研究机构指出,预计2024年台积电CoWoS月产能将达到4万片,明年年底进一步实现翻倍。不过随着英伟达B100、B200芯片推出,但由于硅中介层面积增加,12吋晶圆切出数量减少,台积电CoWoS产能持续供不应求。
芯片变大
集邦咨询预估英伟达推出的 B 系列(包括 GB200、B100、B200),将消耗更多的 CoWoS 封装产能。
据悉,台积电增加了 2024 年全年的 CoWoS 产能需求,预计到年底月产能将接近 4 万片,相比 2023 年的总产能增长超过 150%。2025 年的总产能有可能增长近一倍。
不过英伟达发布的 B100 和 B200 芯片,中间层面积(interposer area)将比以前更大,意味着 12 英寸晶圆切割出来的芯片数量减少,导致 CoWoS 的产能无法满足 GPU 需求。
HBM
业内人士表示 HBM 也是一大难题,采用 EUV 层数开始逐步增加,以 HBM 市占率第一的 SK 海力士为例,该公司于 1α 生产时应用单层 EUV,今年开始转向 1β,并有可能将 EUV 应用提升 3~4 倍。
除技术难度提升外,随着 HBM 历次迭代,HBM 中的 DRAM 数量也同步提升,堆叠于 HBM2 中的 DRAM 数量为 4~8 个,HBM3/3E 则增加到 8~12 个,HBM4 中堆叠的 DRAM 数量将增加到 16 个。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注