类比半导体推出36V超低输入偏置电流高性能通用运算放大器

Release time：2024-07-02
author：AMEYA360
source：类比半导体
reading：270

　　在精密信号处理领域，每一次技术创新都意味着性能的飞跃与应用的拓展。上海类比半导体技术有限公司(以下简称“类比半导体”)凭借其在模拟及数模混合芯片设计领域的深厚积累，今日正式宣布推出其全新OPJ301x系列超低输入偏置电流高性能通用运算放大器。该系列产品以其超低偏置电流、卓越的直流精度和宽泛的工作电压范围，在医疗设备、手持精密测试设备以及自动化量产测试设备等高精度信号处理场景中展现出色性能，适用于多种高精度应用需求。

类比半导体推出36V超低输入偏置电流高性能通用运算放大器

　　产品介绍

　　OPJ301x系列在常温下的典型输入偏置电流为1.5fA，全温范围内的最大偏置电流不超过100pA，表现出其在电流控制上的精确度。

　　OPJ301x系列支持轨到轨输入输出，常温下的输入失调电压极低，仅为100μV，同时具备146dB的高CMRR。作为差分放大器配置时，该系列提供出色的初始精度和轨到轨输出，适用于单电源供电的便携式设备等应用。

　　OPJ301具有2.5MHz的带宽，结合其卓越的直流性能，非常适合用于有源滤波器电路。在增益为1的条件下，OPJ301能够稳定驱动高达600pF的容性负载。该型号适用于多种电路设计，提供小尺寸封装以减少PCB使用面积，降低设计成本。

　　OPJ301的封装类型包括DIP-8、SOIC-8、MSOP-8和SOT23-5;OPJ3012为2通道版本，提供DIP-8、SOIC-8和MSOP-8封装。所有版本的工作温度范围为-40°C至+125°C。

类比半导体推出36V超低输入偏置电流高性能通用运算放大器

　　产品特征

　　供电电压范围：2.7V-36V

　　低静态电流：550uA typ

　　支持轨到轨输入输出

　　输入偏置电流：1.5fA typ, 100pA max at -40C-125C

　　输入偏移电压：±5uV typ，±100uV max

　　输入偏移电压温漂：±0.6uV/C

　　电源抑制比：136dB typ

　　共模抑制比：146dB typ

　　带宽：2.5MHz

　　低噪声：17nV/√Hz

　　工作温度范围：-40-125C

　　封装：SOT23-5/DIP-8/SOIC-8/MSOP-8

　　典型应用框图

类比半导体推出36V超低输入偏置电流高性能通用运算放大器

　　样片申请与咨询

　　OPJ301x系列现正开放免费样片申请。如有意向了解详情或获取样片，请通过以下联系方式与我们取得联系：

　　邮箱：amall@ameya360.com

　　座机：021-34792258

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类比半导体与中石化物探院携手共筑国产化创新高地
企业动态

类比半导体与中石化物探院携手共筑国产化创新高地

　　联合实验室揭牌，开启中国芯研发新篇章　　致力于提供高品质芯片的国内优秀模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”) 与中国石化石油物探技术研究院地球物理软件研究所(以下简称“中石化物探院软件所”)上周在南京正式签署合作协议，共同成立联合实验室，旨在加速国产化模拟芯片的研发与应用，推动中国半导体产业的自主化进程。　　联合实验室成立仪式在中石化物探技术研究院卫岗基地第一会议室隆重举行，中石化物探院副总师兼软件所党支部书记袁晖在致辞中表示：“类比半导体在芯片研发领域展现出的卓越实力，与我们软件所的国产化战略高度契合。我们相信，通过这次合作，能够加速国产化替代进程，共同打造更强大、更自主的半导体产业链。”　　中石化物探院软件所所长宋志翔在发言中详细介绍了本次合作的细节，他说道：“为了验证类比半导体ADC的采集性能，我们将其与5G智能节点仪结合，对地震数据进行了对比测试。测试结果令人振奋，类比节点的ADC在高频和低频信号处理中展现出了卓越的敏感度，性能与国际知名品牌相当，甚至在某些指标上表现更为出色，这标志着国产ADC在性能上已达到国际先进水平。”　　类比半导体自成立以来，始终致力于高端芯片的研发与生产，其ADX82X系列32bit超高分辨率ADC凭借超宽动态范围、超低总谐波失真及卓越的共模抑制比等性能参数，已在全球范围内赢得了客户的高度认可。该系列芯片不仅适用于地震监测、能源勘探，还广泛应用于高精密测量仪器，为地震数据的高精度采集提供了坚实的技术保障。　　此次战略合作，不仅标志着类比半导体在国产化芯片道路上的重要里程碑，更是中国半导体行业迈向自立自强的坚实步伐。联合实验室的成立，不仅将加速类比半导体在高端芯片研发与生产领域的突破，更将推动中国在关键核心技术上的自主创新能力。双方的合作，体现了中国科技企业面对全球科技竞争的新格局，勇于承担起国家赋予的历史使命，以实际行动践行“高水平科技自立自强”的国家战略。　　类比半导体作为国内领先的半导体企业，始终坚持自主创新，推动国产化替代进程。而中石化物探院软件所作为国内石油勘探领域的权威研究机构，拥有深厚的科研底蕴和丰富的行业经验，其在地震监测、能源勘探等领域的技术需求，为国产芯片提供了广阔的市场空间和应用前景。双方的强强联合，不仅将加快国产化模拟芯片的研发进程，更将促进中国在高端芯片领域的技术积累和产业升级。　　在当前国际形势复杂多变，全球供应链不稳定的大背景下，中国半导体行业面临着前所未有的挑战与机遇。类比半导体与中石化物探院软件所的合作，不仅彰显了中国科技企业迎难而上的决心和勇气，更为国内半导体产业链的自主可控和健康发展注入了强劲动力。未来，双方将携手并进，共同探索前沿技术，深化产学研用协同创新，为我国半导体行业的繁荣发展贡献力量，向着“科技强国”的宏伟目标稳步迈进。　　关于中石化物探院软件所　　中石化石油物探技术研究院地球物理软件研究所是中国石化旗下专注于地球物理勘探技术研发的权威机构，拥有雄厚的技术力量和丰富的实践经验，致力于推动石油勘探技术的创新发展。　　关于类比半导体　　类比半导体是一家模拟及数模混合芯片和解决方案供应商，公司成立于2018年，由一批来自于国际顶尖半导体公司的本土工程师创建。公司总部位于上海，在上海张江、临港、苏州、深圳、西安、北京分别设有研发和技术支持中心。公司专注于汽车智能驱动、信号链、电源管理、MCU/DSP等领域的芯片设计，产品主要面向汽车、工业、通讯、医疗等市场。类比致力于为客户提供高品质芯片，为世界科技化和智能化发展提供最底层的芯片支持。
2024-06-24 11:16 reading：356
类比半导体 | 深耕行业基石，携手共创未来
行业新闻

类比半导体 | 深耕行业基石，携手共创未来

　　在全球半导体行业的洪流中，挑战与变革并行不悖，类比半导体以不变的创新初心，成为众多行业巨擘信赖的同行者。　　近期，我们有幸迎来了数位业界翘楚的莅临审核，其中包括国内知名新能源汽车制造商、传统汽车零部件供应商以及智能家居行业的领军企业。这些客户在各自的行业中均占据举足轻重的地位，无不是各领域的领航者。在这些审核的见证下，类比半导体的品质与创新实力得以再度彰显，为深度合作奠定了坚实的基础。　　实验室实力展示：严谨验证，铸就品质基石　　在类比半导体，我们的质量政策是坚持最高标准，追求卓越品质。我们积极响应质量兴国战略，以客户为中心，通过全员参与和深入倾听市场的声音，不断推动产品性能向卓越迈进。　　在这次审核中，为了更好地展现类比半导体在质量保证上的硬核实力，我们向来宾特别介绍了位于公司内部的近1000平方米的测试与可靠性实验室。　　类比实验室包含 ATE 实验室，Bench 实验室和可靠性实验室，其中可靠性实验室被国家CNAS (ISO/IEC 17025:2017) 认可 , 认可的检测能力包含 THB, HAST，HTSL，TC，HTOL 测试，拥有完善的体系和规范，保证产品可靠性测试的科学公正，以及测试结果的准确有效性。具备 CNAS 认证的实验室可以出具AEC-Q100 可靠性报告。      实验室购置了不同量产测试机平台以及三温分选机，高低温冲击机等，测试硬件和程序全自主开发，不断迭代优化，保障产品验证及量产的品质和时效。　　深化质量体系，确保零缺陷之路　　在遵循APQP标准的基础上，类比半导体建立了一套基于IATF16949、ISO26262、VDA6.3 (或等同的BIQS等)的管理体系，从供应商准入到生产全过程实施严格监控。我们的质量管控覆盖了从设计到生产的每一个环节，包括六西格玛管理、功能安全设计、项目集成管理等，以及定期的内部审核与持续改善措施，确保质量目标的达成。　　客户导向，持续迭代优化　　审核过程中，客户代表们对我们的研发实验室给予了高度赞誉，特别是我们对汽车智能驱动等关键技术的深入研究及快速市场转化能力。实验室内的Bench测试、可靠性测试、系统验证、应用验证等多个专业团队，由超过15年行业经验的专家领导，确保了产品的全方位验证，包括功能、性能、极限条件下的鲁棒性及长期稳定性。
2024-05-24 13:14 reading：564
类比半导体荣膺“2024汽车芯片优秀供应商”大奖
企业动态

类比半导体荣膺“2024汽车芯片优秀供应商”大奖

　　在刚刚闭幕的2024北京国际汽车展览会上，类比半导体凭借其在汽车芯片领域的卓越贡献与创新成就，从众多竞争对手中脱颖而出，荣获由中国电子报权威颁发的“2024汽车芯片优秀供应商”大奖，成为仅两家获此殊荣的企业之一。　　这一荣誉不仅是对类比半导体技术创新力的高度认可，更是“中国芯”崛起于全球汽车半导体舞台的有力证明。　　“汽车芯片编辑选择奖”作为中国电子报在北京车展期间设立的专业评选活动，旨在表彰在汽车芯片设计、技术创新、市场应用等方面表现突出的企业，为行业树立标杆。该奖项的评选过程严格，结合了企业自荐与编辑推荐，通过多维度综合评审，包括但不限于技术领先性、产品创新点、市场竞争力等关键指标，确保了获奖者的行业地位和实际贡献。　　今年，该奖项尤为引人注目，因为汽车芯片已成为推动汽车产业转型升级的核心要素。在全球范围内，随着汽车电子化、智能化的加速发展，汽车芯片的需求量激增，对供应商的综合实力提出了前所未有的挑战。在此背景下，“汽车芯片优秀供应商”奖项的获得，不仅代表了获奖企业在技术创新、产品质量、市场占有率等方面的卓越表现，也意味着类比半导体自主研发的高性能、高可靠的汽车芯片在复杂多变的供应链环境中具备了强大的适应性和影响力。　　自2018年成立以来，类比半导体迅速成长为模拟及数模混合芯片领域的佼佼者，其研发及技术支持中心遍布上海、苏州、深圳、西安、北京等地，汇聚了大批具有国际视野的本土精英，核心团队平均拥有17年以上行业经验。　　近几年来，类比陆续推出高边驱动、马达驱动、模数转换器、电流检测运放、电子保险丝等多个品类的车规级产品，并与国内多家整车企业和一级供应商的深度合作，类比半导体的“中国芯”解决方案已被广泛应用于智能汽车项目中。　　在本届北京车展上，类比半导体车规级产品在“优秀国产汽车芯片互动展墙”及“联盟2号”全尺寸透视冷光车模”上的展示引起了广泛关注。　　参展车规级芯片包括高效驱动器DR703Q、高性能多通道驱动器DR7808Q、集成MOSFET H桥驱动器DR8112Q、创新首发电子保险丝EF1048Q、高边驱动器HD70152Q与HD7008Q等，展现了类比半导体在汽车电子领域的强大实力和技术创新。　　类比半导体坚持高标准的质量控制体系，通过ISO9001、ISO27001、ISO26262，ISO17025(CNAS)等国际认证，配以先进的测试实验室，确保产品品质卓越。　　展望未来，类比半导体将不遗余力地推进汽车芯片技术革新，与产业链伙伴紧密合作，为推动中国汽车产业向绿色化、智能化转型贡献力量，实现“中国芯”在全球汽车产业链中的价值飞跃。
2024-05-13 14:09 reading：712
类比半导体发布车规级eFuse产品EF1048Q
行业新闻

类比半导体发布车规级eFuse产品EF1048Q

　　科技发展日新月异，汽车工业正以前所未有的速度迈向智能化、电气化的新纪元。在这个变革浪潮中，安全、高效、轻量化与集成化的配电保护方案扮演着至关重要的角色。　　革新之作，定义未来标准　　EF1048Q是类比半导体专为汽车配电盒应用设计的创新汽车智能驱动产品，主要应用于汽车一级、二级常电配电系统，集安全性、轻量化与高集成度于一体，旨在为全球汽车制造商提供前所未有的配电保护解决方案。其先进的设计理念与卓越性能，不仅满足现代车辆对复杂电力系统的严苛要求，更前瞻性地契合未来智能出行的发展趋势。　　安全为基，护航每一程　　安全，始终是汽车行业的生命线。EF1048Q集成了熔断曲线的I2t算法来对线束及负载进行保护，精确监测并迅速响应电路异常，确保配电系统的稳定运行。通过高灵活性的SPI接口无缝对接主微控制器，支持实时配置、监测多种系统保护与诊断功能，如欠压保护、过热保护、外部MOSFET热保护、去饱和关断等，助力实现全面的智能监控与故障预警。芯片内置冗余的基准和时钟和全面的芯片系统的监控及自检，支持LIMP HOME功能和纯硬件模式。无论是面对瞬时过载、短路风险，还是长期负载波动，都能提供及时而精准的保护，为驾乘者构筑坚实的安全屏障。　　轻盈身躯，赋能绿色出行　　在汽车行业追求轻量化的大背景下，EF1048Q通过精确的I2t算法，为不同的负载拟合不同的熔断曲线，从而显著减轻了汽车线束的重量，助力整车减重，从而提升燃油经济性或延长电动汽车续航里程。25uA(典型值)的静态电流可以大大降低汽车待机能耗，这些特性无疑顺应了全球节能减排的环保潮流，为实现可持续的绿色出行贡献力量。　　集成智慧，解锁高效集成　　面对日益复杂的汽车电子架构，EF1048Q展现出卓越的集成能力。内置高精度数字电流测量模块和ADC，实时监测热敏电阻器电压、输出电压及Vds电压，确保对温度敏感元件的精确控制，提升系统适应复杂工况的能力。内置Bypass电路可以提供大于200mA以上驱动能力用于常电供电。内置的2级电荷泵可以轻松驱动高侧功率管用于大电流的一级配电，它将多种功能巧妙融合，简化布线，节省空间，降低整体成本，同时提升系统的可靠性和可维护性。这样的创新之举，无疑为汽车工程师们在设计时提供了前所未有的灵活度与自由度。　　功能优化，解决客户痛点　　1) 软启动　　EF1048 内置PWM发生器，在每次芯片上电启动时，会输出一个由低到高占空比的PWM驱动外部MOSFET，进行连续导通模式(CCM)对于外部容性负载进行周期性充电，降负载电压逐步提高，防止对于容性负载开通时由于较大的充电电流损坏外部MOSFET管，或是直接进入短路保护模式而无法开启。如下是1mF负载的启动波形：　　2)Bypass模式下带载能力　　汽车在熄火时需要对有些负载持续供电(常电)，例如KL30, LK15,KLR等。EF1048内置驱动能力更强的MOSFET来满足在Bypass模式下更大的负载电流需求，可以支持额定300mA, 最小200mA的电流能力，提高常电配电能力，同时25uA的静态电流可以降低汽车待机时的能耗，延长停车待机时间，防止亏电。　　3)待机唤醒时间优化　　由于汽车用电环境的复杂多变，电子保险丝经常会在待机和工作模式下的来回切换，同时由于负载需要持续性的电流供电，因此对于待机唤醒时间要求很高。需要在尽可能短的时间内做到通路切换，实现负载供电方式的无缝切换。EF1048自带特殊设计，大大缩短了唤醒时间(37uS), 另外增加了一个增强模式可以将37uS再缩短到24uS, 为目前业界较快的唤醒时间。　　EF1048Q性能参数　　芯片类别：带I2t的电子保险丝　　应用部位：汽车配电　　封装形式：QFN-32　　车规认证等级：AEC-Q100 Grade 1　　工作电压范围：5.5~36V　　最大耐压：40V　　输出负压耐受：-20V　　静态电流：<50uA(max)　　Bypass模式最大电流：>200mA(min)　　唤醒时间：37μs(标准模式)24μs(增强模式)　　通讯方式：32位 SPI, 纯硬件模式　　软起动：CCM　　保护功能： 电源欠压，I2t熔断，外部Mosfet过流，芯片过温　　安全诊断：Limp home，Self-Test，Tj，2路NTC, Vout/VS/V3.3/VDS电压　　封装：QFN-32
2024-04-28 09:20 reading：563
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