罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

Release time:2024-05-17
author:AMEYA360
source:罗姆
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  随着向无碳社会的推进以及能源的短缺,全球对可再生能源寄予厚望,对不断提高能源利用效率并改进逆变器技术(节能的关键)提出了更高要求。而功率元器件和模拟IC在很大程度上决定了逆变器的节能性能和效率。通过在适合的应用中使用功率元器件和模拟IC,可以进一步提高逆变器的功率转换效率,降低工业设备的功耗,从而实现节能。本文将为您介绍在新型逆变器中应用日益广泛的先进功率元器件模拟IC的特性及特点。

  什么是具有节能效果的逆变器?

  逆变器是用来将直流电(DC)转换为交流电(AC)并有效地提供所需电力的设备。使用效率高的逆变器,可以更大程度地提高设施和设备的性能并降低能耗。

  提到逆变器,很多人通常可能会认为它是在FA应用中用来控制电机的技术,或者用来使电泵、风门、风扇、鼓风机、空调等平稳运行的技术。其实,有效地转换电能也是逆变器的一个主要用途,是使工业设备更节能的关键技术。特别是在追求无碳社会和碳中和的进程中,太阳能发电设施中使用的光伏逆变器市场和充电桩市场不断增长,从而对具有出色能量转换效率的逆变器的需求也日益高涨。接下来将围绕逆变器的功率转换进行具体说明。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  逆变器及其相关的功率元器件解决方案在促进包括太阳能发电系统在内的各种工业设施和设备的节能和效率提升方面发挥着核心作用。另外,逆变器的高效运作高度依赖于半导体技术的进步。通过使用先进的半导体,可以使逆变器更高效、更稳定地工作。此外,还可以延长设备的使用寿命,先进半导体产品能够带来诸多好处。

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  为什么必须要使逆变器更加节能?

  逆变器本身已经不是一项新技术,大家所用的设施和电气设备中都有可能配有逆变器。然而,如今对使用中的设施和设备中的逆变器进行改进的需求越来越多。

  其主要原因之一是制造现场的用电量增加。目前,很多生产设施的自动化和智能化程度都越来越高。尽管单台设备都更加节能,但从设施整体看,用电量却在增加,这种情况屡见不鲜。要想更大程度地发挥出设施的节能性能,逆变器也需要具备相应的性能。

  另一个主要原因是设备电压提升以及对设备小型化、轻量化的要求提高。例如,在太阳能发电设施中,电压越来越高,功率调节器却越来越小、越来越轻,这就要求作为功率转换设备的逆变器能够满足这些需求。

  功率元器件是提高逆变器节能效果的关键所在

  使用逆变器进行功率转换时,大约有90%的功率损耗是由功率元器件造成的。

  因此,可以毫不夸张地说,功率元器件的性能决定了逆变器的性能。

  在工业设备领域,以往主流的Si功率元器件正在被SiC功率元器件GaN功率器件快速取代。在逆变器领域也呈现同样的趋势。

  那么,应该如何为逆变器选择合适的功率元器件呢?

  事实上,并不是仅仅更换为新的SiC元器件或GaN器件即可解决问题。这是因为设施的规模和需求不同,相应的解决方案也会不同。根据设施需求和用途选择合适的功率元器件解决方案,就可以实现性价比更高和能量转换效率更出色的逆变器,从而通过逆变器实现节能。

  例如,ROHM的功率元器件产品群具有以下特点:

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  解决不同课题和困扰的各种半导体产品的特点及优势

  理想的功率元器件解决方案会因逆变器的用途和需要解决的问题和困扰而有所不同。那么,具体而言,哪些需求更多呢?如果分得太细,涵盖的范围将非常广,所以在这里仅介绍具有代表性的需求以及相应的理想功率元器件解决方案。

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  1. 希望优先提高转换效率

  当希望优先提高转换效率、提高发电量时,建议采用SiC MOSFETSiC SBD等SiC器件。SiC器件具有耐压高、导通电阻低和开关速度快的优异特性,因此用SiC器件替代Si器件可以提升转换效率,有助于提高发电量。

  例如,当要通过家用光伏逆变器提高平均照度下的发电量时,用SiC器件替代Si器件可将发电量提高3.4%左右,即1kW~2kW时的发电能力预计可改善约45W(全年210kWh)*。另外,对于支持高电压和大电流的逆变器的需求也与日俱增。

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  *发电5kW时约为130W(全年570kWh)。

  2. 希望既能提高转换效率,又能降低成本

  既希望提高转换效率,又希望降低成本。Hybrid-IGBT可以满足这样的需求。Hybrid-IGBT是在传统IGBT的反馈单元(续流二极管)中使用了ROHM低损耗SiC SBD的Hybrid型IGBT,与传统的IGBT相比,可以大大降低导通时的开关损耗。

  该系列产品非常适用于诸如电动汽车(xEV)中的车载充电器和DC-DC转换器、太阳能发电系统中的光伏逆变器等处理大功率的工业设备和汽车电子设备,具有功率损耗低于Si器件、成本效益优于SiC器件的优点。

  另外,对于太阳能发电设施中使用的逆变电路、图腾柱PFC电路和LLC电路,建议使用融入了Super Junction技术的PrestoMOS™。PrestoMOS™通过采用ROHM专利技术,同时实现了业界超快反向恢复时间和原本难以同时实现的低导通电阻,与同等的普通产品相比,更有助于逆变器节能。

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  * PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  3. 希望有助于设备的小型化和轻量化

  不仅要求设备的节能性能出色,还希望设备的体积更小。尤其是在太阳能发电设施中,分布式系统的普及要求减轻设备重量以降低安装成本,因此相应的产品呈现小型化趋势。针对此类需求,建议采用GaN器件,这种器件在现有的集中式光伏逆变器中作为替代品已经开始普及,是非常适用于微型逆变器的器件。

  GaN器件具有出色的开关特性和高频特性,因而在市场上的应用日益广泛。不仅如此,其导通电阻也低于Si器件,在助力众多应用实现更低功耗和小型化方面被寄予厚望。

  在太阳能发电设施所用的光伏逆变器中,在其MPPT(Maximum Power Point Tracking)和蓄电单元采用GaN器件,与采用SiC器件时相比,可以进一步降低构成电路的线圈部件的电感值(L),从而能够减少绕线匝数、或使用尺寸更细的芯材,因此有助于大大缩小线圈的体积。另外,还可以减少电解电容器的数量,与Si器件(IGBT)相比,所需安装面积更小。ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并一直致力于进一步提高器件的性能。

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  * EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  另一种推荐方法是利用上述第1节中介绍的SiC MOSFET在高温环境下优异的工作特性优势。由于这种器件的容许损耗低,发热量少,因此可通过与合适的外围元器件相结合来减小散热器件的数量和尺寸,从而减轻逆变器的重量。

  模拟IC

  与功率元器件一样,电源IC栅极驱动器模拟IC对逆变器的性能影响也很大。电源IC可以控制设备运行所需的电压,是相当于电气设备心脏的重要器件,起到将电压转换为合适的电压并稳定供电的作用。栅极驱动器可以控制MOSFET和IGBT的驱动,通过控制栅极电压来执行ON/OFF开关动作。由于大部分功率损耗发生在开关过程中,因此栅极驱动器对于提高节能性能而言是非常重要的器件。栅极驱动器不仅适用于使用大电流的工业设备,还适用于要求高耐压的应用。

  电源IC

  对于逆变器用的电源IC,推荐采用内置SiC MOSFET的电源IC。这种产品已经将SiC MOSFET内置于电源IC中,应用产品无需进行SiC MOSFET驱动电路设计,因此可以大大减少元器件数量,并且可以利用保护电路实现安全的栅极驱动。

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  栅极驱动器IC

  虽然SiC MOSFET和GaN器件的性能很高,但它们的开关控制较难,因此离不开高性能的栅极驱动器IC。ROHM拥有可以更好地驱动上述各种功率器件的丰富的栅极驱动器IC产品群。例如,ROHM开发的GaN用栅极驱动器IC,可以更大程度地激发出GaN的高速开关性能,助力应用产品实现节能和小型化。

  分流电阻器

  在电流检测用途中使用的分流电阻器也是有助于大功率应用产品小型化的重要元件。随着应用产品的功率越来越高,对于能够处理大功率且阻值低的分流电阻器的需求也不断增长。

  分流电阻器的亮点在于其优异的散热性能和出色的温度特性。ROHM的产品阵容中包括支持高达4W~10W级额定功率的低阻值分流电阻器GMR系列,使用该系列产品,即使在大功率条件下工作也能实现高精度的电流检测,有助于设备的安全运行以及节能和小型化。

  总结

  为提高能源利用率,逆变器技术正在突飞猛进地发展,并已成为包括工业应用在内的各种能源设备不可或缺的组成部分。利用这项技术,可以通过将直流电转换为交流电并根据需要优化供电,来减少能源浪费并延长设施和设备的使用寿命。另外,通过使用符合应用需求和目的的理想半导体解决方案,可以进一步提高逆变器的功率转换效率。ROHM通过推动先进功率元器件和模拟IC在逆变器中的应用,来促进各种设备的节能,从而为实现可持续发展社会贡献力量。

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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升
  数字化转型(DX)和AI的迅猛发展,为社会带来了巨大的便利,而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。  为了助力解决这一社会课题,罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势,更大程度地提高服务器能效当作使命。其中,服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升,以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能,是实现无碳社会的重要课题。  从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件,到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件,罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体,为客户提供前瞻性的解决方案。  罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求,同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。  AI服务器主板(Server Board)  随着生成式AI的普及和数字化转型的加速,现代服务器面临着前所未有的算力需求,以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE),从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型,以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。  罗姆利用多年积累的高效电源IC技术,结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET,为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术,大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度,助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。  电源供应单元(PSU)  罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路,可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群,助力应用产品大幅提升效率。另外,针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途,可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群,可将导通损耗降至超低水平。当然,罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。  在这些种类繁多的产品群基础上,罗姆还可提供系统层面的综合解决方案,其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。  备用电池单元(BBU)  在BBU(备用电池单元,用来在电源异常时保护数据)设计中,能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品,助力BBU的小型化和可靠性提升。  此外,在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中,能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器,对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET,可满足其严苛要求,并可提高系统的可靠性和稳健性。  罗姆不仅提供这类元器件级解决方案,还针对多样化的电源架构,提供满足从传统的12V/50V级电源,到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
2026-04-15 13:05 reading:458
罗姆热插拔控制器(HSC)解决方案,满足 AI 服务器多样化需求!
  在上一篇中,我们详细解读了罗姆适配 800VDC 20~33kW 级电源单元的全套解决方案,而 AI 服务器的高效、稳定运行,除了核心电源单元,热插拔控制器(HSC) 也是供电系统中保障设备可靠性的关键部件。针对 AI 服务器高功率升级下对 HSC 的新需求,罗姆打造了专属的热插拔控制器用全套产品,包含核心 MOSFET、配套电阻及控制器 IC,精准匹配高电流、宽安全工作区的应用场景,以下为核心产品详情。  服务器热插拔控制器与罗姆产品  热插拔控制器是 AI 服务器供电系统的关键保护部件,核心作用为:在电源导通状态下插拔供电模块时,有效防止浪涌电流瞬间施加在元器件上,避免器件因电流冲击损坏,从而提升整个供电系统的运行可靠性。  罗姆可为服务器热插拔控制器提供全环节产品配套,覆盖浪涌电流抑制、电流检测、控制驱动等核心环节,完美适配服务器 48V 输入供电架构。  针对 AI 服务器HSC对宽 SOA 范围、低导通电阻、高耐压、小型化的核心需求,罗姆专门发售 HSC 用 Nch MOSFET 新品RY7P250BM与RS7P200BM,同时配套 PMR 系列电流检测通用型电阻器,及开发中的 BD12780MUV-LB 12V 热插拔控制器 IC,形成完整的 HSC 产品解决方案。  “RY7P250BM”和“RS7P200BM”产品简介  特点  ⚫ 100V耐压的功率MOSFET ,非常适用于48V热插拔电路  ⚫ 标准8080尺寸封装  ⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))  ⚫ 被美国云平台企业认证为推荐器件 ⚫ 小一号的5060尺寸封装  ⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))  ※截至2025年11月27日 ROHM使用8080封装尺寸100V耐压功率MOSFET调查的数据  两款 Nch MOSFET 可通过热插拔控制器平缓导通,以特定脉宽向电路施加电压和电流,有效抑制浪涌电流的产生;同时搭配罗姆的电流检测电阻与控制器 IC,实现电流的精准监测与器件的智能控制,全方位保障 AI 服务器热插拔过程的安全性与稳定性。  总结  罗姆拥有SiC、GaN、Si及LSI业务 是为数不多的半导体制造商之一, 通过与全球头部企业建立的合作伙伴关系,致力于为AI服务器市场贡献力量。  罗姆可以提供的产品不仅包括以高功率 效率和高功率密度助力降低功耗的SiC、 GaN产品,还包括适用于HSC的Si MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC 等外围元器件,可满足最新AI服务器的多样化需求。罗姆的功率元器件×模拟技术助力满足AI服务器的高电压趋势与节能化需求,为实现应用AI技术的丰富多彩的未来社会贡献力量!
2026-03-26 14:12 reading:573
罗姆适配 800VDC 20~33kW 级电源单元的全套产品解决方案,精准匹配 AI 服务器需求!
  AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级,推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展,对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元,打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案,充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点,精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求,以下为核心方案详情。  适用800VDC 20~30kW级电源单元的解决方案简介  *SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计,核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标,为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件,充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。  高效率:各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)  高功率密度:现行 PSU 标准为 100W/in³,而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³  AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架),机架母线为 800V DC,经电源侧架、IT 机架功率转换后,输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘,具体解决方案如下表:  注:SIM 基于 PLECS® 仿真,仅计算功率元器件损耗,不含电抗器等外围元器件的损耗  电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压,助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)  第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%,支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行  负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大,可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件  罗姆的 SiC 开发路线图中,功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示,导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%,效率 SIM * 最多降低 33%。  仿真条件:Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz  IT 机架用的 DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  隔离型三相 LLC 拓扑解决方案  IT 机架电源用解决方案,确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题,需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计  将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器  采用三相隔离型 LLC 拓扑  一次侧:推荐使用第 4 代 SiC  推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ  最大额定电压 1200V,ID TBD,导通电阻 11mΩ  封装:TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK  背景:可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  效率 SIM * 达 99% 以上 (~125kHz)  二次侧:推荐使用以下 Si MOSFET  推荐产品 RSS7 系列:RS7N200CH  最大额定电压 80V,ID 295A,1.43mΩ,DFN5060-8S  RSJ2 系列:RJ2N17BCH  最大额定电压 80V,ID 450A,0.86mΩ,TOLL-pkg  背景:推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案,利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势,有效降低开关损耗。  针对高功率密度的 GaN 解决方案  搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC  功率密度:7.8W/cc (129W/in³),LLC 开关频率 100kHz,尺寸:40mm×91mm×700mm  通过将开关频率提升至 500kHz,实现变压器等外围元器件的小型化,通过级联结构分担一次侧和变压器的电流,可提高效率  功率密度:15W/cc (246W/in³),LLC 开关频率 500kHz,尺寸:40mm×55mm×605mm  行业标准功率封装产品部署  提供行业标准封装产品群,通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应,并提升表面散热和模块性能。  针对不同拓扑电路搭配对应封装模块:  Vienna 双向开关电路:DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs  PSU 隔离型三相 LLC 一次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs  HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块  PSU 隔离型三相 LLC 二次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs  罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中,其他封装请另行咨询),含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装,SiC 产品专用模块封装为 DOT-247,封装类型分为插装型与表贴型,具体适配如下:  同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。  以上为罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案,解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统,还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定,后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
2026-03-20 16:41 reading:644
AI 服务器扛不住了!电力瓶颈迫在眉睫,罗姆携 800VDC 方案破局
  当下AI的应用越来越广,从日常的智能问答到大企业的数据分析、算力运算,背后都离不开AI服务器的支撑。但随着算力需求一路飙升,AI服务器也遇到了一个核心难题——耗电量太大,传统供电架构根本跟不上。  在2025深圳媒体交流会上,全球知名半导体企业罗姆深度解读了AI服务器市场的最新变化,点出当前行业的电力痛点,还指明了+800V/±400VDC高压直流架构是解决这一问题的关键。今天我们就来聊聊,AI服务器的电力难题到底有多严重,行业又为何集体选择升级到800VDC架构。  AI服务器功耗翻几倍,电力成了算力“拦路虎”  别看AI用起来方便,背后的AI服务器可是十足的“电老虎”。和我们常见的通用服务器比起来,两者的耗电量完全不是一个量级。  根据罗姆的实际调研数据,一台通用服务器的功耗大概在600W,而一台AI服务器的功耗直接冲到了3000W,是通用服务器的5倍还多。现在各大数据中心都在批量部署AI服务器,这些“电老虎”同时运行,让数据中心的电力消耗呈几何级增长,而耗电量激增带来的连锁影响,也开始全面显现:  电力损耗增加:需要能够提供低电压、高输出功率的大电流。电缆内的电阻损耗导致能源浪费和发热量增加,这意味着大量电力在传输过程中被白白消耗,不仅不划算,还会进一步加剧发热问题;  物理限制:一方面需要承载大电流的粗重铜质电缆,占用大量数据中心空间;另一方面电缆和电源插座、线缆的重量与体积大幅增加,让数据中心的空间、重量承压能力达到极限,传统架构实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题,电源插座、线缆等也必须彻底改进;  散热设计压力:电力消耗和功率损耗会直接转化为热能,海量AI服务器运行产生的高热量,迫使数据中心必须构建高效的液体冷却系统,否则设备易因高温宕机,而液体冷却系统的部署和运维成本也随之攀升;  可扩展性的极限:以往的架构要实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题,电源插座、线缆等也需要改进,无法适配未来AI服务器算力持续提升的需求,扩容难度和成本大幅增加;  运营成本增加:数据中心运营成本中近六成是电费,耗电量增加和功率损耗导致的成本上升,直接让企业的长期运营压力翻倍,电力成本成为数据中心最主要的支出项之一。  电力供应不仅关系着数据中心的运营成本,更直接影响AI算力的释放——如果供电跟不上,再强的算力也无从发挥。如何让电力更高效地支撑AI运算,成了整个行业都要解决的问题。  GPU功耗一路猛涨,传统服务器机架摸到了“天花板”  AI服务器的高功耗,核心原因在它的“心脏”——GPU(图形处理器)。作为AI运算的核心部件,GPU的功耗正以肉眼可见的速度飙升,直接让传统的服务器机架扛不住了。  从英伟达的产品发展路线就能清晰看到这个趋势:GPU的热设计功率(简单说就是芯片的功耗上限),从之前H100的700W,涨到B200的1200W、B300的1400W,未来还会突破3600W。而且为了跟上AI算力的需求,英伟达还把GPU的升级周期从两年缩短到了一年,算力提升的同时,功耗压力也跟着翻倍。  功耗飙升带来的问题一连串:传统架构要给GPU供大电流,就得用粗重的铜电缆,不仅占空间、增加数据中心的重量,还让硬件成本大幅上升;电缆传输大电流时,会因为电阻产生损耗,既浪费电能,又会发热,让数据中心的散热难题雪上加霜。  说到底,传统的低电压供电方式,已经跟不上GPU的功耗增长了,服务器机架的空间、电力承载能力都到了极限,供电架构升级已经迫在眉睫。  行业达成共识!800VDC高压架构成最优解  面对这个绕不开的电力难题,全球科技企业都在找解决办法,而+800V/±400VDC高压直流架构,成了大家公认的最优解。  这个架构的推出,背后有两大重量级阵营推动:一边是微软、Meta、谷歌等企业联合发起的开放计算项目,提出了±400VDC的标准;另一边是英伟达主导的800VDC标准,两大阵营一起定下了下一代AI服务器的供电核心方向。  为什么800VDC能解决传统架构的痛点?核心就是它有五大优势,从效率、成本、扩展性等方面全方位优化,精准破解了耗电量激增带来的各类问题:  1.扩容更轻松,从100kW到1MW无缝衔接  基于800VDC架构,数据中心不用大规模改造原有电力设施,就能实现从100kW到1MW以上的机架功率部署,完美突破传统架构的可扩展性极限,不管是现在的AI服务器,还是未来更高算力的设备,都能适配,实现无缝扩容。  2.效率更高,端到端电力利用率提升5%  和目前主流的54V供电系统比,800VDC架构的端到端效率能提升5%。别看只是5%的提升,在海量AI服务器长期运行的情况下,能大幅降低电缆电阻带来的电力损耗,减少发热量,同时省下大量电能,大幅降低数据中心的能耗成本。  3.减少铜材使用,省钱又减损耗  800VDC架构能显著降低数据中心骨干网的电流,对应的电缆就能更细,直接减少了铜材的使用量,降低硬件成本;同时电流变小,电缆的电阻损耗也会减少,从根源上缓解能源浪费和发热问题,不用再依赖超粗的铜质电缆,也解决了数据中心的空间与重量问题。  4.更可靠,破解散热与维护的麻烦  传统的服务器机架电源,为了防止停机,往往要多装备用模块,不仅占空间,还得频繁维护、更换故障模块;800VDC架构可以把功率转换模块移到机架外,从根本上解决机架内的散热难题,无需构建复杂的液体冷却系统,同时降低了运营成本中电费的占比,在成本和长期可靠性之间找到最优平衡。  5.适配未来,能支撑超高功率机架  800VDC架构从设计之初,就瞄准了未来1MW超高功率机架的需求,为后续AI算力的持续提升预留了充足的空间,不用因为算力升级再反复改造供电架构,也能轻松应对未来更高功率密度的部署需求。  明日预告电源单位迎升级,半导体厂商迎来新挑战  AI服务器向800VDC架构升级,直接带动了核心部件电源单元(PSU)的高电压化变革,这也给半导体制造商带来了新的市场需求和技术挑战。  从目前的情况来看,主流的电源单元功率是5.5kW/个,一层机架能到33kW;升级后的产品已经涨到12kW/个,一层机架72kW;而随着800VDC架构落地,下一代电源单元会全面贴合新的行业规范,朝着更高功率、更高效率、更小体积的方向发展。  这对半导体器件的要求也变得更高:需要能扛住800VDC高压、适配大电流,同时还要耗电少、开关速度快、体积小。简单说,AI服务器的供电升级,本质上是半导体技术的比拼,谁能做出适配800VDC架构的核心器件,谁就能抓住行业机遇。  后文预告  800VDC高压架构的升级浪潮已经来了,半导体厂商该如何接招?罗姆作为功率半导体领域的老牌企业,早已提前布局,不仅推出了适配800VDC20~33kW级电源单元的全套解决方案,还和头部电源厂商深度合作,甚至推出了专属的热插拔控制器产品。  接下来,我们就来详细说说,罗姆到底拿出了哪些硬核技术,破解AI服务器的供电难题,成为行业升级的核心助力!
2026-03-20 16:39 reading:648
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