近日,台积电在美国举办了“2024年台积电北美技术论坛”,披露其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维集成电路(3D IC)技术,凭借此领先的半导体技术来驱动下一代人工智能(AI)的创新。
据了解,台积电在此次的北美技术论坛中,首度公开了台积电A16(1.6nm)技术,结合领先的纳米片晶体管及创新的背面供电(backside power rail)解决方案以大幅提升逻辑密度及性能,预计于2026年量产。
台积电还推出系统级晶圆(TSMC-SoWTM)技术,此创新解决方案带来革命性的晶圆级性能优势,满足超大规模数据中心未来对AI的要求。
据介绍,A16将结合台积电的超级电轨构架与纳米片晶体管,预计于2026年量产。
超级电轨技术可以将供电网络移到晶圆背面,为晶圆正面腾出更多空间,从而提升逻辑密度和性能,让A16适用于具有复杂信号布线及密集供电网络的高效能运算(HPC)产品。
台积电表示,相较于N2P制程,A16在相同Vdd(工作电压)下,速度增快8-10%,在相同速度下,功耗降低15-20%,芯片密度提升高达1.10倍,以支持数据中心产品。
除了A16外,台积电还宣布将推出N4C技术,N4C延续了N4P技术,晶粒成本降低高达8.5%且采用门槛低,预计于2025年量产。
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