上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

发布时间:2024-09-09 13:08
作者:AMEYA360
来源:上海贝岭
阅读量:605

  一、概述

  随着新能源汽车的深度普及,用户对公共充电设施的便利性、安全性、智能化程度等方面均提出了更高要求。公共直流充电桩向着更大功率、更高功率密度、更智能化等方向快速演进,作为直流充电桩的核心部件,充电桩电源模块的功率等级和功率密度亦不断提升,从20kW/30kW逐步提高至40kW/50kW及以上,为用户提供更安全、快速的充电服务。

  二、直流充电桩电源模块工作原理及拓扑结构

  直流充电桩的系统结构如图1所示:包括电源模块、控制系统、用户界面、充电线缆等部件。其中电源模块的主要功能是实现电能转换,将电网侧的交流电转换为适合用户需求的直流电,确保稳定、高效地输出。

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  图1 直流充电桩系统组成框图

  直流充电桩电源模块典型结构如图2所示:主要由两级结构组成,包括前级的AC/DC环节,实现功率因数校正,降低谐波,提升电能质量;后级的DC/DC环节,实现宽范围的直流电压输出,满足不同类型电池的充电需求。

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  三相维也纳PFC是直流充电桩电源模块中AC/DC变换器的常用拓扑,如图3所示。电路通过控制Sa、Sb、Sc的通断,来控制PFC电感的充放电。由于 PFC变换器的PF值接近1,可认为电感电流和输入电压同相,三相平衡,各相差120度。

  三相PFC变换器每相包括一个双向开关,双向开关由共源极的开关管相连接,两个开关管共用一个驱动信号,不存在桥臂直通问题,无需设置死区时间,降低了控制和驱动的难度,具有工作效率高、器件电压应力低的优点。

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  三、贝岭BLG80T65FDK7产品介绍

  针对直流充电桩电源模块应用,上海贝岭推出80A /650V IGBT产品BLG80T65FDK7。80A/650V IGBT工艺平台采用第三代微沟槽多层场截止技术,优化了饱和压降和开关损耗,适用于50kHz及以上的高频应用,利于提升系统的功率密度和效率。其工艺特点如图4所示。

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  图4 BLG80T65FDK7-F工艺特点

  BLG80T65FDK7合封全电流FRD,针对三相维也纳PFC电路的特点,通过优化合封二极管的VF值,降低二极管的通态损耗,提升变换器的工作效率。其实物图如图5所示。

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  图5 BLG80T65FDK7-F实物图

  四、贝岭BLG80T65FDK7性能优势

  1、饱和压降Vce(sat)

  对三相维也纳PFC拓扑结构而言,功率器件的通态损耗是其总损耗中占比较大的一个损耗源,降低开关器件的通态损耗是提升变换器工作效率的一个有效手段。作为评估IGBT性能的一个重要指标, 在器件允许的工作温度范围内,BLG80T65FDK7拥有较低的饱和压降,可有效降低IGBT的通态损耗。其Vce(sat)-温度变化曲线如图6所示。

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  图6 Vce(sat)随温度变换曲线

  2、开关损耗

  为减小磁性元器件的体积,提升变换器的功率密度,三相维也纳PFC应用中IGBT的开关频率一般高于50kHz。BLG80T65FDK7在全电流范围内均具备较低的开关损耗,在高频应用场景中,具备更优异的性能。开关损耗对比如图7所示,与竞品相比,BLG80T65FDK7的Eon/Eoff/Etotal值分别下降了约6.7%/6.8%/6.8%。

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  3、反向恢复能力

  Qrr体现了二极管的反向恢复能力。Qrr值低,峰值电流更低,尖峰持续时间更短,因而振铃/谐振减少,利于减少EMI,同时,可进一步提高效率。如图8所示,与竞品相比,BLG80T65FDK7的Qrr值下降了约18%。

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  4、产品竞争力

  基于直流充电桩电源模块的应用需求,BLG80T65FDK7综合考虑器件的各项参数,重点对IGBT的饱和压降、开关损耗及合封二极管的反向恢复能力和VF值进行优化。参数对比如图9所示,同比于竞品器件,重点参数具备优势,可以更好发挥器件性能,助力提升变换器的工作效率和系统的功率密度。

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  五、贝岭功率器件选型方案

  上海贝岭功率器件产品线齐全,包含MOSFET、IGBT等系列产品,为直流充电桩电源模块设计提供助力,欢迎垂询!具体型号参考表1。

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  表1 功率器件选型列表

  贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择,助力更完全、可靠的充电桩设计和应用。具体型号参考表2。

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  一、引言  逆变焊机作为一种先进的焊接设备,在现代工业中占据了重要的地位。与传统的变压器式焊接设备相比,具有诸多优点,如:  高效节能  由于逆变焊机的工作频率很高(通常在20kHz~100kHz),因此它能更有效地利用电能,减少能量损失。  轻便便携  相比传统焊机,逆变焊机体积小、重量轻,易于携带。  焊接性能好  逆变焊机能提供更稳定的电弧,减少飞溅,提高焊接质量。  可调节性强  用户可以根据不同的焊接材料和厚度来调整焊接参数,灵活性更高。  如图1所示,逆变焊机工作原理是先将电网提供的工频交流电转变为直流电,然后通过电子开关(IGBT/MOSFET)将直流电逆变成高频交流电,最后通过整流得到适合焊接工艺要求的电流和电压。  图1 逆变焊机工作方框图  二、逆变焊机拓扑介绍  逆变焊机主电路拓扑已经较为成熟,主要的拓扑有双管正激式、推挽式、半桥式、全桥式等。  图2.1为半桥式拓扑结构。该拓扑由两个功率管组成桥式电路,其对称交替导通有利于变压器完全复位,磁芯利用率高,输出响应快,且半桥分压电容器的存在能够较好抗磁偏。该拓扑广泛应用于中小功率逆变焊机。但在相同功率下,半桥式功率管要承受更大的电流。  图2.2为全桥式拓扑结构。该拓扑由四个功率管组成桥式电路,主要应用于大电流、大功率场合,变压器磁芯利用率高,成本也相应较高。  三、逆变焊机IGBT损耗分析  目前市面上大部分逆变焊机采用的为硬开关电路,电路拓扑如图2.1和2.2,通过测试分析,该应用场景IGBT器件的损耗主要来源于以下四个部分,如图3.1所示:  1、IGBT器件内部合封二极管续流和反向恢复过程损耗Ediode  2、IGBT开启损耗Eon  3、IGBT通态损耗Econ  4、IGBT关断损耗Eoff  如图3.2所示,逆变焊机硬开关应用中,关断损耗Eoff占比最大,其次为导通损耗Econ。  图3.2 IGBT损耗占比  四、上海贝岭650V/80A IGBT产品优势  为适应逆变焊机客户大电流IGBT单管需求,上海贝岭研发推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDK7,助力高效率逆变焊机设计。该器件具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点,可满足客户高效率设计要求。  4.1、器件技术  上海贝岭650V/80A IGBT产品BLG80T65FDK7采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术,进行了特殊工艺控制,优化了VCE(sat)和Eoff参数,提升了产品的可靠性。  4.2、饱和压降VCE(sat)  逆变焊机中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大,影响导通损耗的主要参数为VCE(sat),常温下贝岭BLG80T65FDK7导通压降比竞品低12%,导通损耗比竞品更低。  4.3、关断损耗Eoff  BLG80T65FDK7具有较小的寄生电容,这保证了器件有更高的开关速度,开关频率高达50kHz以上,如图4.2所示,通过测试IGBT的损耗,BLG80T65FDK7关断损耗比竞品低5%。  4.4、系统优势  IGBT开关频率的提高还可以显著提升逆变焊机对电流的控制精度,同时器件损耗的减小,可在大功率输出工况下提升焊机的工作效率,显著降低正常工作时IGBT器件的温升。上海贝岭BLG80T65FDK7基于优异的器件设计,为逆变焊机系统顺利通过温升、输出短路等测试提供了保障。如图4.3,常温自然散热情况下,贝岭BLG80T65FDK7和竞品壳温基本一致,满足客户的需求。  五、上海贝岭功率器件选型方案  上海贝岭功率器件产品线齐全,包含MOSFET、IGBT等系列产品,为逆变焊机主逆变和辅助电源设计提供助力,具体型号参考表1:
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