维安 SiCMOS:高压化与大电流化趋势下的前沿探索

发布时间:2024-11-19 16:18
作者:AMEYA360
来源:维安
阅读量:269

  在半导体领域的核心前沿阵地,碳化硅(SiC)技术凭借其卓越非凡的性能表现与巨大的发展潜力,已然成为推动整个行业阔步向前的关键驱动力。SiC是第三代半导体产业发展的重要基础材料,其具有耐高压、耐高频与耐高温等多方面的优势。

  维安拥有行业前沿的SiC创新技术,目前SiCMOS产品电压涵盖650V~1700V,电阻涵盖10mΩ~720mΩ,并且有TO-247、TO-247-4L(ISO)、TOLL、TO-263-7L等封装来满足不同的应用需求。同时维安也在积极升级、研发更多的 SiC 产品以顺应高压化、大电流化发展趋势。

维安 SiCMOS:高压化与大电流化趋势下的前沿探索

  图1:WAYON SiCMOS 产品Roadmap

维安 SiCMOS:高压化与大电流化趋势下的前沿探索

  图2:WAYON SiCMOS 封装示意图


维安 SiCMOS:高压化与大电流化趋势下的前沿探索

  应用领域

  直流充电桩

  直流充电桩中电源模块是其核心部件,采用SiC 基功率器件可有效减少芯片数量并降低系统成本,同时实现更高开关频率、更高功率密度以及超小体积的目标。

  维安目前在1200V平台新开发的产品WSCM018R120T2C,在18V驱动电压下,Rdson仅为18mΩ,适用于60KW的充电桩模块,可减少SiC器件的并联数量,降低开发难度。

  光伏逆变器与储能

  光储逆变器往大功率方向发展,SiC是提升效能的不二之选。其应用于光伏逆变器,功率更大、效率更高、体积更小、成本更低,以及组串式逆变器配置灵活、易于安装。在1100 V的直流系统中通常使用1200V和650V开关,当电压等级提升到1500V,则需要1700V SiC MOSFET开关。

  目前维安也已在1700V平台上新开发了45 mΩ与80 mΩ的产品,以满足光伏逆变器相关的应用需求。

  新能源汽车

  目前市售电动车电压平台正从400V向800V及以上的高电压发展,而高压系统中,SiC MOSFET的性能优于Si IGBT。SiCMOS主要应用于OBC、空调压缩机等场景,采用SiC器件可实现更高开关频率、更小体积、更低损耗与更低系统成本。

  未来趋势

  SiC 技术在不断地升级迭代,这将进一步提高其成品率与可靠性,使得SiC器件价格降低,并拥有更加强劲的市场竞争力。SiC器件在汽车、通讯、电网、交通等多个领域蓬勃发展,产品市场将更加宽广,成为半导体产业的新风口。

  总之, SiC 器件具有广阔的市场前景和应用价值,维安将为SiC技术的发展全力以赴,推出性能更加杰出的产品!

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