内存价格终于要降了?<span style='color:red'>3D NAND产能</span>是关键
全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩,年收入比2016年增长了22%,达到4291亿美元。这是根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出的,HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。这一需求的增长使得三星电子作为全球领先芯片制造商占据第一位置,领先于竞争对手英特尔,而英特尔已经占据第一的位置有25年之久。2017年,三星的收入增长了54%。IHS表示,动态随机存取存储器芯片的销售总额增长了77%,而闪存芯片的销售额增长了47%。随着全年供应日益紧张,市场也受到明显影响,随着需求增加,2017年下半年收入也开始大幅增加。IHS表示,过去十年中DRAM和闪存的增长率是最高的。需求的增长也推动内存芯片制造商SK Hynix和Micron年增长率达到80%左右,分别在全球排名第三和第四位。IHS表示,一些半导体制造商的无晶圆厂商业模式(包括将芯片设计出售给第三方代工厂进行生产)也出现了大幅扩张。例如,智能手机芯片制造商高通公司(Qualcomm)去年的增长率为9.5%,尽管与苹果公司在法律上的纠缠令其盈利受到影响。Nvidia也首次跻身全球前十大芯片制造商行列。随着市场对其GPU的促球不断增长,使得Nvidia收入增长了42%,这些GPU越来越多地用于高性能计算和自动驾驶汽车等机器学习应用中。不过,IHS警告说,随着芯片制造商开始生产用于大数据内存处理的3D NAND闪存技术,整个行业可能会再次进行洗牌,例如英特尔为数据中心设计的Xpoint非易失性内存芯片。IHS内存和存储部门高级主管Craig Stice表示,目前向3D NAND的转换机会占到了生产的四分之三,并且将缓解来自SSD和移动市场的强劲需求。“价格预计将开始大幅下降,但2018年NAND市场仍然可能创下历史新高。”
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发布时间:2018-04-08 00:00 阅读量:1424 继续阅读>>
美光:年底<span style='color:red'>3D NAND产能</span>占比升至80%,下一代产品高于72层
近日,美光副总裁Jonathan Shaw应邀出席中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit),演讲结束后接受了国际电子商情记者采访,谈到最近存储市场的情况。 美光64层3D NAND后将超过72层数 近两年,几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND,美光的3D NAND Flash于2016年底量产,第二代64层3D NAND于2017年进入量产,由32层32GB开始做起,目前已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示,2017年底出货量会非常大,已有基于QLC的裸片样本,未来将投放到市场中。 2017年第二季度,美光NAND Flash市场份额为12.9%。受惠于企业SSD需求、市场供应短缺,以及3D NAND产能上升,NAND Flash营收表现良好。 Jonathan Shaw介绍,现在美光有一个管理机构,从生产角度提升产能并进行技术转化。在接下来的一年配备全自动化生产的工厂将有效促进产能的增加。 现在各家原厂正积极的扩大64层/72层3D NAND的量产,三星、东芝/西部数据等也正在规划向下一代96层或更高的层数的QLC发展,当问及美光的72层 3D NAND有何进展时,Jonathan Shaw回答,美光的下一代产品必将超过72层,一切都在有条不紊的进行中。 美光还非常看好SSD市场的发展,伴随着3D NAND技术的快速发展,有机会通过3D TLC的SSD取代企业级HDD市场。企业级SSD出货将随着数据中心的需求而增长,因此美光未来的营收成长也将持续看好。 NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度 由于技术转换,2D NAND产量缩小,以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足,价格强劲上涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0.12美元上涨到0.3美元以上,主流的eMMC产品上涨幅度超过60%,SSD产品超过80%。Jonathan Shaw认为,闪存缺货形势或将于2018年第二季度缓解,但不是特别确定。他同时认为,供货情况应从细分市场来看,像存储卡类的市场供应并不紧张。 实际上,据了解缺货能否得到缓解也要看几个因素。例如3D NAND的良率情况,各大厂商的扩产情况等。三星、西部数据、东芝、美光、英特尔等都已将扩展提上日程。现在美光新加坡IMFS Fab10N为美光3D NAND主力出货工厂,作为扩产计划的一部分,美光新加坡IMFS Fab10X工厂在2017年第一季度开始试产3D NAND,且将100%用于3D NAND生产。据介绍,2016-2017财年,美光3D NAND的生产占比约为75%,今年底将提升至80%。之所以保留了少部分2D NAND产能,是因为在车载、嵌入式应用、通讯设备方面都有长周期需求,故还将持续供货2D NAND。 三星尽管最先量产3D NAND,不过基本以自用为主,现在3D NAND释出市场的大部分为美光供应。美光也非常看好中国市场潜力。Jonathan Shaw表示,因为上游存储芯片供应商有限,导致市场并没有太多选择,而中国大陆市场基数大,需求旺盛,创新企业非常多,情形像极了四五年前的台湾。因此,美光也对中国大陆市场倾注更多的关注和供应。
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发布时间:2017-09-25 00:00 阅读量:1637 继续阅读>>
东芝“卖血记”后续:迅速提升<span style='color:red'>3D NAND产能</span>追赶三星
东芝公司已正式在9月20日决定将旗下半导体事业以2兆日圆出售给由美国私募股权业者贝恩资本(Bain Capital)代表的美日联盟,由于此出售案较预期延宕,对于NAND Flash市场的产能影响,预期要到明年上半年才会趋于明显;中长期而言,在资金到位的情况下,将有助东芝在3D-NAND产能与技术上力拼三星。 DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出,此次出售案的收购对象日美韩联盟成员中包括日本政府支持的产业革新机构(INCJ)财团、日本发展银行(DBJ)、贝恩资本(Bain Capital)及韩国的SK Hynix集团等资金来源,加上苹果等业者,此阵营若能取得东芝经营权,在国家力量的支持下,管理高层的变动性与公司未来经营方向的变化性预料不会有太大的变化。 新成员加入对于东芝/西数阵营,未来在新技术研发方向与新产能建设上无疑是注入一剂强心针。平均而言,一座NAND Flash新厂耗资约80亿美元(月产能约8-10万片),若是只靠东芝或是西数单一财务能力来看,长期而言,无论是在扩产或是技术研发皆难以与龙头三星比拼。就全球3D-NAND产能分布来看,东芝/西数阵营今年第二季的3D-NAND月产能只占总产能的10-15%水平,反观其主要竞争对手三星,其3D-NAND月产能占比已超过40%;美光/英特尔阵营的3D-NAND产能从去年下半年量产后,预期今年第三季占比将会突破40%。造成东芝/西数阵营落后的原因,即在于东芝母公司的财务问题。 观察东芝/西数阵营在3D-NAND的布局状况,今年上半年主流制程为48层3D-NAND,预期今年第四季3D-NAND的占比将会占东芝/西数阵营整体产能约30%水平。在产能规划上,新的半导体厂房Fab6在2017年3月已开始动工兴建,预计在2019年才会开始量产最新的3D-NAND产品。值得注意的是,由于东芝与西数目前对于新厂的合作态度与先前有所不同,所以日后可能仍有变数存在。就短期的影响来看,陈玠玮表示,因为股权标案落幕时间较原先东芝规划来得晚,所以对市场的影响也会后推至明年上半年。预估在东芝3D-NAND产能扩充与良率提升速度可望优于预期下,加上明年上半年市场需求能见度不高的情形下,市场预期会转变成供过于求的状况,进而导致NAND Flash价格反转向下。 中长期影响:资本支出不再受制母公司,大幅改善决策效率与积极度 观察中长期的影响,东芝经过这次股权标案后,将独立于东芝集团之外成为百分之百的NAND Flash半导体公司,未来新公司的资本支出结构将不用再受到东芝母公司过去财务问题与内部间资源分配不均的拖累,而能更专注在NAND Flash相关的技术与产能投入,未来无论是在策略积极度、决策效率上都将较以往提升。 最后,观察本次的出售案,若要顺利成行,关键的决定因素仍在于西数的态度以及双方未来可能的协商状况。目前东芝与西数仍共同出资持有生产工厂,东芝与西数持有比重为55:45,东芝若确定出售,未来与西数的合作模式与状况,以及新厂产能如何分配,也将成为重要的观察指标。
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发布时间:2017-09-22 00:00 阅读量:1718 继续阅读>>

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