有助于公司形成功率半导体领域的先发优势、规模优势和成本优势,从而增强客户服务能力和市场竞争力,持续巩固公司的国内半导体 IDM 龙头企业优势地位;有助于公司提高行业话语权和国际影响力,助力公司打造具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商的战略发展目标。

  此次成功认购士兰微股份的投资者既有国家级基金,也有多家头部公募基金与知名外资机构,其中包括国家大基金二期、北京首钢产业转型基金、财通基金、诺德基金、天安人寿保险、中国人寿资管、摩根士丹利、UBS AG等14名对象获配,限售期均为6个月。

  值得一提的是,国家大基金二期认购的股数也是此次投资者中最多的,认购股票达6197.50万股,拟认购金额为12.4亿元,占到士兰微本次总募资的25%。

  今年5月22日,士兰微公告称,公司与国家大基金二期将共同出资21亿元认缴成都士兰半导体制造有限公司新增注册资本,其中国家大基金二期以自有资金出资10亿元。

  8月29日,士兰微公告称,为加快“SiC功率器件生产线建设项目”的推进,拟与国家大基金二期、厦门海创发展基金共同出资12亿元,认缴厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(以下简称“士兰明镓”)新增注册资本。

  天眼查显示,11月7日,士兰明镓发生工商变更,注册资本由约12.7亿元增至约24.6亿元,国家大基金二期完成入股,士兰微获得士兰明镓控制权,持股比例将从原来的34.72%增至48.16%,大基金二期将持有士兰明镓14.11%股权。而士兰明镓是士兰微本次定增募资投入的“SiC功率器件生产线建设项目”的建设主体。

  士兰微在此前的业绩说明会上表示,在SiC产器件和模块方面,汽车主驱PIM模块、OBC单管等已经上车,客户包括吉利、零跑、威迈斯等,更多客户在导入验证中。SiC芯片方面,士兰明镓的 6吋SiC芯片产能将在年底达到6000片/月,较当前3000片/月翻一番。并称,SiC产能在抓紧进行,客户端导入也同步展开,但达到盈利规模的满产需要一定时间。

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士兰微电子总部研发测试生产基地项目顺利封顶!
  1月28日,士兰微电子迎来发展历程中的又一重要里程碑——士兰总部研发测试生产基地项目顺利封顶。项目封顶仪式在杭州市滨江区举行,项目总指挥、士兰微电子高级副总裁黄丽珍,项目负责人林开通,以及总承包单位中南集团、监理单位浙江省省直监理、设计单位浙江省省直建筑设计院等合作伙伴代表共同出席仪式,见证这一战略项目的阶段性成果。  该项目是士兰微电子为适应业务发展需要,在强化自主设计制造能力、完善全产业链布局战略道路上迈出的又一重要步伐,基地总建筑面积达9.6万平方米。项目建成后,这里将成为公司高端芯片的研发测试与验证中心,重点支撑下一代功率半导体、传感器及高端模拟集成电路的快速发展。  士兰微是国内集成电路产业领军企业,近年来不断加大产能与研发投入,已在杭州、成都、厦门等地布局多个制造基地,形成覆盖芯片设计、制造、封装测试的全产业链。此次总部研发测试生产基地建成后,将与各地制造基地深度联动,有效缩短产品从研发到市场化的周期,提升产品交付效率与核心竞争力,为全球客户提供更优质半导体产品与服务。  未来,这座现代化的研发测试生产基地将与士兰微电子位于杭州、成都、厦门等地的制造基地深度联动,进一步缩短公司产品从研发到市场的距离,为全球客户提供更高效、更可靠和更具竞争力的产品与服务。
2026-02-02 15:21 reading:211
士兰微电子迎来双线里程碑:8英寸碳化硅产线通线,12英寸高端模拟芯片产线同步开工
  2026年1月4日,杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东,副董事长、总裁郑少波,副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞,中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂,共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。  此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线,是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线,成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题,标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币,分两期建设,全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡,达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景,助力客户提升系统能效与功率密度。  同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目,规划投资100亿元人民币,聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用,计划于2027年四季度初步通线,并于2030年实现达产,届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币,两期建设全部完成后,将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设,将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。  士兰微电子董事长陈向东表示,两条产线的推进,不仅是产能的扩充,更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发,优化工艺,致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。  公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调,8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设,是士兰发展历程中的重大里程碑,将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力,更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。  公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果,并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心,全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示,面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇,士兰愿与客户携手共创解决方案,推动产业高效、智能、绿色发展。  中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示,士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业,此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工,是士兰微电子发展史上的重要里程碑,士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。  活动期间,与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场,并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。  此次双线并举,是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局,也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。
2026-01-05 16:05 reading:451
士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”
士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块
  新品  士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案,采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术,最大化光伏电能转换效率;搭配士兰自主开发的D6封装,全面支持2000V系统应用需求。  产品型号  SGM600TL14D6TFD  产品拓扑  产品特点  采用FS5+ 1400V IGBT 技术,损耗低,效率高,降低系统成本  长时持续运行工况Tjop 175℃  集成1400V SiC SBD  1.1倍标称BV下限管控,适配于工业新能源应用  5000m海拔下,安规满足2kV系统电压要求,封装可兼容PV输入1500V系统和PV输入2000V系统  采用最优的封装技术及材料,满足长时175℃高可靠性要求  高功率密度,高效率,模块支持输出功率高  有一体焊接针和压接针两种方案可选,满足不同客户的安装要求  应用领域  光伏  储能  开发背景  光伏电站的BOS成本逐年下降,为降低光伏电站的BOS成本,行业主要围绕两大技术路径持续优化:一是提升逆变器单机功率,以减少设备数量、节约安装空间;二是增加组件串联数量,以提升直流侧电压、节省线缆并减少逆变器用量。在此趋势下,士兰微电子自主开发了新一代功率模块,具备高功率密度、低运行损耗和高可靠性等优势,可有效支持高电压、大功率逆变器的技术进阶,助力光伏产业持续降低BOS成本,推动行业向更高效、更经济的方向发展。
2025-12-19 11:02 reading:517
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