方案优点:本方案采用2级防护,节约空间,提供大浪涌器件前级保护,适合印度东南亚市场。后级采用DFN1006-3双路器件防静电,满足IEC61000-4-2,接触放电8KV,空气放电15KV。
备注:ESD选型原则:
1、选择合适的封装;
2、TVS的击穿电压大于电路的最大工作电压;
3、选择符合测试要求的功率;
4、选择箝位较小的。
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型号 | 品牌 | 询价 |
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MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
型号 | 品牌 | 抢购 |
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BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BP3621 | ROHM Semiconductor |
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