特斯拉HW4.0芯片将由台积电代工？使用其<span style='color:red'>7nm工艺</span>制造
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特斯拉HW4.0芯片将由台积电代工？使用其7nm工艺制造

　　与非网 8 月 19 日讯，近日，有媒体报道称，全球半导体设计龙头博通(Broadcom)与特斯拉共同开发的新款高效能运算(HPC)晶片，将以台积电 7 纳米制程投片，并采用台积电整合型扇出(InFO)系统单晶圆先进封装技术。该款晶片预计今年第四季度开始生产，初期投片约达 2000 片规模，明年四季度后进入全面量产阶段。　　HW 4.0 芯片，将由目前在芯片制程工艺方面走在行业前列，苹果、AMD 等一众厂商信赖的芯片代工商台积电制造。　　外媒进一步指出，HW 4.0 芯片采用的台积电在 2018 年开始量产、已经非常成熟的 7nm 工艺制造，并不会采用台积电目前最为先进的 5nm 工艺。　　早在 2016 年，特斯拉就开始建立由传奇的芯片设计师 Jim Keller 领导的芯片开发团队，以开发能用于自动驾驶的高效芯片。去年 4 月，特斯拉推出了 HW3.0 自动驾驶芯片，今年该芯片已经被安装在特斯拉旗下车辆中。　　不过外媒也指出，HW 4.0 芯片还需要一段时间才会大规模应用。外媒在报道中就提到，这一款芯片在明年四季度才会大规模量产，在 2022 年之前，并不会用于向消费者销售的电动汽车。　　由于今年只是投产、又是专用性很强的汽车芯片，因而初期的产能并不会很高。预计是 2000 片 12 英寸晶圆的产量，每片晶圆有 25 颗 HW 4.0 芯片。　　虽然初期的产量并不会很高，但为特斯拉代工芯片，对台积电未来的发展非常有利。特斯拉是目前在电动汽车方面走在行业前列的厂商，电动汽车的销量逐年大幅增加，去年的产量和交付量均超过了 36 万辆，今年的目标是交付 50 万辆电动汽车。而随着电动汽车市场的不断壮大，技术领先的特斯拉，会进一步显现出他们的优势，对芯片的需求也将逐年增加。
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发布时间：2020-08-20 00:00 阅读量：1407 继续阅读>>
<span style='color:red'>7nm工艺</span>延期推出股价暴跌，英特尔解雇总工程师
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7nm工艺延期推出股价暴跌，英特尔解雇总工程师

7月28日消息，据国外媒体报道，芯片制造商英特尔公司宣布解雇总工程师默蒂·伦杜钦塔拉(Murthy Renduchintala)，原因是公司未能跟上最新的制造进展。据悉伦杜钦塔拉将于8月3日离职，其领导的部分将被拆分，并由公司其它高管负责。英特尔在一份声明中表示，它之所以实施这些举措是为了“从领导能力层面推动产品加速，提高工艺技术执行的重点和责任心”。当伦杜钦塔拉于四年前加入英特尔时，个人被称赞拥有提升英特尔设计水平所需的经验。他后来被提升到现有职位，负责芯片制造，也是改善芯片性能的关键部门。上周，英特尔首席执行官鲍勃·斯旺(Bob Swan)向投资者表示，该公司新的7纳米芯片技术比计划落后6个月，英特尔可能会掏钱，转而外包生产芯片。在此之前，的新制程工艺也被推迟了多年。该股上周五暴跌16%，周一又下跌2%。 在芯片设计大师吉姆·凯勒（Jim Keller）最近辞职后，英特尔也在努力招聘一名长期的芯片设计负责人。
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发布时间：2020-07-28 00:00 阅读量：1598 继续阅读>>
时间上落后台积电<span style='color:red'>7nm工艺</span>,三星能靠EUV技术翻盘?
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时间上落后台积电7nm工艺,三星能靠EUV技术翻盘?

台积电因连续在14/16nm FinFET、10nm工艺上落后于三星，其急于在7nm工艺上取得领先优势，宣布将在明年初量产7nm工艺，三星也在明年量产7nm工艺，不过后者明年就会引入EUV（极紫外光微影）技术，在事实上领先台积电。     这一情形，其实在16nmFinFET工艺上出现过，当时台积电率先于2014年三季度投产16nm工艺，然而因为该工艺的能效不如20nm，导致少有客户采用，仅有的两个客户之一的华为海思也不过是用16nm工艺生产其对能效要求不高的网通处理器，其两个大客户高通和苹果都采用20nm工艺生产骁龙810、A8处理器。 于是台积电加紧为16nm引入FinFET工艺，直到2015年三季度才投产16nm FinFET工艺，而三星则在2015年一季度即投产14nm FinFET工艺。 由于三星的14nm FinFET工艺表现优异，采用该工艺生产的Exynos7420处理器表现优异；而采用台积电20nm工艺生产的高通的骁龙810出现了发热问题，骁龙810是高通首款采用ARM公版核心A57和A53的芯片，受骁龙810发热的影响，华为海思和联发科都放弃了采用ARM高性能公版核心A57推手机芯片的计划，这让三星的Exynos7420成为2015年Android手机芯片市场的性能之王。 三星于2016年四季度量产10nm工艺，台积电则于今年初量产10nm工艺，两家都出现了良率问题。似乎三星10nm工艺的良率提升较快，采用该工艺生产的骁龙835和Exynos8895芯片开始规模上市并用于它自家的Galaxy S8手机上，中国大陆的手机品牌小米也已采用骁龙835芯片推出小米6手机，再次领先台积电一局。 为扳回局面，台积电宣布将在明年初量产7nm工艺，有可能先于三星量产7nm工艺。不过消息指台积电的7nm工艺并没引入EUV（极紫外光微影）技术，其要到2019年才会推出采用EUV技术的7nm工艺，重演了16nm FinFET的历史，三星的7nm工艺则会引入EUV技术。 三星率先引入EUV技术，将会帮助它在更先进的5nm等工艺上领先台积电。EUV光刻被认为肩负着缩小晶体管尺寸的重任，是开发7nm、5nm等更先进工艺的关键，这与FinFET工艺帮助半导体制造工厂从20nm工艺提升至14/16nm相似。 当然三星方面似乎也担心自己采用EUV技术的7nm工艺能否按时量产，将会推出10nm工艺的改良版8nm工艺，以与台积电的7nm工艺竞争。 这就引发了一场争论，高通的下一代高端芯片骁龙845会采用台积电的7nm、三星的8nm或者采用EUV技术的7nm？考虑到台积电的先进工艺产能难以满足苹果和高通两大芯片企业的需求以及三星采用EUV技术的7nm工艺无法在明年初量产的问题，骁龙845很可能会采用三星的8nm工艺。
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发布时间：2017-06-19 00:00 阅读量：1315 继续阅读>>

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