上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源

Release time:2024-12-11
author:AMEYA360
source:上海贝岭
reading:282

  高精度基准电压源系列

  BLR2XX系列是上海贝岭推出的第二代高精度基准电压源,包含:BLR212 / BLR220 / BLR225 / BLR230 / BLR233 / BLR240 / BLR250 多种型号,目前已经稳定量产。器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源,最大初始误差为±0.02%,并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。

  相比上海贝岭第一代基准电压源BLR1XX系列,BLR2XX系列初始精度从0.05%提升至0.02%;温漂系数从5PPM提升至3PPM,性能优化明显。

  BLR2XX系列兼容SOIC8,SOP8,MSOP8封装,可提供较宽的输入电压范围,所有器件的额定温度范围均为-40℃至+125℃扩展工业温度范围;同时还具有低压差、低功耗、低噪声的特性,广泛应用于工业、医疗、能源、仪器仪表等领域。

  应用场景

  精密数据采集系统

  高分辨率数据转换器

  高精度测量器件

  工业仪器仪表

  医疗设备

  汽车电池监控

  系统框图

上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源

  SOIC8引脚配置

  MSOP8引脚配置

  备注

  1. NIC=NOT INTERNALLY CONNECTION.

  2. DNC=DO NOT CONNECT.

  1、高精度

  BLR2XX系列基准电压源使用上海贝岭公司专利核心结构来实现高精度,能够轻易满足系统0.02%的精度需求。

上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源

  2、低温漂

  BLR2XX系列基准电压源的低温漂特性,提高了温度变化系统下的精度,在全温范围内温漂仅为3ppm/℃。可以满足客户ADC/DAC等各种应用下的外部基准需求。

上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源

  3、低噪声

  在高精度应用场景,噪声是影响系统性能的一个重要参数。对一个16位系统,BLR225的噪声性能为14.5uVp-p,对测量引入的噪声小于1 LSB。

上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源

  应用方案双极性输出基准电压源

上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源

  双极性基准电压配置

  通过将BLR250的输出连接至运算放大器的反相端,可以同时获得正基准电压和负基准电压。R1和R2必须尽可能严格匹配,以确保负输出与正输出之间的差异最小。

  应用方案提高基准源电流输出能力

上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源

  升压输出电流基准源

  图示是一种能够从BLR2XX系列基准电压源获得高电流驱动能力而不牺牲精度的配置。运算放大器调节流经金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电流,直到VOUT等于基准电压源的输出电压;然后,电流直接从VIN获得,而不是从基准电压源本身获得,从而提高电流驱动能力。

  该电路的电流源能力仅取决于MOSFET的电流额定值,因此只需根据应用选择适当的MOSFET,就能调整输出驱动能力。所有情况下都应将VOUT引脚直接连到负载器件,以保持最高输出电压精度。

("Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal.")

Online messageinquiry

reading
上海贝岭:超小封装物联网能效监测芯片BL0971
  随着新能源汽车产业的发展,对充电设施的便利、安全、智能化等方面均提出了更高的要求。许多新车型开始采用800V架构,一辆搭载100kWh电的电动汽车,只需要15min即可完成30%~80%的充电,大大缩短了充电时间,使得当前消费者的快速充电需求得以满足。在同样充电功率时800V电池平台相比400V电池平台,只需要400V时充电电流的一半,减少了导线和电气组件的热损耗,提高了系统的能效和安全性。为实现安全、有序充电,固定充电桩设备需要对直流电压/电流、能效、温度等物理量进行实时监控,在保证测量精度足够高,电能计费准确的同时,充电中一旦出现异常,可立即实施保护断开。另外,在新能源车随车充的应用中,由于空间紧凑,需要更小的芯片体积。  ·BL0971产品介绍·  为实现这些监测及应用需求,上海贝岭在之前的物联网能效监测芯片BL0972的基础上,针对直流充电桩的应用需求,推出了超小封装的BL0971交直流能效监测芯片。  BL0971是一颗内置时钟/外接晶振的单相交直流能效监测芯片。可用于交/直流断路器、交/直流照明能耗监控、交/直流物联网仪表或终端等产品。  ·产品特性·  1U1I模式,1路电流,1路电压测量 ;2I模式,2路电流测量;  高精度,在输入动态范围(5000:1)内,交流有功电能非线性测量误差小于0.1%;  交流电压和电流有效值,测量动态范围(2500:1)内,有效值非线性误差小于0.1%;  可选直流信号测量,输入范围2000:1,测量误差<±1%;  对于输入波形,可以通过选择不同滤波器,来获得全波、交流或直流的有效值及功率;  内置波形寄存器,可以用于波形分析;  测量电流、电压有效值、有功功率、无功功率、有功电能、无功电能等参数;  批次出厂增益误差小于 1%,外围元件满足一定条件下可以免校准;  SPI/UART 通讯接口,满足交/直流计量、检测、故障监控时高速率的数据交互需要;  内置基准参考电压源;  支持内置时钟或外接晶振,可根据应用场景选择;  单工作电源3.3V,低功耗15mW(典型值);  过流、过压、欠压快速检测、中断输出可配置,满足直流充电桩保护的需求;  可用于保险丝保护,最快10ms产生中断输出;  QFN20封装,4*4mm,体积小。  ·上海贝岭选型方案·  上海贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择。以下为部分汽车充电桩应用的产品型号。
2024-11-20 11:26 reading:283
上海贝岭功率器件助力电摩控制器高效发展
  一、 概述  在中国电动两轮车已经成为人们日常生活中必不可少的交通工具。随着电动自行车国家标准的不断改进,电动自行车向着低速、高安全性和长续航里程等方向逐渐演进。与此同时,市场对于高速、智能和长续航的电动轻便摩托车及电动摩托车的热情也不断上升。  功率MOSFET作为电动两轮车控制器的核心器件,其性能决定了控制器系统的整体效率。上海贝岭作为功率MOSFET市场的主要供应商之一,现推出针对电动轻便摩托车控制器的新产品BLP04N11,该器件针对电摩控制器应用特点,优化器件击穿电压和降低开关及导通损耗,助力客户产品迸发更高峰值性能。  二、 电动轻便摩托车控制器应用解析  电动轻便摩托车通常使用锂电池供电,使用电池电压挡位可分为48V、60V及72V,配备的电机额定功率范围在400W~3000W。电动轻便摩托车控制器的核心组成部分之一为功率MOSFET组成的三相全桥逆变电路。逆变电路受MCU的PWM调制及对应的栅极驱动器控制,实现直流到交流的变换,从而驱动无刷电机运转。  图1 电动轻便摩托车控制器拓扑图  三、 贝岭SGT技术平台及BLP04N11器件特点  上海贝岭基于上海积塔最新SGT Gen2平台,研发110V SGT MOSFET器件系列产品,在SGT Gen1平台的基础上,进一步优化屏蔽栅结构,加强终端结构,使得器件具有较低的导通电阻和较高的击穿电压。针对电动轻型摩托车控制器应用中高效开关转换和低导通损耗的应用需求,贝岭BLP04N11对应优化效果如下:  1、低导通电阻Rds(on)  提高电动轻型摩托车控制器的能效水平的一个方式是降低器件导通损耗。导通电阻Rds(on) 决定了功率MOSFET在导通器期间内的损耗。在使用相同封装的情况下,贝岭器件相较于市场主流同规格产品,具有更低的导通电阻Rds(on) ,导通损耗的降幅可达5%。  2、低FOM值  提高电动轻型摩托车控制器的能效水平的另一个方式是降低开关损耗。对于相同的驱动电路,较低的栅极电荷使得开关速度加快,以降低开关损耗。性能品质因数Figure of Merit (FOM= Rds(on) × Qg,Rds(on) 导通电阻,Qg栅极总电荷),简称FOM值,是MOSFET的一个重要指标,用于评估性能的优劣。在使用相同封装的情况下,贝岭器件相较于市场主流同规格产品,具有相对较低的FOM值。6.5%的降幅可以提高轻型电摩控制器的整体能效和减少器件的负载,可提高控制器的使用寿命。  3、板级温升表现  得益于贝岭BLP04N11产品较低的导通电阻Rds(on)和电荷参数,在轻便电摩控制器额定功率1500 W的稳态带载测试中,与市场主流产品相比整体可减少来4~6%的损耗。若在相同输出功率的情况下,贝岭器件低损耗的特点可以提高电动轻型摩托车的续航里程。若在过温保护点不变的情况下,贝岭器件可以允许客户控制器输出更高功率。  4、抗短路能力  贝岭BLP04N11产品为应对控制器应用中的极端工况,加强器件抗短路能力,可以满足72V锂电电池满电、馈电等不同工作电压下的轻型电摩控制器相间短路的可靠性要求。  四、 贝岭功率器件选型方案  上海贝岭功率针对电动自行车、电动轻便摩托车、电动摩托车、电动叉车和轻型低速四轮车控制器应用设计有多条SGT产品线,包含70V、85V、100V、110V和150V等电压等级器件,欢迎垂询!具体型号参考表1。 
2024-11-12 09:31 reading:337
上海贝岭荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项
  11月5日,上海贝岭市场工业市场经理冒晶晶受邀参加由全球技术信息集团 ASPENCORE举办的“IIC SHENZHEN-国际集成电路展览会暨研讨会”。会议中,上海贝岭工业市场经理冒晶晶进行了 “功率器件助推上海贝岭积极融入新能源赛道”的主题演讲并与出席会议的各大半导体行业专家及相关产业嘉宾进行了交流学习。  此次会议中,上海贝岭凭借第7代750V 275A 沟槽栅场阻止结构IGBT芯片(BLQG275T75F)荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项。  BELLING  产品推荐  BLQG275T75F产品基于贝岭Trench-FS Gen7 技术平台,具有正向压降小、开关速度快,开关损耗低、高可靠性等特点。采用第七代微沟槽栅技术,优化了导通压降和开关损耗,实现更好的输出特性及高可靠性。采用优化的多层场截止技术,改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。采用优化的结终端技术,实现175℃的最高工作温度、高可靠性以及强鲁棒性。  该芯片完成全面的车规认证,特别为工作频率在5 至20kHz的硬开关电路设计,主要面向新能源汽车应用市场。该芯片针对电动汽车驱动应用特点特别优化损耗分布,优化正温度系数,使得该芯片易于并联使用,保证了产品的易拓展性,可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。  应用:以TO-247PLUS 单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器,适合A0级和A00级纯电动汽车。以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器,适合A级纯电动及混合动力汽车。
2024-11-11 16:48 reading:330
上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计
  一、引言  逆变焊机作为一种先进的焊接设备,在现代工业中占据了重要的地位。与传统的变压器式焊接设备相比,具有诸多优点,如:  高效节能  由于逆变焊机的工作频率很高(通常在20kHz~100kHz),因此它能更有效地利用电能,减少能量损失。  轻便便携  相比传统焊机,逆变焊机体积小、重量轻,易于携带。  焊接性能好  逆变焊机能提供更稳定的电弧,减少飞溅,提高焊接质量。  可调节性强  用户可以根据不同的焊接材料和厚度来调整焊接参数,灵活性更高。  如图1所示,逆变焊机工作原理是先将电网提供的工频交流电转变为直流电,然后通过电子开关(IGBT/MOSFET)将直流电逆变成高频交流电,最后通过整流得到适合焊接工艺要求的电流和电压。  图1 逆变焊机工作方框图  二、逆变焊机拓扑介绍  逆变焊机主电路拓扑已经较为成熟,主要的拓扑有双管正激式、推挽式、半桥式、全桥式等。  图2.1为半桥式拓扑结构。该拓扑由两个功率管组成桥式电路,其对称交替导通有利于变压器完全复位,磁芯利用率高,输出响应快,且半桥分压电容器的存在能够较好抗磁偏。该拓扑广泛应用于中小功率逆变焊机。但在相同功率下,半桥式功率管要承受更大的电流。  图2.2为全桥式拓扑结构。该拓扑由四个功率管组成桥式电路,主要应用于大电流、大功率场合,变压器磁芯利用率高,成本也相应较高。  三、逆变焊机IGBT损耗分析  目前市面上大部分逆变焊机采用的为硬开关电路,电路拓扑如图2.1和2.2,通过测试分析,该应用场景IGBT器件的损耗主要来源于以下四个部分,如图3.1所示:  1、IGBT器件内部合封二极管续流和反向恢复过程损耗Ediode  2、IGBT开启损耗Eon  3、IGBT通态损耗Econ  4、IGBT关断损耗Eoff  如图3.2所示,逆变焊机硬开关应用中,关断损耗Eoff占比最大,其次为导通损耗Econ。  图3.2 IGBT损耗占比  四、上海贝岭650V/80A IGBT产品优势  为适应逆变焊机客户大电流IGBT单管需求,上海贝岭研发推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDK7,助力高效率逆变焊机设计。该器件具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点,可满足客户高效率设计要求。  4.1、器件技术  上海贝岭650V/80A IGBT产品BLG80T65FDK7采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术,进行了特殊工艺控制,优化了VCE(sat)和Eoff参数,提升了产品的可靠性。  4.2、饱和压降VCE(sat)  逆变焊机中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大,影响导通损耗的主要参数为VCE(sat),常温下贝岭BLG80T65FDK7导通压降比竞品低12%,导通损耗比竞品更低。  4.3、关断损耗Eoff  BLG80T65FDK7具有较小的寄生电容,这保证了器件有更高的开关速度,开关频率高达50kHz以上,如图4.2所示,通过测试IGBT的损耗,BLG80T65FDK7关断损耗比竞品低5%。  4.4、系统优势  IGBT开关频率的提高还可以显著提升逆变焊机对电流的控制精度,同时器件损耗的减小,可在大功率输出工况下提升焊机的工作效率,显著降低正常工作时IGBT器件的温升。上海贝岭BLG80T65FDK7基于优异的器件设计,为逆变焊机系统顺利通过温升、输出短路等测试提供了保障。如图4.3,常温自然散热情况下,贝岭BLG80T65FDK7和竞品壳温基本一致,满足客户的需求。  五、上海贝岭功率器件选型方案  上海贝岭功率器件产品线齐全,包含MOSFET、IGBT等系列产品,为逆变焊机主逆变和辅助电源设计提供助力,具体型号参考表1:
2024-09-26 10:36 reading:510
  • Week of hot material
  • Material in short supply seckilling
model brand Quote
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
model brand To snap up
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
Hot labels
ROHM
IC
Averlogic
Intel
Samsung
IoT
AI
Sensor
Chip
About us

Qr code of ameya360 official account

Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to

AMEYA360 weixin Service Account AMEYA360 weixin Service Account
AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.