ARK(方舟微):耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

发布时间:2024-08-05 11:31
作者:AMEYA360
来源:APK
阅读量:561

  耗尽型MOSFET的基本特性:

  耗尽型MOSFET,与常见的增强型MOSFET不同,它在栅极电压为零时就已经处于导通状态,即沟道已经存在。耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势,包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。其工作原理主要基于电场效应,通过改变栅极电压来控制沟道的导电性,从而实现对电流的精确调控。在稳压及过压保护中主要利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性。

  稳压应用中的优势

  简化电路设计

ARK(方舟微):耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

  图一:耗尽型MOSFET在供电电路中的应用

  耗尽型MOSFET在栅极电压为零即导通,这意味着在某些应用中可以省去额外的驱动电路,从而简化电路设计。例如,在实现PWM IC的VCC供电电路中,传统方法使用三极管、功率电阻和齐纳二极管等多颗器件,但这会导致PCB上的热量过高且效率低下。而采用耗尽型MOSFET的方法,可以用一颗器件代替,节省空间,简化电路,减小功耗。

  宽泛的直流工作电压范围

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  图二:LDO应用电路

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  图三:搭配耗尽型MOSFET应用电路

  耗尽型MOSFET具有宽泛的直流工作电压范围(Vin),这使其在稳压应用中更加灵活。如图二中在线性电压调节器中,输入电压可能来自母线电压,存在较大的电压变化,包括电压尖峰。如图三所示耗尽型MOSFET(DMZ6012E)可以通过源极跟随器配置连接,减少电压瞬变,直至达到器件额定电压VDS的耐受能力。这种配置不仅保护了电路免受浪涌电压的影响,还通过低静态电流实现了最小功耗。

  过压保护应用中的优势:

  耗尽型MOSFET在过压保护应用中表现出色。如图四所示,在这种电路中,耗尽型MOSFET与电阻和稳压二极管相结合,利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性,通过选择合适的稳压二极管,可以设定一个稳定的输出电压值。当输入电压超过该值时,稳压二极管开始工作,将栅极电压钳制在一定水平,从而限制漏极电流,防止过压对后续电路造成损害。这种电路结构简单,成本低廉,适用于需要过压保护的多种场合。

ARK(方舟微):耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

  图四:过压保护电路

  某些耗尽型MOSFET产品具有超高的阈值电压参数,如ARK(方舟微)的UltraVt®系列,这些产品非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中。UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下:

ARK(方舟微):耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

  它们既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求,又能有效抑制电路浪涌,为PWM IC提供过压保护。这种高阈值电压特性使得耗尽型MOSFET在高压及宽电压输出条件下具有更高的可靠性和稳定性。典型应用电路 (以 DMZ1015E 为例)如图五:

ARK(方舟微):耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

  图五:耗尽型MOSFET稳压应用典型电路


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