针对1.5kV光伏逆变器应用系统,芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要,CCi8335在耐压方面进行了全方位优化,采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装,同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术,AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV,VISO=8KVrms;VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk, 动态CMTI>150V/ns; 隔离耐压达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。
产品优势与主要特性
1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器
2、超高耐压 & 高可靠性专利隔离膜技术,远超增强型隔离标准
VIOWM ≥ 2000VRMS
隔离等级高达 8000VRMS
浪涌能力高达 24kVPK
3、共模瞬态抑制:典型值大于±150V/ns
4、输出驱动侧 VCC的最大工作电压 33V
5、UVLO 四档可选(A-5V, B-8V, C-10V, D-12V)
6、具有 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流
7、60ns 典型传播延迟
8、25ns 最大脉宽失真
9、输入级具有 24V 反向电压处理,反向击穿电压 26V
10、多项国家发明专利,超高耐压&可靠性的隔离膜和封装技术。
应用场景
太阳能逆变器、储能
变频器、直流充电桩
UPS 和电池充电器
隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动
▲ 典型应用图
实测数据
CCi8335系列芯片因超高压耐压需求而生,实测数据显示: AC BV和SURGE峰值都超过了24KV, VISO=8KVrms; VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk,动态CMTI>150V/ns, 达到了目前国际领先的隔离耐压水平。
1、超高耐压、超强可靠性高可靠性,远超增强型隔离标准,国际领先
VIOWM ≥ 2000VRMS
隔离等级高达 8000VRMS;
浪涌能力高达 24kV;AC BV ≥ 24kV
在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
2、优秀的CMTI性能和抗干扰能力
动态CMTI超过150V/ns;
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注