纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

发布时间：2024-04-17 13:08
作者：AMEYA360
来源：纳芯微
阅读量：19045

　　纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

　　纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。

　　NPC060N120A产品特性

　　更宽的栅极驱动电压范围(-8~22V)

　　支持+15V，+18V驱动模式(可实现IGBT兼容：+18 V)

　　+18V模式对下，RDSon可降低20%

　　更好的RDSon温度稳定性出色的阈值电压一致性

　　Vth在25°C~175°C 的范围保持在2.0V~2.8V之间

　　体二极管正向压降非常低且稳健性高

　　100%的雪崩测试，从而提高整体的可靠性，抗冲击能力强

　　此外，功率产品开发中可靠性验证与质量控制是纳芯微非常重视环节之一。为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。此外，会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证，如下图：

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

　　以执行较为严苛的HV-H3TRB为例，在可靠性1000小时测试后，该款产品仍具有比较优异的稳定性。

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

　　NPC060N120A产品选型表

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

　　纳芯微SiC MOSFET命名规则

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

　　未来，纳芯微将持续扩大产品阵容，推出更多规格产品供客户选择。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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纳芯微参与车身域控制器测试方法团体标准审定，助力汽车电子行业技术创新
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　　近期，根据《团体标准管理规定》的相关要求，深圳自动化学会组织召开了《车身域控制器场效应管负载能力试验方法(送审稿)》、《车身域控制器通用功率驱动装置测试规程(送审稿)》两项团体标准审定会。比亚迪汽车工业有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)等12家起草单位共23位代表参加审定会议，审查组一致同意两项团体标准通过审定。　　在现代汽车制造领域，随着智能化和电气化技术的不断进步，汽车内部的功能系统变得越来越复杂，因此引入了域控制(Domain)架构，将汽车功能划分为动力域、底盘域、车身域、座舱域和自动驾驶域，各由专门的域控制器(Domain Controller)管理。然而，这种划分导致车身布线复杂，随着汽车电子部件数量增加，往往由于缺乏统一标准而导致兼容性问题，对系统可靠性带来了不少挑战。　　为解决这些问题，推动国产汽车行业发展，制定相关控制系统标准尤为重要。11月5日，纳芯微作为起草单位之一，参与了由深圳自动化学会组织的《车身域控制器场效应管负载能力试验方法(送审稿)》和《车身域控制器通用功率驱动装置测试规程(送审稿)》两项团体标准的审定会议。此次会议严格遵循《团体标准管理规定》的相关要求，旨在推动汽车行业的技术标准化与创新发展。　　本次团体标准审定会汇聚了来自学术界与产业界的权威专家，包括深圳市鹏城技师学院先进制造学院原院长、高级工程师李云峰，哈尔滨工业大学(深圳)机电工程与自动化学院执行院长楼云江教授，澳门科技大学工程科学系主任、澳门系统工程研究所伍乃骐教授(IEEE Fellow)等多位知名学者与行业领袖。会议由李云峰担任专家审查组组长，深圳自动化学会秘书长贺艳萍主持。　　纳芯微参与了此次线上与线下结合的审定会议。《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》旨在通过科学有效的测试方法，确保车身域控制器中的场效应管能够稳定承受实际工作负载，提升汽车控制系统的可靠性。《车身域控制器通用功率驱动装置测试规程》则致力于规范功率驱动装置的设计与性能评估，推动产品质量提升及技术创新。　　专家组认为：经过对两项团体标准的逐条讨论与细致审查，起草单位提交的标准文档资料齐全，编制过程规范，技术定位准确，框架合理，内容完整且具有可操作性。审查组一致同意两项团体标准通过审定，并建议起草单位根据审定意见进行进一步修改完善，以尽快形成标准报批稿上报并发布实施。　　作为汽车芯片标准体系建设研究工作单位之一，纳芯微也积极参与《汽车芯片环境及可靠性通用规范》、《电动汽车用功率驱动芯片技术要求及试验方法》、《汽车LIN收发器芯片技术要求及试验方法》等多项国家标准、行业标准的起草和修订，与行业伙伴共同推动汽车电子等行业的质量提升和技术创新。纳芯微致力于成为汽车产业首选的供应链合作伙伴，以系统级理解、整体解决方案、多年车规芯片量产经验和稳定的质量表现，助力汽车客户提升差异化竞争力，共赢市场机遇，共赴绿色可持续的电动化未来。
2024-11-21 13:44 阅读量：309
纳芯微联合芯弦推出NS800RT系列实时控制MCU
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　　纳芯微今日宣布联合芯弦半导体(ChipSine)，推出NS800RT系列实时控制MCU。该系列MCU凭借更加高效、功能更强大的实时控制能力和丰富的外设，使工程师能够在光伏/储能逆变器、不间断电源、工业自动化、协作机器人、新能源汽车大/小三电、空调压缩机等系统中，实现皮秒(万亿分之一秒)级别的PWM控制，从而显著提升系统运行精度和效率。　　NS800RT系列实时控制MCU的首发型号包括NS800RT5039，NS800RT5049和NS800RT3025，分别采用单颗主频为260MHz和200MHz的Arm Cortex-M7内核，支持分支预测、DSP指令集和FPU。NS800RT系列还配备了256KB SRAM，32KB高速缓存(I-Cache, D-Cache)和最高256KB的超大紧耦合内存(ITCM, DTCM)，通过更快的读写速度，显著提升了内核综合处理性能。该系列器件符合车规AEC-Q100认证标准，支持汽车ISO26262 ASIL B与工业IEC61508 SIL2等级的功能安全，并且内设AES-128/256和TRNG算法，进一步提升了信息安全。　　集成数学加速核，显著提升DSP性能　　除了搭载Arm Cortex-M7内核外，NS800RT系列的一大亮点是额外集成了一个支持浮点运算的硬件数学加速核(eMath)，相比通用Arm Cortex-M7的数学运算能力，在三角函数、开方、指数、对数、傅里叶变换(FFT)、矩阵运算、FIR滤波等数字信号处理运算中有大幅算力提升。　　丰富的外设支持，实现超高精度PWM控制　　NS800RT系列实时控制MCU集成了丰富的外设，包括16对互补/32路独立PWM输出，其中高精度HRPWM有16路;3个12位ADC，采样速率高达5MSPS，INL和DNL低至±1.5LSB，支持高达34个采样通道;2个12位DAC，采样速率1MSPS，INL低至±1.5LSB;7对(14个)高速模拟比较器CMPSS，带DAC与斜波发生器;3路放大倍数可编程的差分输入运放(PGA);8个Sigma-Delta滤波器模块(SDFM)输入通道;以及两个全温度范围内精度可达±1%的高精度时钟。　　在一系列高精度外设的加持下，NS800RT系列可实现100皮秒的高精度PWM控制，从而支持各种对高效率、高细分、高控制精度应用的需求，更加适配基于SiC和GaN功率器件打造的数字电源和电机控制系统。　　完善的技术资源，加速用户上手和开发　　纳芯微和芯弦联合推出了一系列技术资源和开发套件，以帮助用户快速上手并进行系统开发，包括全面的SDK开发套件;支持KEIL，IAR，GCC/Eclipse的IDE工具链;系统评估板等各种软硬件支持。相关技术资料可联系邮箱sales@novosns.com获取。　　NS800RT系列实时控制MCU选型　　NS800RT系列实时控制MCU首发型号NS800RT5039，NS800RT5049和NS800RT3025分别提供工规和满足AEC-Q100 Grade 1认证的车规版本，具体选型如下。
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