士兰微发布汽车级DC-DC一级电源解决方案：SQD3430系列

Release time：2025-06-04
author：AMEYA360
source：士兰微
reading：1020

　　产品概述

　　随着汽车工业的飞速成长，汽车零部件不断向高集成化发展，这对汽车电源管理芯片的性能提出了更严峻的挑战。

士兰微发布汽车级DC-DC一级电源解决方案：SQD3430系列

　　士兰微推出了汽车级40V/3A同步降压型DC-DC转换器：SQD3430系列。

　　它将四大指标做到了业内领先水准：

　　①3.0V最低冷启动电压;

　　②6μA超低静态电流;

　　③86%@1mA超高轻载效率;

　　④<7mV极佳负载调整率。

　　SQD3430采用QFN12_2x3紧凑型封装，具有良好的EMC电磁兼容特性，满足汽车AEC-Q100标准，使其成为汽车12V蓄电池一级电源的理想选择。

　　典型参数与应用场景

　　SQD3430的典型参数

　　AEC-Q100 Grade1车规级认证

　　宽输入电压范围：3.0V-40V

　　抛负载(Load Dump)：42V

　　冷启动(Cold Crank)：最低至3.0V

　　额定输出电流：3A

　　开关频率：400KHz / 2.1MHz

　　优越的最小导通时间：30ns

　　可在所有负载下实现极高转换效率

　　◇ 峰值效率 >94% @12VIN 2.1MHz

　　◇ 1mA 轻载效率 >86% @12VIN 2.1MHz

　　◇ 100μA 极轻载效率 >75% @12VIN 2.1MHz

　　超低静态电流

　　◇ 6μA 超低休眠电流(VOUT in Regulation)

　　◇ <1μA 超低关断电流

　　优秀的Load Regulation

　　◇ <7mV from 0A-3A

　　优秀的EMI特性，通过CISPR 25标准Class5最高等级

　　紧凑型封装：QFN12_2x3，可润湿侧翼工艺(Wettable Flanks)

士兰微发布汽车级DC-DC一级电源解决方案：SQD3430系列

　　SQD3430的应用场景

　　座舱仪表

　　T-BOX

　　车灯

　　车身域控

　　超低待机功耗 极高转换效率

　　SQD3430在常温全电压范围内的都具有6μA超低静态工作电流，对于T-BOX、蓝牙钥匙等具有休眠模式的应用场景，可以满足低待机功耗的设计需求。

　　SQD3430在全负载范围内具有极高转换效率，尤其是轻载效率表现极佳，在fSW= 2.1MHz、 12VINto 5VOUT 情况下：峰值效率>94% ，1mA轻载效率>86% ，100μA极轻载效率>75%。

　　超低静态电流 + 极高转换效率，使SQD3430成为汽车整机低功耗设计的最佳选择!

　　冷启动&抛负载

　　为了应对寒冷天气下启动蓄电池的电压跌落，电源芯片需保证在冷启动(Cold Crank)不能出现关机行为。如下图模拟了蓄电池启动时电池电压下降至 3.0V 左右，在此情况下SQD3430依旧能保持正常运行。

　　详细测试标准参见ISO 16750-2: 2010

　　抛负载(Load Dump)是模拟汽车蓄电池在正常充电时，断开蓄电池和发电机的连接而导致交流发电机感性线圈产生电压尖峰的过程。如下图SQD3430，在VIN出现一段被钳位至42V的电压尖峰后依旧能保证正常运行。

　　详细测试标准参见ISO 16750-2: 2010

　　负载调整率

　　在12VIN to 3.3VOUT、空载至满载全负载范围条件下，SQD3430的负载调整率 (Load Regulation) 仅有7mV左右的漂移，其中正负偏移为+5mV(+0.15%)， -2mV(-0.07%)。这一指标也是达到了汽车级同类产品的最佳水准，为客户实现了优越的输出电压准确度保障。

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士兰微电子总部研发测试生产基地项目顺利封顶！
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士兰微电子总部研发测试生产基地项目顺利封顶！

　　1月28日，士兰微电子迎来发展历程中的又一重要里程碑——士兰总部研发测试生产基地项目顺利封顶。项目封顶仪式在杭州市滨江区举行，项目总指挥、士兰微电子高级副总裁黄丽珍，项目负责人林开通，以及总承包单位中南集团、监理单位浙江省省直监理、设计单位浙江省省直建筑设计院等合作伙伴代表共同出席仪式，见证这一战略项目的阶段性成果。　　该项目是士兰微电子为适应业务发展需要，在强化自主设计制造能力、完善全产业链布局战略道路上迈出的又一重要步伐，基地总建筑面积达9.6万平方米。项目建成后，这里将成为公司高端芯片的研发测试与验证中心，重点支撑下一代功率半导体、传感器及高端模拟集成电路的快速发展。　　士兰微是国内集成电路产业领军企业，近年来不断加大产能与研发投入，已在杭州、成都、厦门等地布局多个制造基地，形成覆盖芯片设计、制造、封装测试的全产业链。此次总部研发测试生产基地建成后，将与各地制造基地深度联动，有效缩短产品从研发到市场化的周期，提升产品交付效率与核心竞争力，为全球客户提供更优质半导体产品与服务。　　未来，这座现代化的研发测试生产基地将与士兰微电子位于杭州、成都、厦门等地的制造基地深度联动，进一步缩短公司产品从研发到市场的距离，为全球客户提供更高效、更可靠和更具竞争力的产品与服务。
2026-02-02 15:21 reading：211
士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工
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士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工

　　2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东，副董事长、总裁郑少波，副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞，中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂，共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。　　此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。　　同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币，两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设，将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。　　士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。　　公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调，8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设，是士兰发展历程中的重大里程碑，将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。　　公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果，并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心，全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示，面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇，士兰愿与客户携手共创解决方案，推动产业高效、智能、绿色发展。　　中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示，士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业，此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工，是士兰微电子发展史上的重要里程碑，士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。　　活动期间，与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场，并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。　　此次双线并举，是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局，也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。
2026-01-05 16:05 reading：451
士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”
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士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”

　　12月10日，以“智能破界，万物共生”为主题的2025物联网产业大会暨第22届慧聪品牌盛会在深圳隆重举行。士兰微电子凭借在半导体领域的技术实力与市场影响力，成功荣获 “国产半导体领军品牌” 。　　本次大会聚焦物联网技术与产业融合，汇聚行业专家、企业代表与生态伙伴，共同探讨智能化时代的创新路径与发展机遇。士兰微电子在评选中脱颖而出，体现了行业与市场对公司技术积累、产品竞争力及品牌价值的高度认可。作为国内集成电路设计与制造一体(IDM)的龙头企业，士兰微电子长期致力于集成电路、功率器件、化合物半导体等领域的研发与制造，产品广泛应用于物联网、安防、汽车、新能源、工业控制、算力服务器、消费电子等多个关键领域。公司持续推动技术创新与产业协同，为下游客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案，助力万物互联的智能化转型。　　此次获奖，不仅是一份荣誉，更是一份责任。未来，士兰微电子将继续坚持自主创新，深化产业布局，携手合作伙伴共同推动国产半导体产业的蓬勃发展，为构建智能、融合、共生的物联网生态贡献更多力量。
2025-12-19 11:07 reading：502
士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块
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士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块

　　新品　　士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案，采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术，最大化光伏电能转换效率;搭配士兰自主开发的D6封装，全面支持2000V系统应用需求。　　产品型号　　SGM600TL14D6TFD　　产品拓扑　　产品特点　　采用FS5+ 1400V IGBT 技术，损耗低，效率高，降低系统成本　　长时持续运行工况Tjop 175℃　　集成1400V SiC SBD　　1.1倍标称BV下限管控，适配于工业新能源应用　　5000m海拔下，安规满足2kV系统电压要求，封装可兼容PV输入1500V系统和PV输入2000V系统　　采用最优的封装技术及材料，满足长时175℃高可靠性要求　　高功率密度，高效率，模块支持输出功率高　　有一体焊接针和压接针两种方案可选，满足不同客户的安装要求　　应用领域　　光伏　　储能　　开发背景　　光伏电站的BOS成本逐年下降，为降低光伏电站的BOS成本，行业主要围绕两大技术路径持续优化：一是提升逆变器单机功率，以减少设备数量、节约安装空间;二是增加组件串联数量，以提升直流侧电压、节省线缆并减少逆变器用量。在此趋势下，士兰微电子自主开发了新一代功率模块，具备高功率密度、低运行损耗和高可靠性等优势，可有效支持高电压、大功率逆变器的技术进阶，助力光伏产业持续降低BOS成本，推动行业向更高效、更经济的方向发展。
2025-12-19 11:02 reading：517
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