安森德超结(SJ)MOS在PD快充上的应用
安森德超结(SJ)MOS应用
移动互联网时代，为了满足人们对小巧便携简单，快速充电的需求，缓解充电的烦恼，催生了快速充电器的发展和普及。手机快充技术迅速发展，能效高，功率密度大，以PD快充为代表的充电器迅速发展，且市场空间巨大。功率器件MOSFET，作为PD快充、适配器等智能终端配套产品核心元器件之一，同样也迎来了发展契机。
快充技术的发展，充电器功率也将不断提升，对其内部的元器件性能要求提出了新的挑战。
为满足充电器、适配器等需求，安森德ASDsemi推出了一系列可靠、高效的高中低压MOSFET。涵盖20V-700V电压全系列产品，各种工艺Trench, SGT, 超结等，RDS(ON)小，Qg小，产品种类齐全，满足客户各种选型需求的同时，产品在提高温升效率、改善EMI特性、抗雷击浪涌能力方面有良好的表现。
01、安森德多层外延SJ MOS优势
效率高
较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、Qg，有效的降低导通、开关损耗。
低温升
较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。
稳定性强
强大的 EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。
内阻低
超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。
体积小
在同等电压和电流要求下，超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小，可以封装更小尺寸的产品。
02、应用拓扑图
03、安森德多层外延SJ MOS应用
超结(SJ)MOSFET被广泛应用于电子设备，且应用范围正在不断扩大，成为电子设备不可或缺的重要元器件，其主要应用于PD快充、充电桩、新能源汽车等领域。
04、安森德ASDsemi产品选型推荐
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安森德DC-DC电源管理芯片应用介绍
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| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor |
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