华润微电子推出车规超声波雷达芯片QCS7209BF，助力智能辅助驾驶供应链安全再升级

Release time：2026-03-05
author：AMEYA360
source：华润微
reading：197

　　随着汽车智能化的飞速发展，市场对高性能、高效率、高可靠性的超声波雷达解决方案的需求日益增长。华润微电子功率集成事业群(PIBG)依托在车规级芯片研发与IC设计领域积累的深厚技术优势，近日正式推出新一代车规级超声波雷达驱动及信号处理芯片——QCS7209BF。该产品全面支持智能辅助驾驶与全场景智能泊车应用，助力推动车规级超声波雷达驱动及信号处理芯片的全国产化进程。

华润微电子推出车规超声波雷达芯片QCS7209BF，助力智能辅助驾驶供应链安全再升级

产品封装形式：QFN20(4mm×4mm)

　　一、产品简介

　　PIBG推出的QCS7209BF综合性能达到国际先进水平，已通过AEC-Q100(Grade 2)可靠性认证。QCS7209BF通过驱动换能器发送超声波信号，对接收到的回波信号进行放大和模数转换，并通过信号处理单元进行时间增益控制(TGC)、阈值产生(TG)、阈值调整(TA)、信号增强(SE)、回波检测(RWD)等优化处理，从而实现物体距离探测。芯片内部集成高可靠主控模块，确保各功能模块间的高效稳定运行，并兼顾低功耗管理。此外，芯片内置非易失性存储器，可用于存储出厂设置及用户自定义参数配置，充分满足用户应用的灵活性需求。

　　二、产品优势

　　1、性能指标

　　供电电压：7-18V，最大耐压40V

　　支持换能器频率：30-83KHz

　　内部集成高精度时钟振荡器，频率12MHz

　　内部集成类EEPROM

　　内部集成温度传感器

　　驱动器性能可配置，包括驱动电流、脉冲频率、脉冲数量

　　放大器增益可配置

　　接口类型：三线接口

　　探测距离：0.2-6m

　　环境温度：-40-105℃

　　ESD HBM：所有IO > 4KV

　　2、创新特点

　　创新高效的架构设计，驻车待机模式的功耗更低

　　增加硬件保护机制提升系统稳定性和可靠性，系统异常时可自我保护并恢复工作状态

　　ESD HBM防护，所有IO > 4KV，ESD可靠性更高

　　内置温度传感器增加可校准设计，出厂前可进行校准，温度精度更高

　　新增EEPROM低压烧写和写保护功能，无需额外高压供电，系统应用更灵活

　　自主开发主控测试系统，可灵活适配Tier1客户的场景定制化敏捷开发

　　三、产品应用

　　1、典型应用场景

　　QCS7209BF可广泛应用于包括传统的泊车辅助、自动泊车、盲点监测、前碰撞预防、停车距离控制等场景。

　　2、典型应用图

华润微电子推出车规超声波雷达芯片QCS7209BF，助力智能辅助驾驶供应链安全再升级

　　四、展望未来

　　随着新一代超声波雷达技术的持续升级，PIBG正积极规划推出更多系列化的车载超声波雷达驱动及信号处理芯片，以灵活满足不同客户的多样化应用需求。我们始终坚持技术创新，致力于提供更高效、可靠的汽车电子芯片解决方案，助力汽车行业迈向更加智能、安全的未来。

华润微电子推出车规超声波雷达芯片QCS7209BF，助力智能辅助驾驶供应链安全再升级


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华润微电子推出第五代高效RC-IGBT系列产品，赋能大功率家电能效升级
行业新闻

华润微电子推出第五代高效RC-IGBT系列产品，赋能大功率家电能效升级

　　近两年，我国家电消费市场呈现持续回暖态势，家电行业正加速向智能化、高端化、绿色化转型，市场对更高质量、更低能耗的产品需求日益迫切。华润微电子功率集成事业群(简称PIBG)瞄准家电行业对高效节能技术的迫切需求，推出第五代RC-IGBT(逆导型绝缘栅双极晶体管)系列产品。该系列产品兼具高耐压、低损耗、参数一致性好、优异的温升控制特性以及出色的过电流能力等优势，有助于构建低碳、高效、安全的大功率家电应用场景，在电磁炉、微波炉、电饭煲等家电中具有非常好的应用适配性。　　一、产品优点　　PIBG第五代RC-IGBT系列(以下简称RC5)基于先进的8英寸微沟槽栅双面光刻工艺平台，在设计上采用优化的VLD高可靠性终端结构，相比第三代RC产品，RC5的元胞电流密度、产品参数一致性以及器件可靠性均实现大幅提升。依托平台及工艺优势，该系列器件在常温及高温工况下展现出显著的性能优势：耐压能力更强、静态导通损耗与动态开关损耗更低、过电流能力大幅提升、产品VF一致性更优。此外在高温环境下，其集成的续流二极管 (FRD) 具有低压降和软恢复特性，与正面IGBT的开关性能形成协同优化效应，显著提升器件在谐振及软开关拓扑应用中的并联一致性。　　二、产品性能　　选取RC5系列中的CRG25T135AKR5H产品与国外厂商的同类RC-IGBT产品进行了实测对比。　　(一)静态特性　　根据静态参数实测对比(如图1-3)，PIBG的CRG25T135AKR5H的关键参数优于友商同规格、同封装产品。具体表现为：耐压值较竞品提升2.5%，饱和压降VCE(sat)较竞品降低6.7%，二极管正向导通压降较竞品降低13%。　　(二)动态特性　　如图4所示，CRG25T135AKR5H在常温、高温条件下关断损耗具有明显优势、Trade-off有显著提升;其动态参数中的开关损耗均优于友商产品。　　以CRG25T135AKR5H为代表的RC5系列产品均通过严格的可靠性考核，特别在HV_HAST和HV_H3TRB等关键可靠性考核项目中表现出很强的参数稳定性。RC5系列产品可覆盖家用、商用大功率电器应用。　　(三)整机测试　　在2100W电磁炉样机上进行应用对比测试，在不同测试电压下，CRG25T135AKR5H壳温和散热片温度均表现良好，且明显低于友商产品。目前，该产品已在国内主流品牌的微波炉、电磁炉中实现量产应用。　　三、产品列表　　PIBG基于第五代RC-IGBT平台进行产品系列化，推出了15A、 25A、30A三款产品，以满足不同应用需求，为客户提供更灵活的选择。　　四、结语　　PIBG第五代高效RC-IGBT系列器件具备正温度系数特性、稳定的高温特性、高可靠性和优异的并联适配性等核心优势，为多种大功率家电提供了高性价比解决方案，共创高效、低碳、安全的智能家居未来。PIBG将于近期推出面向高集成化智能家电市场的650V RC-IGBT Gen5单管及IPM模块，敬请期待!
2026-02-26 14:48 reading：280
华润微电子推出引领行业的高功率密度全套解决方案
热门应用

华润微电子推出引领行业的高功率密度全套解决方案

　　在电动汽车的能量管理系统中，OBC(车载充电机)承担着将交流电网能量高效转换为直流电并为动力电池充电的关键任务。随着市场对高功率密度、低损耗与长寿命电源需求的持续提升，OBC正从单一的AC-DC变换功能向V2X(双向充放电)与HV-LV DC-DC(高压-低压直流变换)一体化集成转型。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)以技术先进、门类丰富的功率器件(如SJ MOS、SiC MOS、IGBT、SGT MOS等)为核心，结合MSOP半桥模块与顶部散热封装技术，提供覆盖前端PFC/LLC与后端HV-LV DC-DC的全套解决方案。该方案凭借紧凑体积、优异的热管理性能和简化系统集成的核心优势，为客户带来显著的市场竞争力。　　面向OBC的关键拓扑与应用场景　　PFC　　核心目标：提高功率因数、降低输入损耗、优化直流母线稳定性。　　技术要点：高效开关、紧凑热设计、稳健的栅极驱动与多级保护。　　LLC　　核心目标：高效直流-直流转换，减小磁性元件体积、减轻其重量。　　技术要点：适配工作谐振频率、优化磁耦合与绕组、热管理一体化设计。　　HV-LV DC-DC　　核心目标：在宽电压范围实现高压到低压的高效率与高功率密度转换，稳定输出低压直流电。　　技术要点：移相驱动的精准控制、散热与屏蔽设计协同、搭载过温、过流、过压、短路等鲁棒性保护策略。　　SR　　核心目标：提升整流效率、降低系统热负荷，确保控制协同与保护一致性。　　技术要点：高效栅极驱动、快速关断、与前级控制的紧密同步。　　PDBG核心器件的协同与创新点　　一、多元功率器件矩阵全覆盖　　SiC 单管/MSOP模块：具有高效开关、耐高温等特性，适用于前端PFC/LLC等高频率应用，显著降低整体热负荷，提升功率密度。　　IGBT 单管/MSOP模块：在大电流场景下实现成本与可靠性平衡，支撑PFC慢管的核心功率传输。　　SJ 单管/MSOP模块：具有车规级稳定性与工艺一致性，确保关键模块的安全裕度。　　SGT单管：为SR同步整流和ORing防反应用提供低损耗、高效率的解决方案，除了传统TOLL封装外，还有TOLT顶部散热封装可供选择。　　二、一体化设计：封装、散热与布局的协同优化　　上下桥集成于同一MSOP封装内协同工作，减少了外部元件数量与缩短走线，降低互连点损耗与系统噪声耦合。　　采用顶部散热的MSOP封装，实现场景内更紧凑的布置与更高的功率密度。　　热阻降低与热循环寿命延长，使热管理与整车布局更加灵活。　　冷却回路协同优化，提升整体散热效率与可靠性。　　三、明星产品MSOP封装半桥模块的核心优点　　封装外形　　产品优点　　参数一致性好　　小尺寸，高功率密度　　低杂散电感(模块和系统)　　顶部散热能力大幅优于传统贴片产品　　可靠的隔离(爬电)　　满足AEC-Q101、AQG324汽车电子功率模块认证要求　　应用优势　　适用于OBC/DC-DC等桥式拓扑平台　　贴片封装，装配灵活，系统杂感低　　减小PCB尺寸和BOM复杂性　　优异的热性能，优化冷却系统设计　　面向OBC应用的全套解决方案　　汽车市场表现　　截至目前PDBG已推出超100颗车规级功率器件，产品矩阵日益完善，其中绝大部分产品实现规模化量产。汽车市场累计出货量超5亿颗，其中，在OBC细分领域市场累计出货量数亿颗。　　01　　携手龙头客户，深度赋能OBC升级：PDBG已成功进入多家国内主流新能源车企及头部Tier-1企业的供应链体系。公司车规级汽车电源管理解决方案广泛应用于新一代高效、高功率密度OBC平台，覆盖从A级车到高端旗舰车型的全系列平台，实现了从技术验证到大规模量产的全周期覆盖，展现出强大的市场渗透力与客户认可度。　　02　　以优异的产品性能，助力单车价值持续提升：在单个OBC模块中，PDBG车规级MOSFET/IGBT等核心器件用量可观。随着OBC技术向双向充电、11kW/22kW大功率等方向演进，市场对功率器件的数量和性能要求同步提升。PDBG功率器件产品具有优异的性能，不仅在PFC、LLC等关键拓扑中稳定运行，更在客户平台化设计中成为优选方案，助力客户降低开发成本，实现单车价值量与市场份额的双重增长。　　03　　严守车规标准，夯实客户信任基石：PDBG锚定“零缺陷”目标，严格遵循AEC-Q101、AQG324汽车电子功率模块认证要求等国际车规标准，构建了从研发设计、晶圆制造到封装测试的全流程车规级质量管控体系;同时配备投资超2亿元、面积超4000平米，并通过30余项CNAS认可的车规级实验室，确保出厂产品满足OBC严苛的工况要求，以稳定可靠的质量表现筑牢客户长期信任的基石。　　04　　发挥IDM商业模式优势，保障产品稳定交付：面对复杂的市场环境，PDBG依托华润微电子6吋、8吋、12吋晶圆产线稳定的规模化产出优势，为客户提供强大的产能保障和灵活的供应链调配能力，全力保障主机厂及Tier-1客户的生产节奏及交付需求，成为客户供应链中值得信赖的合作伙伴。　　05　　提供整套方案，满足客户多维需求：PDBG顺应市场需求，可提供整套方案，提升系统效能，助力客户缩短项目周期、降低综合成本，提升供应链管理效率。某头部新能源车企OBC项目已采用整套PDBG一体化功率器件方案：　　结语　　PDBG凭借多元完备的车规级产品矩阵、优异的产品性能、充裕的产能规模与高效的运营体系，致力于为客户提供高功率密度、高可靠性、低损耗及紧凑一体化功率解决方案。未来，PDBG将以技术创新为引擎、以稳定供应为支撑，携手合作伙伴，缩短产品上市周期，共同推动汽车电动化与汽车芯片国产化进程迈上新台阶。
2025-12-09 14:49 reading：1119
蝉联SiC和GaN双十强！华润微电子荣获2025行家极光奖两项殊荣
行业新闻

蝉联SiC和GaN双十强！华润微电子荣获2025行家极光奖两项殊荣

　　12月4日，2025行家说第三代半导体年会“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳举行。行家极光奖被誉为产业“金标杆”，华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”与“中国GaN器件十强企业(润新微)”称号，蝉联“双十强”荣誉彰显了行业对华润微在第三代半导体领域技术实力与市场地位的高度认可。　　华润微依托IDM商业模式优势，在第三代半导体领域深耕多年，产品技术规模国内领先，SiC和GaN产品销售收入同比实现高速增长。　　华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”　　在SiC领域，公司最新SiC MOS G4与JBS G3平台已全部量产，基于MOS G4平台开发了650V/1200V两大电压共数十颗产品，陆续通过AEC-Q101认证;相较于G2代产品，G4代产品RSP下降20%，Ron温升系数也优化下降，功率密度和转换效率显著提升。器件支持QDPAK、TOLT、MSOP等顶部散热封装，适用于OBC、AI服务器电源等高功率密度场景。模块方面，基于G4芯片的HPD/DCM/VD3等封装的主驱模块产品完成系列化，最低导通电阻仅1.6mΩ，系统损耗再降一档，目前部分产品已实现批量上车。　　技术布局上，8英寸SiC MOS于2025年8月顺利产出，参数、良率均达预期，已经开始产品系列化工作。2200V高压平台完成验证并启动系列化，公司实现650V-2200V全电压段一站式覆盖，自有晶圆产线掌握核心工艺，良率与质量管控满足高端车规，新能源汽车、充电桩、光伏、数据中心等标杆客户均已稳定批量提货。　　华润微电子再度荣膺“中国GaN器件十强企业(润新微)”　　在GaN领域，华润微在技术迭代、产能建设与客户合作等多个维度取得关键突破。针对不同电压等级GaN器件，公司采取双轨技术路线：在650V及以上高压器件领域，公司首先采用D-mode技术路线并依托6英寸晶圆产线实现规模化量产。其中，600V-900V产品已完成G3迭代,且进入了量产阶段,G4平台的大功率工控类产品已成功通过客户验证，并完成DFN、TOLL、TOLT、TO-252、TO-247、TO-220等多类封装规格的拓展适配，G5平台已启动研发。　　在40V-650V器件领域，公司同步采用E-mode技术路线，并依托8英寸晶圆产线进行生产。G1平台的工艺开发已经完成，其中40V双向充电OVP保护器件已通过可靠性验证，进入小批量试产阶段并进入国内头部手机用户供应商序列;40V单向、80V、100V、650V等不同规格的器件研发持续推进。此外，华润微已在GaN E-mode外延结构及器件领域完成多项自有专利布局，为后续角逐高端市场竞争构筑起坚实的技术壁垒。　　产能建设方面，公司外延中心正式投用，产能稳步提升;8英寸E-mode外延能力打通，计划于年底启动研发。 D-mode和E-mode成熟工艺平台加速迭代，产品供应持续扩大;新建平台开发工作持续稳步推进，预计在较短时间内会形成产品交付能力。华润微GaN产品具有高效率、低能耗、高频率、小体积等优点，可广泛应用于手机快充、数据中心电源、5G通信电源、高端电源、伺服电机、车载信息娱乐系统及汽车、人工智能计算芯片供电、人形机器人、激光雷达等应用领域。　　在全球数字化与智能化浪潮中，以SiC和GaN为代表的第三代半导体正迎来前所未有的市场机遇期。未来，华润微电子将坚持技术引领，坚定全产业链布局，加速SiC和GaN产品迭代与产能释放，以更高效、更可靠的半导体解决方案，助力客户实现价值突破，携手产业链伙伴共同推动第三代半导体产业的创新升级与可持续发展。
2025-12-09 14:28 reading：705
华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车
行业新闻

华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车

　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。
2025-10-16 15:06 reading：991
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