想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

发布时间:2023-12-20 11:47
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:1863

  作为当下热门的第三代半导体技术,GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比,GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗,但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。

  按照栅极特性差异,GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异,GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景,纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案,助力于充分发挥GaN器件的性能优势。

  01、耗尽型(D-mode)GaN 驱动方案

  一、D-mode GaN类型与特点

  由于常开的耗尽型GaN本身无法直接使用,需要通过增加外围元器件的方式,将D-mode GaN从常开型变为常关型,主要包括级联(Cascode)和直驱(Direct Drive)两种技术架构;其中,级联型的D-mode GaN更为主流。如下图1,级联型的D-mode GaN是通过利用低压Si MOSFET的开关带动整体的开关,从而将常开型变为常关型。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  尽管低压Si MOS在导通时额外串入沟道电阻,并且参与了器件的整体开关过程,但由于低压Si MOS的导通电阻和开关性能本身就很理想,所以对GaN器件的整体影响非常有限。

  级联型的D-mode GaN最大的优势在于可用传统Si MOS的驱动电路,以0V/12V电平进行关/开的控制。但需要注意的是,尽管驱动电路和Si MOS相同,但由于级联架构的D-mode GaN的开关频率和速度远高于传统的Si MOS,所以要求驱动IC能够在很高的dv/dt环境下正常工作。

  如下图2和图3所示为氮化镓采用半桥拓扑典型应用电路,GaN的高频、高速开关会导致半桥中点的电位产生很高的dv/dt跳变,对于非隔离驱动IC,驱动芯片的内部Level shifter寄生电容会在高dv/dt下产生共模电流;对于隔离驱动IC,驱动芯片的输入输出耦合电容同样构成共模电流路径。这些共模电流耦合到信号输入侧会对输入信号造成干扰,可能会触发驱动芯片的误动作,严重时甚至会引发GaN发生桥臂直通。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  因此,共模瞬变抗扰度(CMTI)是选择GaN驱动IC的一个重要指标。对于GaN器件,特别是高压、大功率应用,推荐使用100V/ns以上CMTI的驱动IC,以满足更高开关频率、更快开关速度的需求。

  二、纳芯微D-mode GaN驱动方案

  纳芯微提供多款应用于D-mode GaN的驱动解决方案,以满足不同功率段、隔离或非隔离等不同应用场景的需求。

  1)NSD1624:高可靠性高压半桥栅极驱动器

  传统的非隔离高压半桥驱动IC一般采用level-shifter架构,由于内部寄生电容的限制,通常只能耐受50V/ns的共模瞬变。NSD1624创新地将隔离技术应用于高压半桥驱动IC的高边驱动,将dv/dt耐受能力提高到150V/ns,并且高压输出侧可以承受高达±1200V的直流电压。此外,NSD1624具有+4/-6A驱动电流能力,能工作在10~20V 电压范围,高边和低边输出均有独立的供电欠压保护功能(UVLO)。NSD1624 可提供SOP14,SOP8,与小体积的LGA 4*4mm封装,非常适合高密度电源的应用,可适用于各种高压半桥、全桥电源拓扑。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  2)NSI6602V/NSI6602N:第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器

  NSI6602V/NSI6602N是纳芯微第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器, 相比第一代产品进一步增强了抗干扰能力和驱动能力,同时提高了输入侧的耐压能力,且功耗更低,可以支持最高2MHz工作开关频率。每个通道输出以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力,150V/ns的共模瞬变抗扰度(CMTI) 提高了系统抗共模干扰能力。NSI6602V/NSI6602N有多个封装可供选择,最小封装是4*4mm LGA 封装,可用于GaN等功率密度要求高的场景。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  3)NSI6601/NSI6601M:隔离式单通道栅极驱动器

  NSI6601/6601M 是隔离式单通道栅极驱动器,可以提供分离输出用于分别控制上升和下降时间。驱动器的输入侧为3.1V至17V电源电压供电,输出侧最大电源电压为32V,输入输出电源引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。它可以提供5A/5A 的拉/灌峰值电流,最低150V/ns的共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了系统鲁棒性。此外,NSI6601M还集成了米勒钳位功能,可以有效抑制因米勒电流造成的误导通风险。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  02、增强型(E-mode)GaN驱动方案

  一、E-mode GaN类型与特点

  不同于Cascode D-mode GaN通过级联低压Si MOS来实现常关型,E-mode GaN直接对GaN栅极进行p型掺杂来修改能带结构,改变栅极的导通阈值,从而实现常断型器件。

  根据栅极结构不同,E-mode GaN又分为欧姆接触的电流型和肖特基接触的电压型两种技术路线,其中电压型E-mode GaN最为主流,下文将主要介绍该类型GaN的驱动特性和方案。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  这种类型E-mode GaN的优点是可以实现0V关断、正压导通,并且无需损害GaN的导通和开关特性。由于GaN没有体二极管,不存在二极管的反向恢复问题,在硬开关场合可以有效降低开关损耗和EMI噪声。然而,电压型E-mode GaN驱动电压范围较窄,一般典型驱动电压范围在5~6V,并且开启阈值也很低,对驱动回路的干扰与噪声会比较敏感,设计不当的话容易引起GaN误开通甚至栅极击穿。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  *不同品牌的E-mode GaN栅极耐受负压能力差别较大,有的仅能耐受-1.4V,有的可耐受-10V负压。

  在低电压、小功率,或对死区损耗敏感的应用中,一般可使用0V电压关断;但是在高电压、大功率系统中,往往推荐采用负压关断来增强噪声抗扰能力,保证可靠关断。在设计栅极关断的负压时,除了需要考虑GaN本身的栅极耐压能力外,还需要考虑对效率的影响。如下表所示,这是因为E-mode GaN在关断状态下可以实现电流的反向流动即第三象限导通,但是反向导通压降和栅极关断的负压值相关,用于栅极关断的电压越负,反向压降就越大,相应的会带来更大的死区损耗。一般,对于500W以上高压应用,特别是硬开关,推荐-2V~-3V的关断负压。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  ➯ 考虑E-mode GaN的以上驱动特性,对驱动器和驱动电路的设计一般需要满足:

  ◆ 具备100V/ns以上的CMTI,以满足高频应用的抗扰能力;

  ◆可提供5~6V的驱动电压,并且驱动器最好集成输出级LDO;

  ◆ 驱动器最好有分开的OUTH和OUTL引脚,从而不必通过二极管来区分开通和关断路径,避免了二极管压降造成GaN误导通的风险;

  ◆ 在高压、大功率应用特别是硬开关拓扑,可以提供负压关断能力;

  ◆ 尽可能小的传输延时和传输延时匹配,从而可以设定更小的死区时间,以减小死区损耗。

  二、E-mode GaN驱动方案

  分压式方案

  E-mode GaN可以采用传统的Si MOS驱动器来设计驱动电路,需要通过阻容分压电路做降压处理。如图8所示驱动电路,开通时E-mode GaN栅极电压被Zener管稳压在6V左右,关断时被Zener管的正向导通电压钳位在-0.7V左右。因此,GaN的开通和关断电压由Dz决定,和驱动器的供电电压无关。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  更进一步的,如果在Dz的基础上,再反向串联一个Zener管,那么就可以实现负压关断。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  如图10所示,为NSD1624采用10V供电,通过阻容分压的方式用于驱动E-mode GaN的典型应用电路。同样的,隔离式驱动器NSI6602V/NSI6602N、NSI6601/NSI6601M也可以采用这种电路,用于驱动E-mode GaN。对于阻容分压电路的原理与参数设计在E-mode GaN厂家的官网上都有相关应用笔记,在此不展开详解。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  直驱式方案

  尽管阻容分压式驱动电路,可以采用传统的Si MOSFET驱动器来驱动E-mode GaN,但是需要复杂的外围电路设计,并且分压式方案的稳压管的寄生电容会影响到E-mode GaN的开关速度,应用会有一些局限性。对此,纳芯微针对E-mode GaN推出了专门的直驱式驱动器,外围电路设计更简单,可靠性更高,可以充分发挥E-mode GaN的性能优势。

  1)NSD2621:E-mode GaN专用高压半桥栅极驱动器

  NSD2621是专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片,该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术,可以支持-700V到+700V耐压,150V/ns的半桥中点dv/dt瞬变,同时具有低传输延时特性。高低边的驱动输出级都集成了LDO,在宽VCC供电范围内均可输出5~6V的驱动电压,并可提供2A/-4A的峰值驱动电流,同时具备了UVLO 功能,保护电源系统的安全工作。NSD2621 可提供高集成度的LGA (4*4mm) 封装,适用于高功率密度要求的应用场景。图5为NSD2621的典型应用电路,相比分压式电路,采用NSD2621无需电阻、电容、稳压管等外围电路,简化了系统设计,并且驱动更可靠。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  2)NSD2017:E-mode GaN专用单通道低边栅极驱动器

  NSD2017是专为驱动E-mode GaN设计的车规级单通道低边驱动芯片,具有欠压锁定和过温保护功能,可以支持5V供电,分离的OUTH和OUTL引脚用于分别调节GaN的开通和关断速度,可以提供最大7A/-5A的峰值驱动电流。NSD2017动态性能出色,具备小于3ns的传输延时,支持1.25ns最小输入脉宽以及皮秒级的上升下降时间,可应用于激光雷达和电源转换器等应用。NSD2017有1.2mm*0.88mm WLCSP和2mm*2mm DFN车规级紧凑封装可选,封装具有最小的寄生电感,以减少上升和下降时间并限制振铃幅值。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  3)NSI6602V/NSI6602N:E-mode GaN隔离驱动

  专门针对E-mode GaN隔离驱动的需求,纳芯微调节NSI6602V/NSI6602N的欠压点,使其可以直接用于驱动E-mode GaN:当采用0V关断时,选择4V UVLO版本;当采用负压关断时,可以选择6V UVLO版本。需要注意的是,当采用NSI6602V/NSI6602N直接驱动E-mode GaN时,上管输出必须采用单独的隔离供电,而不能采用自举供电。这是因为当下管E-mode GaN在死区时进入第三象限导通Vds为负压,此时驱动上管如果采用自举供电,那么自举电容会被过充,容易导致上管E-mode GaN的栅极被过压击穿。图13为NSI6602V/NSI6602N直驱E-mode GaN时的典型应用电路,提供+6V/-3V的驱动电压。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  03、GaN功率芯片方案

  NSG65N15K是纳芯微最新推出的GaN功率芯片产品,内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的E-mode GaN HEMT。NSG65N15K通过将驱动器和GaN合封在一起,消除了共源极电感Lcs,并且将栅极回路电感Lg也降到最小,避免了杂散电感的影响。NSG65N15K是9*9mm的QFN封装,相比传统分立方案的两颗5*6mm DFN封装的GaN开关管加上一颗4*4mm QFN封装的高压半桥驱动,加上外围元件,总布板面积可以减小40%以上。此外,NSG65N15K内置可调死区时间、欠压保护、过温保护功能,有利于实现GaN 应用的安全、可靠工作,并充分发挥其高频、高速的特性优势,适用于各类中小功率GaN应用场合。

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

  04、纳芯微GaN驱动方案选型指南

  综上所述,纳芯微针对不同类型的GaN和各种应用场景,推出了一系列驱动IC解决方案,客户可以根据需求自行选择相应的产品:

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A
  近日,纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品,优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力,可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。  纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品,采用自有专利芯片结构设计,综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺,拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求,同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题,为客户提供更安全、更可靠的产品,简化客户的设计。  图1:纳芯微CSP封装MOSFET产品优势  便携式锂电设备对于充放电保护的要求:  高强度,小体积  智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄,功能更强大,同时对设备的充放电功率要求也越来越高:从最初的3-5W,到现在超过100W的充放电功率,使人们在享受更便捷的生活的同时,提高了充电效率,减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的不断提高,对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战:如何在降低内阻的同时,兼顾机械应力及雪崩能量等要求,成为聚焦的重点。  图2:CSP封装MOSFET典型应用场景  技术特点  专有的CSP封装技术  传统CSP封装结构为了降低衬底电阻,采用了芯片厚度减薄的方法,从而降低了该封装结构的机械强度,随之而来的,在生产组装过程中,可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹,从而导致应用端不良等问题。  纳芯微全新CSP封装系列产品在设计之初就在产品结构上做了调整,使导通电流平行于芯片表面,缩短电流路径,从而降低导通电阻,也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题(耐受机械压力>60N),更高的机械强度,可以帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上,最大程度上降低使用过程中的变形、裂片等问题,保证了产品的可靠性和安全性。  图3:纳芯微CSP封装结构与传统CSP封装结构对比  高抗短路和雪崩的能力  作为锂电池保护电路中的关键器件,CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上其他产品,纳芯微该系列产品具备非常好的抗短路和雪崩的能力:短路电流测试达到280A,雪崩能力测试>30A(225mJ)。  纳芯微CSP封装MOSFET产品选型表
2024-09-27 11:24 阅读量:469
纳芯微NSOPA240x系列功率放大器应用介绍
  摘要  旋转变压器因其高可靠性,高精度的特性,被广泛用于电机控制速度和位置的检测,其中包括在汽车和工业领域中的混合动力电动汽车 (HEV) 牵引逆变器,电动汽车 (EV),电动动力转向,电机驱动和伺服机构应用。  本应用笔记介绍了纳芯微为旋转变压器驱动所设计的功率放大器 NSOPA240x系列(即NSOPA2401/2)的特性和典型设计要点。NSOPA2401/2 将单 / 双通道的功率放大器、过温关断,限流保护功能集成在单芯片上,降低了设计复杂性和系统成本,提高了可靠性和性能。  01、旋转变压器和驱动运放简介  旋转变压器可用来精确测量角度位置和转速,部署在工业电机控制、伺服器、机器人、电动和混动汽车等的动力系统单元中。旋转变压器在这些应用中可以长期承受严苛条件的考验,是恶劣环境下的完美选择。旋转变压器有三个绕组,包括有一个初级绕组、两个正交分布的次级绕组,共三组线圈,对外共有 6 条引线。其中,激励线圈接受输入的正弦型激励电流,而正交的两个感应线圈,依据旋变的转子、定子之间的相互位置关系,调制出具有 sin 正弦和 cos 余弦包络的检测信号。  当激励信号是 sinωt,转子与定子间的角度为θ,则正弦信号为sinωt×sinθ,而余弦信号则为 sinωt×cosθ。根据 sin、cos 信号和原始的激励信号,通过必要的检测和比较电路即可高分辨率地检测出转子位置。  图1. 旋转变压器关键参数  根据旋转变压器的特性,驱动运放需要的特性:  • 旋转变压器的励磁原边线圈通常具有小于 100Ω的较低 DCR ( 直流电阻 ),因此需要有最高可至 200mA的较强电流输出能力才可以驱动线圈。  • 为了保证高精度以及高线性度,在旋转变压器的应用中需要具备较高的 SR(压摆率 Slew Rate)。  • 旋转变压器的常见激励方式为差分推挽输出,对放大器要求较宽的带宽以及较高的开环增益,以确保信号不失真。  • 汽车应用 EMI 环境复杂,为了保证励磁功率放大电路不被干扰,放大电路需要具备一定的 EMI 抑制能力。  • 作为高功率驱动级,需要具备限流和过温关断功能,保证系统的可靠性和鲁棒性。  • 传统的解决方案是利用通用运放和分立三极管搭建高输出电流,电路复杂可靠性低,且难以集成热关断和限流保护等功能。NSOPA240x运算放大器具有高电流输出能力,最大可支持 400mA 的持续电流输出,集成了过温关断,限流保护等安全功能,满足各类旋转变压器驱动的需求。  图2 纳芯微用于旋变驱动的运放 NSOPA240x 关键参数 & 特性  1.1、输出电流  输出电流能力和输出摆幅是功率放大器最重要的指标之一,负载电流与输出摆幅之间的关系直接决定在驱动运放上的耗散功率。NSOPA240x 设计为最高 400mA 持续输出电流能力,完全满足各类旋转变压器驱动要求。  1.2、摆率  为了保证旋转变压器能够无失真地被驱动,一个关键前提是需要有足够的压摆率,对于正弦信号不失真的最低要求如以下公式所示:  以 7Vrms,10KHz 的激励信号为例,保证不失真所需的最低压摆率为:  下图显示的是不同频率与不同幅值的激励信号与所需的最小压摆率的关系。NSOPA240x 上升压摆率为6.5 V/μs,,下降压摆率为 7V/μs,完全满足旋转变压器驱动的应用。  图3 旋转变压器驱动运放所需最小摆率与驱动信号频率幅值关系
2024-09-24 10:11 阅读量:493
纳芯微电子:CAN SIC知多少——新一代车载网络协议你用了没?
  日前,纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC(信号改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。  NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下,进一步兼容CiA 601-4标准,可实现8Mbps的传输速率,比当前主流的CAN FD车载通信方案有着显著优势。  此次,趁纳芯微新品发布之际,我们邀请到了纳芯微技术市场经理陈章杰,围绕CAN SIC的相关话题进行了探讨。  为什么要开发CAN SIC?  随着自动驾驶和区域控制概念的兴起,ECU彼此间进行了大量的整合与集成,这意味着更高的集成度,更多的节点数,更复杂的星型拓扑,以及更高的传输速率。  这给CAN FD总线带来了巨大挑战——即在更复杂的星型拓扑网络中,由于高传输率及复杂的拓扑的转变下,会出现严重的振铃,从而带来误码率的提高,影响信号传输。  目前CAN FD标准号称定义到5Mbps,但在实际应用中很难达到2Mbps以上。尽管客户希望提速,但是为了信号完整性,往往要牺牲速率,缩小节点规模,以减少振铃带来的影响。  CAN SIC则可轻松解决这一矛盾。  CAN SIC如何降低振铃?  要看CAN SIC的原理,首先要看振铃的形成原因。  振铃是指在CAN总线的通信过程中,由于阻抗不匹配导致的信号反射等原因,使得信号在传输线上多次反射,进而产生的一种振荡现象。更高的通讯速率意味着更窄的位宽时间,当前CAN FD的2Mbps相比以前HS CAN的500kbps位宽时间由2000ns缩短为500ns。同样强度的振铃干扰,在更高的通讯速率下,由于位宽时间过短不足以使其衰减到隐性差分电压的判定阈值以下,从而更容易导致通讯错误。  为了解决这一问题,2019年,CAN FD SIC (Signal Improvement Capability)信号增强版标准CiA (CAN in Automation) 601-4发布,通过抑制振铃,从而匹配现代域控和高速通信系统的要求。  与CAN FD相比,CAN SIC的优化主要体现在驱动电路上,其增加了一个强驱电路。如上所述振铃往往发生在从显性到隐形状态,因此,可以在该转换过程中增加一个额外的强驱电路,以控制总线电平的切换斜率,从而确保数据不出错。  CAN SIC或将成为主流标准之一  “无论哪项标准的制定,都是为了符合当时的需求,每一代都有自己的使命,也都会在演进过程中不断完善。”陈章杰说道。  CAN总线经历了多个标准。最早由德国博世于1980年代发明,第一个使用CAN总线通讯协议的量产车型是1991年的奔驰S级轿车,至今CAN总线依旧是车内主要的通讯总线。随着汽车电子智能化加速,CAN总线也进一步升级,2003年CAN总线升级为HS CAN,但还是基于第一代技术。2011年第二代CAN总线CAN FD开始研发,2015年CAN FD标准即ISO11898发布,2019年,CAN FD SIC (Signal Improvement Capability)信号增强版标准CiA (CAN in Automation)601-4发布,2021年CAN FD的轻量级版本CAN FD Light 标准CiA 604-1发布。2021年12月,第三代CAN总线即CAN XL标准CiA 610-1发布,但还未完全落地。  陈章杰表示:“在当年情况下,对于CAN总线的需求是提速,并没有太多的复杂拓扑需求,因此并不存在振铃问题。而随着复杂拓扑与高速率的需求增长,CAN FD无法满足,因此CiA 601-4孕育而生。”  另外,对于下一代CAN XL而言,依然需要解决振铃问题,CAN SIC也可以为提速和多节点复杂通信做好提前铺垫。  CAN SIC除了要解决CAN FD目前的问题之外,还有一大使命,就是要应对以太网的竞争。如今车载骨干网络已经以太网化,但是控制端目前还没有落地,考虑到其成本和厂商在软件或其他方面的适配,CAN依然是未来的主导之一。  陈章杰强调,CAN SIC的演变比预想的还要快,“随着域控和区域架构概念的普及,CAN SIC的认可度不断提升,越来越多的主机厂开始逐渐接纳这一技术。相信在未来,CAN SIC将大有可为。”  纳芯微如何开发的CAN SIC  纳芯微的CAN SIC实测传输速率可达10Mbps,已经完全满足CiA 8Mbps的规范要求。  陈章杰表示,CAN SIC开发最大的挑战其实是驱动架构和EMI架构的兼容,单纯做好驱动电路并不难,但是会牺牲其他方面的性能,尤其是EMI这种非线性关系的处理。  “芯片设计本身就是一个权衡取舍的问题。”陈章杰补充道,除了要关注EMI之外,成本也是一大考量。纳芯微的产品性能不输于国外厂商,同时还要更有性价比,因此还需要在设计上不断优化,从而用更小的面积(更低的成本)实现更高的性能。“另外,产品本身是一方面,更重要的是应该从系统角度出发开发产品。”包括EMI、ESD等约束,以及成本的优化等等方方面面。  陈章杰还强调,纳芯微一直以来深耕IP的开发,在CAN SIC开发过程中诞生了诸多发明专利,并将其IP化,与其他产品组合共享,打通了底层研发的平台。“对于芯片而言,核心竞争力之一就是IP,纳芯微也正围绕这些核心IP进行持续开发与优化打磨,形成一套完整的路线图。”陈章杰补充道。  详解纳芯微的CAN SIC新品  纳芯微NCA1462-Q1基于创新的专利架构对EMI进行了优化设计,依照IEC62228-3标准进行测试,完全符合要求。  NCA1462-Q1通过优化电路结构及版图面积实现了超±8kV ESD性能,既能从容应对在汽车行驶过程中突发的静电放电威胁,提供更可靠的电路保护,又能实现器件成本的优化。凭借超高的EMC/ESD性能,NCA1462-Q1还可在部分设计中帮助工程师省去外围电路中的共模电感或TVS管。此外,更加灵活、低至1.8V的VIO设计可进一步节省系统中LDO或者电平转换的使用,帮助工程师降低整体成本。  NCA1462-Q1的总线故障保护电压在CAN Low和CAN High中都可以达到±58V,真正做到了高耐压,从而帮助客户降低击穿风险。  另外,值得一提的是,在CAN SIC中,EMI可以细分为显性EMI和隐性EMI,比如某些产品显性EMI做得好,某些产品的隐性EMI好,纳芯微则是通过取长补短的手段,实现了显性和隐性EMI的全面优化。  提前布局,做市场的引领者  CAN SIC市场前景相对明朗,但截止目前,无论是国际还是国内厂商,能够提供CAN SIC芯片的供应商都不多。  “就目前时间点而言,虽然CAN SIC的需求比较明确,但产品也不可能突然遍地开花,需要一个循序渐进的过程。”陈章杰说道。  陈章杰同时表示,无论是CAN收发器还是CAN SIC,纳芯微一直都是根据市场需求与预判进行提前布局,定义完整的产品及路线图。也正因此,纳芯微成为了最早一批量产CAN SIC的厂商。  另一方面,尽管CAN SIC还处于“蓝海”市场,但是前一代CAN收发器的市场竞争已经相当激烈,纳芯微为何还要杀入这一市场呢?陈章杰表示,作为汽车主要的总线技术,其市场容量非常之大,每辆车上就需要数十颗之多,市场始终处于高需求状态。而且,陈章杰说道:“CAN接口貌似简单,但是要做好确实有一定的门槛,作为通用物料而言,最能考验公司的能力,这其中会包括成本控制,市场覆盖,研发实力,供应链等等。”  也正因此,CAN接口是非常适合切入汽车市场的产品之一。“所以我们看到越来越多的友商进入这一市场,但是说实话如果要做到各方面性能指标都高标准,还是有一定门槛的。”陈章杰表示。  陈章杰表示,纳芯微既立足本土,同时也是面向全球的芯片供应商,随着国产芯片实力的加强,很多海外客户也在看中国的供应商,纳芯微的产品无论在性能、性价比、技术支持等方面都已经获得了全球主要客户的认可和采用。“我们既然面向全球市场,就必须要以更高的标准定义产品。”  面对激烈的市场竞争,“短期而言,价格决定一切,而从长远来看,客户更在乎的是合作伙伴持续降本,以及持续优化运营的能力,并不能单纯靠价格战取胜。”陈章杰强调道。  面向未来的CAN XL  作为CAN CiA的成员之一,纳芯微也在积极评估CAN XL的发展。但陈章杰也坦言,CAN XL还在规划中,尚无明确的时间节点,并且也依赖于目前CAN SIC的市场普及和认可度。  “一旦客户和市场完全认可CAN SIC的价值,并逐步应用于复杂星型拓扑与高速率场景中,一定会打消客户升级换代的顾虑。”陈章杰乐观地表示。
2024-09-19 09:24 阅读量:644
纳芯微电子:窄脉宽信号对驱动芯片的影响及解决方案
  01、窄脉宽的来源  驱动芯片在各种电力电子系统中有着广泛的应用,例如整流器、DC-DC变换器、逆变器和变频器等,其工作频率和占空比范围在不同系统中各不相同。  在常规整流器的PFC部分,根据输入电压的范围不同,其下管的占空比可以在0%到100%之间变化;  在常见的DC-DC变换器中,开机时通常会有缓启功能,其输出脉宽会从零开始逐步增大;另外,当输出负载或输入电压发生瞬态跳变时,输出会出现瞬态变化,系统环路会根据输出电压的变化来调整驱动器的输入脉宽,在调整过程中,可能出现极大或极小的输出脉宽;  在桥式逆变器中,当输出电压达到最大或最小峰值时,也可能出现极大和极小的输出脉宽。  图1 正负向窄脉宽  如果这些极大或极小脉宽没有得到有效限制,可能会影响驱动器的稳定工作;严重情况下甚至会导致驱动器或系统失效。  02、正负窄脉宽对驱动芯片的影响  下图2所示,是一种常见的MOSFET驱动电路,虚线框内为一个输出通道的结构示意图,其输出采用PMOS+NMOS结构。驱动器在控制功率管MOSFET M1开通和关断时,会对功率MOSFET M1的栅极拉出和灌入电流。在窄脉宽开通情况下,驱动器收到关断指令会将MOSFET M1关断,此时MOSFET M1的开通过程还没有完成,驱动器的输出仍然维持在较高的电流,当该电流突然变化,在PCB走线寄生电感和驱动器内部寄生电感的共同作用下,会在驱动器的输出引脚产生很大的电压应力,该应力可能导致芯片失效。  为了分析和验证,将MOSFET的门极输入电容采用电容C1来代替,如下图3所示。  考虑到PCB和芯片内部的寄生电感,其等效电路如下图4所示,其中L1、L4和L5为芯片内部寄生电感(Lbonding),L2和L3为PCB上的寄生电感(LPCB)。  ➱下面将对不同脉宽下驱动器的应力产生和影响进行简要介绍。  1)正向窄脉宽的状态分析  t0~t1期间,驱动芯片内部的NMOS M3导通,PMOS M2关断,OUT输出为低,此时驱动回路中的Isrc和Isnk电流均为零;  t1时刻,NMOS M3关断,PMOS M2导通,OUT输出拉高,给负载电容C1充电,Isnk电流为零;  t2时刻,PMOS M2关断,NMOS M3导通,OUT输出被拉低,此时驱动电流Isrc不为零。该电流在芯片内部寄生电感和PCB走线寄生电感的共同作用下,对PMOS M2和NMOS M3的寄生输出电容进行充放电,从而导致OUT出现负向过冲电压。驱动器内部输出Pad的电压应力可以用如下公式(1)进行估算。  其中各参数的定义如下:  VGate: MOSFET的栅极电压  Lbonding:IC内部的键合线产生的寄生电感,通常约为5nH  LPCB:驱动器输出引脚到栅极PCB引线的寄生电感  RG:MOSFET的栅极驱动电阻  2)正常脉宽的状态分析  t0~t1期间,驱动芯片内部NMOS M3导通,PMOS M2关断,OUT输出为低,驱动回路中Isrc和Isnk电流为零;  t1时刻,NMOS M3关断后,PMOS M2导通,OUT输出拉高,负载电容C1充电,当电容C1充满电后,Isrc恢复到0,Isnk电流保持为零;  t2时刻,PMOS M2关断后,NMOS M3开通,OUT输出被拉低,负载电容C1放电,当电容C1放电结束后,Isnk电流恢复到零;  OUT输出转换过程中,lsrc或Isnk都是由零上升或下降到峰值,然后恢复到零,OUT输出没有明显的正向或负向过冲电压。  3)负向窄脉宽的状态分析  t0~t1期间,驱动芯片内部PMOS M2导通,NMOS M3关断,OUT输出为高,驱动回路中Isrc和Isnk电流为零;  t1时刻,NMOS M3导通,OUT输出拉低,负载电容C1放电;  t2时刻,NMOS M3关断,PMOS3开通,OUT输出被拉高,此时驱动回路中电流Isnk不为零,该电流在芯片内部的寄生电感和PCB走线的寄生电感的共同作用下,对PMOS M2和NMOS M3的寄生输出电容进行充放电,导致OUT输出出现显著的正向过冲电压。  实际电路验证  为了验证窄脉宽的影响,本实验选择了一款最大额定电压为20V的驱动芯片,并按照上图3所示的实验电路进行测试。  实验中,芯片供电电压设置为15V,负载电容C1为27nF,输入信号频率为100kHz,脉冲宽度分别为20ns、2μs和9.98μs(对应20ns负向窄脉宽)。  在相同脉宽下,通过调整驱动电阻R1的大小,来改变开通和关断时的驱动电流和电流变化率,得到实验结果如下所示,图中黄色线条表示输入信号,绿色线条表示输出信号。  表2 实际电路验证结果  如上结果所示,当驱动电阻为1Ω时,20ns的正向窄脉宽会导致-9V的负向过冲;同样,20ns的负向脉宽会导致27.4V的正向过冲,超过了芯片的额定值,会存在失效风险。正常脉宽下,OUT输出没有正负过冲现象。此外,还可以看出,在相同脉宽输入时,驱动电流越大,输出脚的正向或负向电压应力越高;因此减小驱动电流可以有效减小窄脉宽产生的正负过冲电压。  03、解决方案和建议  通过上面的分析和验证可以看出窄脉宽下过大的驱动电流会对输出应力产生严重影响。系统应用中为了避免驱动器输出应力超标,建议客户从以下几个方面进行优化和解决。  PCB布局时尽量将驱动器与功率管就近放置,减小驱动器输出引脚到功率管门极之间的走线电感。  驱动器的供电电容尽可能靠近芯片的电源引脚,且同层放置,减小因过孔和走线产生的寄生电感。  在系统应用中,对最大和最小驱动输出脉宽进行限制,确保开通和关断前一刻驱动输出电流已降为零,避免输出出现过大的正向或负向过冲电压。  适当调整驱动电阻,减小窄脉宽驱动回路中的电流和电流变化率。
2024-09-18 17:04 阅读量:445
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。