ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

Release time:2025-03-06
author:AMEYA360
source:罗姆
reading:1018

  ~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~

  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低导通电阻*¹和超宽SOA范围*²的Nch功率MOSFET*³。

  新产品共3款机型,包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*⁴电路的“RS7E200BG”(30V),以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。

ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

  随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速,对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外,对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势,预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要 24小时不间断运转(始终通电),因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗,会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中,其导通损耗占比较高,因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外,服务器配备了热插拔功能,可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备,在更换等情况下,服务器内部会产生较大的浪涌电流*⁵。因此,更大的安全工作区范围(宽SOA范围)对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此,ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装,与以往封装形式相比,封装内部的芯片可用面积增加,从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率 MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。

  新产品均采用新开发的DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)封装,与以往的HSOP8(5.0mm×6.0mm)封装相比,封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻,30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ(Typ.),80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ(Typ.),非常有助于提高服务器电源电路的效率。

  另外,通过优化封装内部的夹片形状设计,提高了散热性能,同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”,其SOA范围达70A以上(条件:脉冲宽度=1ms、VDS=12V时),与以往的HSOP8封装产品相比,在相同条件下SOA范围提高了一倍,从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。

  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格:710日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售。

  ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来, ROHM将继续扩大相关产品阵容,为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。

  <产品阵容>

ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

  <关于EcoMOS™品牌>

  EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。

ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

  ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  <应用示例>

  企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路

  AI(人工智能)服务器48V系统电源的AC-DC转换电路

  工业设备48V系统电源(风扇电机等)

  <电商销售信息>

  开始销售时间:2025年2月起

  产品型号:RS7E200BGRS7N200BHRS7N160BH

  <术语解说>

  *1)导通电阻(RDS(on))

  MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。

  *2)SOA(Safe Operating Area)范围

  元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏,特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中,需要考虑SOA范围。

  *3)功率MOSFET

  适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前,通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,相比Pch MOSFET,具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。

  *4)热插拔控制器(HSC:Hot Swap Controller)

  可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC(集成电路),发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流,并保护系统和所连接元器件的重要作用。

  *5)浪涌电流(Inrush Current)

  在电子设备接通电源时,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,所以通过控制浪涌电流,可防止设备损坏并提高系统稳定性。


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罗姆适配 800VDC 20~33kW 级电源单元的全套产品解决方案
  承接前文,AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级,推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展,对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元,打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案,充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点,精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求,以下为核心方案详情。  适用800VDC 20~30kW级电源单元的解决方案简介  *SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计,核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标,为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件,充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。  高效率:各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)  高功率密度:现行 PSU 标准为 100W/in³,而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³  AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架),机架母线为 800V DC,经电源侧架、IT 机架功率转换后,输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘,具体解决方案如下表:  注:SIM 基于 PLECS® 仿真,仅计算功率元器件损耗,不含电抗器等外围元器件的损耗  电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压,助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)  第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%,支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行  负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大,可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件  罗姆的 SiC 开发路线图中,功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示,导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%,效率 SIM * 最多降低 33%。  仿真条件:Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz  IT 机架用的 DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  隔离型三相 LLC 拓扑解决方案  IT 机架电源用解决方案,确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题,需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计  将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器  采用三相隔离型 LLC 拓扑  一次侧:推荐使用第 4 代 SiC  推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ  最大额定电压 1200V,ID TBD,导通电阻 11mΩ  封装:TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK  背景:可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  效率 SIM * 达 99% 以上 (~125kHz)  二次侧:推荐使用以下 Si MOSFET  推荐产品 RSS7 系列:RS7N200CH  最大额定电压 80V,ID 295A,1.43mΩ,DFN5060-8S  RSJ2 系列:RJ2N17BCH  最大额定电压 80V,ID 450A,0.86mΩ,TOLL-pkg  背景:推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案,利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势,有效降低开关损耗。  针对高功率密度的 GaN 解决方案  搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC  功率密度:7.8W/cc (129W/in³),LLC 开关频率 100kHz,尺寸:40mm×91mm×700mm  通过将开关频率提升至 500kHz,实现变压器等外围元器件的小型化,通过级联结构分担一次侧和变压器的电流,可提高效率  功率密度:15W/cc (246W/in³),LLC 开关频率 500kHz,尺寸:40mm×55mm×605mm  行业标准功率封装产品部署  提供行业标准封装产品群,通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应,并提升表面散热和模块性能。  针对不同拓扑电路搭配对应封装模块:  Vienna 双向开关电路:DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs  PSU 隔离型三相 LLC 一次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs  HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块  PSU 隔离型三相 LLC 二次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs  罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中,其他封装请另行咨询),含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装,SiC 产品专用模块封装为 DOT-247,封装类型分为插装型与表贴型,具体适配如下:  同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。  以上为罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案,解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统,还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定,后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
2026-03-20 16:41 reading:243
AI 服务器扛不住了!电力瓶颈迫在眉睫,罗姆携 800VDC 方案破局
  当下AI的应用越来越广,从日常的智能问答到大企业的数据分析、算力运算,背后都离不开AI服务器的支撑。但随着算力需求一路飙升,AI服务器也遇到了一个核心难题——耗电量太大,传统供电架构根本跟不上。  在2025深圳媒体交流会上,全球知名半导体企业罗姆深度解读了AI服务器市场的最新变化,点出当前行业的电力痛点,还指明了+800V/±400VDC高压直流架构是解决这一问题的关键。今天我们就来聊聊,AI服务器的电力难题到底有多严重,行业又为何集体选择升级到800VDC架构。  AI服务器功耗翻几倍,电力成了算力“拦路虎”  别看AI用起来方便,背后的AI服务器可是十足的“电老虎”。和我们常见的通用服务器比起来,两者的耗电量完全不是一个量级。  根据罗姆的实际调研数据,一台通用服务器的功耗大概在600W,而一台AI服务器的功耗直接冲到了3000W,是通用服务器的5倍还多。现在各大数据中心都在批量部署AI服务器,这些“电老虎”同时运行,让数据中心的电力消耗呈几何级增长,而耗电量激增带来的连锁影响,也开始全面显现:  电力损耗增加:需要能够提供低电压、高输出功率的大电流。电缆内的电阻损耗导致能源浪费和发热量增加,这意味着大量电力在传输过程中被白白消耗,不仅不划算,还会进一步加剧发热问题;  物理限制:一方面需要承载大电流的粗重铜质电缆,占用大量数据中心空间;另一方面电缆和电源插座、线缆的重量与体积大幅增加,让数据中心的空间、重量承压能力达到极限,传统架构实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题,电源插座、线缆等也必须彻底改进;  散热设计压力:电力消耗和功率损耗会直接转化为热能,海量AI服务器运行产生的高热量,迫使数据中心必须构建高效的液体冷却系统,否则设备易因高温宕机,而液体冷却系统的部署和运维成本也随之攀升;  可扩展性的极限:以往的架构要实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题,电源插座、线缆等也需要改进,无法适配未来AI服务器算力持续提升的需求,扩容难度和成本大幅增加;  运营成本增加:数据中心运营成本中近六成是电费,耗电量增加和功率损耗导致的成本上升,直接让企业的长期运营压力翻倍,电力成本成为数据中心最主要的支出项之一。  电力供应不仅关系着数据中心的运营成本,更直接影响AI算力的释放——如果供电跟不上,再强的算力也无从发挥。如何让电力更高效地支撑AI运算,成了整个行业都要解决的问题。  GPU功耗一路猛涨,传统服务器机架摸到了“天花板”  AI服务器的高功耗,核心原因在它的“心脏”——GPU(图形处理器)。作为AI运算的核心部件,GPU的功耗正以肉眼可见的速度飙升,直接让传统的服务器机架扛不住了。  从英伟达的产品发展路线就能清晰看到这个趋势:GPU的热设计功率(简单说就是芯片的功耗上限),从之前H100的700W,涨到B200的1200W、B300的1400W,未来还会突破3600W。而且为了跟上AI算力的需求,英伟达还把GPU的升级周期从两年缩短到了一年,算力提升的同时,功耗压力也跟着翻倍。  功耗飙升带来的问题一连串:传统架构要给GPU供大电流,就得用粗重的铜电缆,不仅占空间、增加数据中心的重量,还让硬件成本大幅上升;电缆传输大电流时,会因为电阻产生损耗,既浪费电能,又会发热,让数据中心的散热难题雪上加霜。  说到底,传统的低电压供电方式,已经跟不上GPU的功耗增长了,服务器机架的空间、电力承载能力都到了极限,供电架构升级已经迫在眉睫。  行业达成共识!800VDC高压架构成最优解  面对这个绕不开的电力难题,全球科技企业都在找解决办法,而+800V/±400VDC高压直流架构,成了大家公认的最优解。  这个架构的推出,背后有两大重量级阵营推动:一边是微软、Meta、谷歌等企业联合发起的开放计算项目,提出了±400VDC的标准;另一边是英伟达主导的800VDC标准,两大阵营一起定下了下一代AI服务器的供电核心方向。  为什么800VDC能解决传统架构的痛点?核心就是它有五大优势,从效率、成本、扩展性等方面全方位优化,精准破解了耗电量激增带来的各类问题:  1.扩容更轻松,从100kW到1MW无缝衔接  基于800VDC架构,数据中心不用大规模改造原有电力设施,就能实现从100kW到1MW以上的机架功率部署,完美突破传统架构的可扩展性极限,不管是现在的AI服务器,还是未来更高算力的设备,都能适配,实现无缝扩容。  2.效率更高,端到端电力利用率提升5%  和目前主流的54V供电系统比,800VDC架构的端到端效率能提升5%。别看只是5%的提升,在海量AI服务器长期运行的情况下,能大幅降低电缆电阻带来的电力损耗,减少发热量,同时省下大量电能,大幅降低数据中心的能耗成本。  3.减少铜材使用,省钱又减损耗  800VDC架构能显著降低数据中心骨干网的电流,对应的电缆就能更细,直接减少了铜材的使用量,降低硬件成本;同时电流变小,电缆的电阻损耗也会减少,从根源上缓解能源浪费和发热问题,不用再依赖超粗的铜质电缆,也解决了数据中心的空间与重量问题。  4.更可靠,破解散热与维护的麻烦  传统的服务器机架电源,为了防止停机,往往要多装备用模块,不仅占空间,还得频繁维护、更换故障模块;800VDC架构可以把功率转换模块移到机架外,从根本上解决机架内的散热难题,无需构建复杂的液体冷却系统,同时降低了运营成本中电费的占比,在成本和长期可靠性之间找到最优平衡。  5.适配未来,能支撑超高功率机架  800VDC架构从设计之初,就瞄准了未来1MW超高功率机架的需求,为后续AI算力的持续提升预留了充足的空间,不用因为算力升级再反复改造供电架构,也能轻松应对未来更高功率密度的部署需求。  明日预告电源单位迎升级,半导体厂商迎来新挑战  AI服务器向800VDC架构升级,直接带动了核心部件电源单元(PSU)的高电压化变革,这也给半导体制造商带来了新的市场需求和技术挑战。  从目前的情况来看,主流的电源单元功率是5.5kW/个,一层机架能到33kW;升级后的产品已经涨到12kW/个,一层机架72kW;而随着800VDC架构落地,下一代电源单元会全面贴合新的行业规范,朝着更高功率、更高效率、更小体积的方向发展。  这对半导体器件的要求也变得更高:需要能扛住800VDC高压、适配大电流,同时还要耗电少、开关速度快、体积小。简单说,AI服务器的供电升级,本质上是半导体技术的比拼,谁能做出适配800VDC架构的核心器件,谁就能抓住行业机遇。  后文预告  800VDC高压架构的升级浪潮已经来了,半导体厂商该如何接招?罗姆作为功率半导体领域的老牌企业,早已提前布局,不仅推出了适配800VDC20~33kW级电源单元的全套解决方案,还和头部电源厂商深度合作,甚至推出了专属的热插拔控制器产品。  接下来,我们就来详细说说,罗姆到底拿出了哪些硬核技术,破解AI服务器的供电难题,成为行业升级的核心助力!
2026-03-20 16:39 reading:237
锚定全球赛道:罗姆的核心优势与中长期发展战略!
  作为一家创立于1958年的老牌半导体巨头,罗姆(ROHM)这几十年在行业里的存在感一直超强。不管是新能源汽车的“动力心脏”,还是AI服务器的算力底座,甚至是咱们日常用的消费电子,都能看到它的身影。  在国内市场,AMEYA360作为核心电子元器件分销平台,早已将罗姆列为重点代理品牌,让国内广大客户能更便捷、高效地获取罗姆的优质产品与专业技术支持。那么在竞争白热化的半导体行业,罗姆究竟凭什么长期稳坐第一梯队?  01 罗姆的核心优势  先看罗姆的优势,其实可以分成 “前端服务能力” 和 “后端坚实后盾” 两部分,每一点都戳中了行业的核心需求。  前端服务能力:  以客户为导向的服务能力是其核心特色,既能深入挖掘客户需求、提供高价值定制化解决方案,也凭借快速响应速度适配市场变化;同时,尖端技术实力为其赋能,既拥有助力解决社会难题的开发能力,也通过持续创新积累了成熟的制造实力。  后端坚实后盾:  IDM垂直整合模式:从设计、晶圆制造到封装测试全链条自己掌控,不用看别人脸色。既能严格把控产品品质,保证供货稳定不缺货,又能快速推进技术创新,比如 SiC 器件从衬底优化到量产,全程自己把控效率拉满。  整合技术实力:靠专业复合型人才团队,跨领域协同破解客户痛点。不是单纯卖元器件,而是给“一站式方案”,比如把功率器件和模拟IC结合,帮客户降低系统设计难度。  功率电子+模拟技术壁垒:六十多年的技术积累,形成了独有的技术体系和知识库。在SiC、GaN这些宽禁带半导体领域,技术优势特别突出,这是别人短期内很难追上的。  02 罗姆的发展战略  基于深厚的核心优势,罗姆确立了“核心突破+多元拓展”的中长期发展战略,以功率电子与模拟技术为底层根基,锚定全球功率与模拟半导体领域的领先目标稳步推进。战略核心层面,罗姆将汽车领域视为核心增长引擎,重点布局xEV 用隔离型栅极驱动器、第5/6代SiC MOSFET及SiC功率模块等产品,精准契合新能源汽车电动化、智能化发展趋势,持续强化在车载半导体领域的市场竞争力。  同时,罗姆同步强化工业设备、消费电子及服务器等业务板块,构建均衡发展的产品组合:在工业领域,聚焦FA/机器人用电机驱动器、激光二极管等产品,适配工业自动化与智能制造需求;在消费电子与服务器领域,推出适配高功率场景的Si/SiC MOSFET、家电用IPM等产品,覆盖高端算力与日常消费电子场景,有效分散单一市场波动风险。  此外,罗姆将感测领域的光学元器件业务列为下一代核心业务支柱,重点发力LiDAR用激光二极管、半导体继电器用VCSEL等产品,深度挖掘自动驾驶、工业检测等新兴应用场景的增长潜力。在产品落地层面,罗姆采用“增长-发展-创新”的分层推进策略:增长层聚焦成熟高需求产品,快速兑现市场价值;发展层拓展潜力品类,培育中长期增长动能;创新层研发48V系统电源管理LSI、Solist-AI微控制器等前沿技术,以技术迭代驱动产业升级。依托与AMEYA360等核心分销平台的合作,罗姆的技术与产品得以高效触达中国市场,为本土电子产业的数字化、电动化转型提供核心支撑。  03 总结  能在半导体行业的激烈竞争中站稳脚跟,罗姆靠的正是前端服务与后端技术的双重硬实力,以及清晰的“核心突破 + 多元拓展”发展布局。从贴合客户需求的定制化服务,到IDM模式、核心技术构筑的深层壁垒,再到锚定汽车赛道、布局多板块、培育新支柱的精准战略,每一步都踩准了产业发展的节奏。  而借助与AMEYA360的合作,罗姆也让优质的产品和技术更高效地触达国内市场,持续为本土电子产业的升级添力。相信凭借深厚的技术积淀与前瞻的布局,罗姆未来在全球功率与模拟半导体领域,还将持续释放更多价值。
2026-03-17 10:19 reading:261
罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展
  当前AI算力需求爆发式增长,数据中心供电向高效化、绿色化升级,800V高压直流架构渗透率提升,SST等核心技术加速迭代,行业面临技术革新与标准完善的双重需求。 基于此2026年4月25日“AI PowerDC 算力供电创新技术国际领军者论”将在深圳湾万丽酒店顺势召开,聚焦行业核心痛点,搭建技术交流与合作对接平台。  全球知名半导体制造商罗姆半导体(ROHM)重磅亮相本次论坛,公司技术专家苏勇锦将于A会场11:20-11:50,发表题为《ROHM Power The Future of ECO AI Server》的主题演讲,深度解读AI服务器供电痛点,分享前沿电源技术解决方案,彰显罗姆在高端算力供电领域的核心技术实力。  AI 硬件的急速成长,带来了数据中心对电力设施前所未有的负荷压力。Server Rack 单位消耗功率由数十~数百kW 向MW 级别的规模扩展,现有的48VDC 配电系统,以达到其物理性的、经济性的极限。为解决这一历史性的课题,包括HVDC电源架构等的技术变革正在发生。如何让AI服务器电源系统更节能,更高效,更智能,成为各大电源厂家和半导体厂家的目标和方向。罗姆半导体做为全球知名半导体制造商,充分利用常年以来积累的功率器件和模拟器件的技术经验,为AI服务器提供包括SiC,GaN,Si-MOS,DrMOS,模拟IC等电源解决方案,助力AI服务器向更加ECO的未来发展!  4月25日AI算例论坛概要  名称:AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛  ■主办:21世纪电源网  ■ 会场:深圳湾万丽酒店  ■ 时间:2026年4月25日  ■ 地址:广东省深圳市南山区粤海街道科技南路18号  ■交通:9号线高新南站A出口步行3分钟  赞助企业
2026-03-12 17:50 reading:327
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