佰维存储推出工规级宽温<span style='color:red'>LPDDR4X</span>芯片，高可靠性赋能工业与汽车电子应用
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佰维存储推出工规级宽温LPDDR4X芯片，高可靠性赋能工业与汽车电子应用

　　近日，佰维存储发布了工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片，该产品传输速率高达4266Mbps，容量覆盖2GB~8GB，可适应-40℃~95℃宽温工作环境;采用BGA 200 Ball封装，尺寸小至10.0x14.5x1.0mm，满足数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化等众多工业领域的高质量存储需求。　　传输速率达4266Mbps，性能功耗双升级　　佰维工规级LPDDR4X遵循JEDEC设计标准，传输速率高达4266Mbps，VDDQ电压低至0.6V，融入PASR(Partial Array Self-Refresh)休眠机制，相较上一代LPDDR3产品性能提升128%，功耗降低超过50%，实现更高速率基础上的更低功耗，不仅可高效、及时响应系统操作指令，支持多线程任务管理，还将助力工业/汽车电子设备节能续航，从容应对高强度的工作负载。此外，产品内置ODT、DQS技术特性，增强信号稳定性与抗干扰能力，优化客户的数据传输体验。　　严格的工规级设计与测试，-40℃~95℃宽温工作，坚守稳定与可靠性　　佰维构建起贯穿产品全生命周期的工规级质量管理流程，覆盖工车规产品选型、软硬件设计、封装测试、生产制造以及供应体系管理的各个阶段。佰维工规级LPDDR4X采用高标准的工业级基板和封装材料，支持-40℃~95℃宽温工作环境，无惧恶劣的作业场景;采用BGA 200 BALL封装，可高度兼容市面上主流的操作系统与平台。　　依托公司自主开发测试软件平台与核心测试算法，搭配公司引入的爱德万、Turbocats等高端半导体测试设备，佰维工规级LPDDR4X嵌入式产品100%经过ATE电性测试、高低温测试、老化测试、SLT系统级测试，有力确保产品在实际使用中的性能一致性和持久耐用性。　　长期稳定供应，经验丰富的专业团队，产品全生命周期服务　　公司拥有惠州佰维先进封装测试制造中心，构建了高效且持久稳定的产能供应体系，可为LPDDR4X产品提供长期供货保障;同时，公司拥有全球分布的立体化销售、生产交付网络及一流的市场营销服务团队，为行业客户提供快速、高效、专业的全生命周期服务，包括不限于实时的FAE支持、本地化服务、联合技术开发等。　　佰维工规级LPDDR4X作为佰维特存品牌中高标准的嵌入式存储产品，兼具高可靠、高性能、高耐用、长寿命等优势，旨在为工业级、汽车客户提供高附加值、颇具竞争力的产品，赋能数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化、安防监控、工业IPC、电力、医疗、金融终端等领域迈向数智化新程。　　佰维特存　　佰维特存是佰维存储旗下专注于工车规市场的存储品牌，致力于为工业级与汽车电子应用打造高可靠、高安全、可信赖的存储解决方案，产品涵盖固态硬盘、内存模组、嵌入式存储、存储卡等完整的品类矩阵，广泛应用于数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化、安防监控、工业IPC、电力、医疗、金融终端等多元化领域。基于公司在工业级软件算法、介质研究、硬件设计、封装测试、供应连续性保障等关键领域所构建的坚实能力，佰维特存将持续丰富产品类型，为客户提供性能优越、品质优良的存储解决方案以及完善的服务体验。
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发布时间：2024-05-06 13:39 阅读量：730 继续阅读>>
佰维BIWIN推出基于<span style='color:red'>LPDDR4X</span> 144球的ePOP存储芯片，已通过高通5100平台认证
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佰维BIWIN推出基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片，已通过高通5100平台认证

　　智能穿戴设备不断向多功能集成、持久续航、使用体验流畅等方向发展与升级，对存储芯片在尺寸、功耗、性能和应用调校等诸多方面提出了更高要求，ePOP存储芯片凭借小尺寸、低功耗、高性能和高可靠等特点，成为智能穿戴设备的绝佳选择。佰维存储基于前代LPDDR3 ePOP产品的成功经验，面向高端智能手表推出了基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片，方案相较前代产品频率提升了128.6%、体积减少了32%，并正式通过高通5100平台认证。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP采用eMMC5.1与LPDDR4X合封的形式，芯片尺寸仅为8.0mm× 9.5mm×0.8mm，ROM顺序读写速度分别高达310MB/s、240MB/s，RAM频率高达4266Mbps，容量组合最高至32GB+16Gb（未来将推出容量64GB+16Gb），是佰维面向高端智能手表推出的新一代旗舰存储解决方案。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP优势：　　1.符合JEDEC标准，集成eMMC5.1和LPDDR4X，且通过直接贴装在SoC芯片上，赋能智能手表轻薄设计。　　2.基于低功耗LPDRAM和固件优化降低功耗，且相较前代ePOP产品频率提升128.6%，兼顾低功耗、高性能。　　3.具有全局磨损平衡管理、LDPC纠错算法、支持FFU升级等功能，且支持-20℃~85℃宽温工作环境，护航数据完整、可靠存储。　　4.通过高通5100 SoC平台认证，助力终端客户简化系统设计、加速终端产品上市。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP产品凭借高性能、低功耗、高可靠等特性，从存储端提升智能手表等智能穿戴设备的整体使用体验。其中，ePOP的高性能特性，可为设备提供高效快速的数据存储支撑，助力提升设备开关机、APP启动关闭、熄屏锁屏等操作的流畅性，同时能够高效处理不同传感器差异化负载和多线程存储需求，确保快速响应用户的操作和指令；ePOP的低功耗特性，在设备多线程、高负载、长时间工作的场景中，助力减少设备发热，防止设备宕机以及产品过热影响用户体验；ePOP的高可靠特性，能够从容应对设备蓝屏、冷启动、复位等异常情况，保证数据完整存储的同时，助力设备稳定、可靠运行。　　相较于通用型的手机存储芯片而言，智能穿戴存储在通用型存储解决方案的基础上对于厂商的快速响应和客制化能力也相应的提出了更高的要求。佰维ePOP存储芯片则集中体现了公司研发封测一体化布局的优势：凭借在研发能力支持下的高性能、低功耗优势，以及在专精的存储器封测能力支持下小尺寸、高可靠等优势，公司的ePOP等智能穿戴存储产品已进入全球TOP级客户的供应链体系，并占据优势份额。在实际的合作案例中，佰维协同终端客户一起，展开了SOC平台、存储、系统、应用等多方联动的调校支持与赋能，洞悉用户使用场景并不断优化，致力于让终端设备体验更流畅和丝滑，打造终端产品的强势竞争力。
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发布时间：2023-07-17 10:10 阅读量：1408 继续阅读>>
SK海力士扩产DRAM,<span style='color:red'>LPDDR4X</span>和GDDR6是重头戏
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SK海力士扩产DRAM,LPDDR4X和GDDR6是重头戏

以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本，但制程愈趋于先进，研发难度提高，投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变，SK海力士（SK Hynix）期盼借由技术创新开拓全球市场。 据韩媒每日经济报导，SK海力士计划在2017年下半提高10纳米级DRAM生产比例，并持续增加14纳米NAND Flash产量，以取得更具优势的成本竞争力，提高事业获利性。 SK海力士将持续以大规模研发投资提高技术竞争力。 资通讯技术发达带动存储器需求成长，移动装置用DRAM及NAND Flash产品的容量持续增加，用于大数据及云端资料中心的服务器DRAM、固态硬碟（SSD）需求激增，人工智能（AI）、深度学习（Deep Learning）的技术发展更是带动存储器需求扩大的市场利基。 2017年1月SK海力士推出LPDDR4X，是全球最高容量的超低功耗移动装置DRAM；4月开发出超高速绘图DRAM Graphics DDR6（GDDR6），可作为AI、虚拟实境（VR）、自驾车、4K以上高像素显示器的存储器解决方案。 在NAND Flash部分，2017年SK海力士成功开发72层3D NAND Flash之后，已在7月启动量产，比原本48层产品生产力提高30%，芯片内部运作速度提高两倍，读写性能提高20%，并且推出搭载自主研发控制器的移动装置用eMMC产品及PCI介面固态硬碟，以高性能、高可靠度的3D NAND Flash解决方案强化事业竞争力。 SK海力士为了取得控制器技术，2012年购并美国Link A Media Devices与义大利Ideaflash S.r.l.，2013年购并台厂银灿科技控制器事业部，2014年购并Softeq Development FLLC。2012年在韩国京畿道盆唐成立Flash解决方案设计中心，2013年在韩国科学技术院（KAIST）校园内成立储存媒体解决方案中心。 在相关投资方面，2016年SK海力士执行6.29兆韩元（约56亿美元）投资计划，2017年投资规模上看7兆韩元，并且计划在2019年6月底前投资2.2兆韩元于清州兴建NAND Flash工厂。研发经费投入2016年为2.10兆韩元，占营收12.2%。 SK海力士表示，在变化多端的半导体市场与竞争结构中，唯有透过大胆进行研发投资加强技术竞争力，才能维持市场领导地位。
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发布时间：2017-07-25 00:00 阅读量：1511 继续阅读>>

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