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<span style='color:red'>内存</span>的种类都有哪些?有什么区别

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内存的种类都有哪些?有什么区别

　　在计算机领域中，内存是一种关键的硬件组件，用于存储数据和程序代码，以便 CPU 快速访问。不同类型的内存具有各自独特的特点和用途，本文将详细介绍几种常见的内存类型及它们之间的区别。常见的内存类型　　1. RAM　　RAM 是计算机中最常见的内存类型之一，用于临时存储正在运行的程序和数据。RAM 可以快速读写数据，但是当电源关闭时数据会被清空。RAM 主要分为以下两种类型：　　DRAM(Dynamic RAM)：DRAM 需要定期刷新以保持数据的有效性，是最常见的 RAM 类型之一。　　SRAM(Static RAM)：相比 DRAM，SRAM 不需要刷新，速度更快，但成本更高，通常用于高速缓存。　　2. ROM　　ROM 是另一种类型的内存，其中的数据通常由制造商预设并固化在芯片中，用户无法直接修改。ROM 中的数据在断电后仍然保持不变，因此常用于存储启动程序和固件。　　3. EEPROM　　EEPROM 具有可擦写功能，允许用户多次写入和擦除数据，通常用于存储设备配置信息和小程序。　　4. Flash Memory　　Flash 存储器类似于 EEPROM，但更快、更便宜，广泛用于移动设备、SSD 和 USB 驱动器等应用。　　5. Cache Memory　　高速缓存内存在 CPU 和主内存之间起到桥梁作用，加快数据访问速度。Cache 分为多级，包括 L1 Cache、L2 Cache 和 L3 Cache 等。　　2.内存种类之间的区别　　1. 存储速度　　不同类型的内存具有不同的存储速度。例如，Cache Memory 是最快的，而 ROM 在读取数据时速度较慢。　　2. 数据保持性　　RAM 是易失性内存，关机后数据丢失，而 ROM 和 Flash Memory 是非易失性内存，数据可以长时间保持。　　3. 擦写能力　　EEPROM 和 Flash Memory 具有擦写能力，用户可以多次修改其中的数据，而 RAM 和 Cache Memory 只能暂时存储数据。　　4. 用途　　不同类型的内存用途各异，例如 RAM 用于运行程序，Cache Memory 用于提高数据访问速度，ROM 用于存储程序固件等。　　内存是计算机系统中重要的组件，不同类型的内存各有优劣，适用于不同的场景和需求。了解各种内存类型的特点和区别，可以帮助人们选择适合其需求的存储解决方案，并更好地理解计算机系统的工作原理。

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内存

发布时间：2024-09-14 09:25 阅读量：452 继续阅读>>

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详解DDR内存条测试座的性能优势及其适用范围

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DDR内存条

发布时间：2024-07-17 15:27 阅读量：392 继续阅读>>

<span style='color:red'>内存</span>和SDD价格或再涨20%！

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内存和SDD价格或再涨20%！

　　6月4日消息，近日，PC厂商戴尔透露，预计今年内存和固态硬盘价格将再升20%。　　戴尔公司首席运营官杰夫-克拉克(Jeff Clarke)表示，大部分市场需求将围绕功能强大的人工智能服务器展开，这些服务器需要高带宽内存和高速内部及外部存储。　　预计今年下半年固态硬盘和DRAM的成本将增加15%至 20%，对于厂商来说，则要把压力转嫁给买家。　　DRAM和NAND芯片行业陷入动荡已有一段时间。2023年，芯片制造商发现自己面临着库存过剩的问题，这导致固态硬盘和内存价格屡创新低，虽然这对消费者来说是好事，但对企业来说就不是那么美好了。　　几家制造商在今年下半年缩减了生产规模以帮助纠正库存问题，但根据戴尔的最新警告，他们似乎做得太过分了，现在要解决的问题恰恰相反：需求太多，供应不足。

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SDD

发布时间：2024-06-04 13:33 阅读量：447 继续阅读>>

TDK 推出增强型嵌入式电机控制器，<span style='color:red'>内存</span>、功率和可靠性均有提升

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TDK 推出增强型嵌入式电机控制器，内存、功率和可靠性均有提升

　　•可提供4 x 1 A 峰值电流，适用于驱动无刷直流(BLDC)、有刷直流(BDC)和步进电机　　•采用 4 KB SRAM、2 KB EEPROM(32 KB)和 64 KB 闪存设备　　•SEooC ASIL B 级，符合 ISO 26262 标准，可支持功能安全应用场景　　TDK 株式会社(TSE：6762)进一步扩充 Micronas 嵌入式电机控制器系列 HVC 5x，完全集成电机控制器与 HVC-5222D 和 HVC-5422D，以驱动小型有刷(BDC)、无刷(BLDC)或步进电机。*与热门型号 HVC 5221D 相比，此系列已实现显著增强，驱动电流、SRAM 加倍，EEPROM 是原来的四倍，同时可保持引脚兼容。样品现可供客户评估。计划于 2025 年第一季度投产。　　最新款电机控制器型号 HVC 5222D 和 HVC 5422D 分别提供 32 KB 和 64 KB 的扩展闪存容量，BLDC 和步进电机支持高达 1 A 的电流，直流电机支持高达 2 A 的电流，外加先进的电机专用功能，例如针对微步进和集成相位电压比较器的电流编程、虚拟星点，以及面向基于传感器和无传感器电机控制的电流检测放大器等，符合 ISO26262 标准，并适用于 ASIL 应用。　　HVC 系列已扩充至包含 9 个完全集成电机控制器，配备 3 到 6 个电机端口输出，能够提供从 500 mA 到 2 A 的峰值电流。每台设备均由 32 位 Arm® Cortex®-M3 CPU 内核供电，提供 32 KB 或 64 KB 闪存选项。这些设备配备了用于多种测量的 12 位 1-µs ADC，可以无缝集成 TDK 的霍尔传感器和 TMR 传感器。此外，HVC 系列设备配有用于通信的 LIN 收发器和 UART，支持通过总线分流方法(BSM)进行自动寻址，从而增强其在各种应用中的适应性。此系列还支持通过 LIN 通信引脚进行 PWM 控制。所有 HVC 设备均已通过汽车 AEC-Q100 标准的一级温度认证，能够确保可靠性，并满足功率要求高达 30W 的汽车和工业应用。

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TDK

发布时间：2024-04-09 11:40 阅读量：472 继续阅读>>

三星独家供货英伟达12层HBM3E<span style='color:red'>内存</span>

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三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

　　据媒体报道，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC 2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。　　今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM内存。　　据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。　　同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。　　在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。　　据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。

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三星

发布时间：2024-03-25 16:30 阅读量：784 继续阅读>>

传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3<span style='color:red'>内存</span>

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传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存

　　据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。　　此外，还有业内人士透露，三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计，在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下，HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。　　据悉，英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品：分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。　　H200 是目前世界上最强的 AI 芯片，也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU，基于 NVIDIAHopper 架构打造，与 H100 相互兼容，可提供 4.8 TB/s 速度。　　在人工智能方面，英伟达表示，HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供，与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘)，并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署，将于 2024 年第二季度推出。　　英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视，这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。

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英伟达

发布时间：2024-01-02 16:50 阅读量：1401 继续阅读>>

三星计划于2025年推出新一代<span style='color:red'>内存</span>HBM4

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三星计划于2025年推出新一代内存HBM4

　　三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。　　他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF(非导电粘合膜)组装技术和HCB(混合键合)技术，以应用于该产品。　　此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。　　行业机构预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。　　虽然HBM4技术将有重大突破，但它的推出时间并不会很快，因此讨论其应用和普及还为时过早。业内人士指出，当前HBM市场主要以HBM2e为主，未来HBM3和HBM3e将成为主流。　　据悉，HBM芯片是一种高带宽内存芯片，被广泛应用于高性能计算、数据中心、人工智能等领域。HBM芯片采用3D堆叠工艺，将多个DRAM芯片堆叠在一起，以实现更高的内存带宽和容量，同时减小了芯片面积，降低了功耗和成本。

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三星

发布时间：2023-10-13 09:20 阅读量：1364 继续阅读>>

佰维推出高品质DDR5<span style='color:red'>内存</span>模组

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佰维推出高品质DDR5内存模组

　　随着PC、服务器等应用终端不断升级迭代，其在数据存储上对低延迟、低功耗、高速度、大带宽等提出了越来越高的要求，导入拥有更高性能、更稳定可靠的DDR5内存模组或将成为更好的存储解决方案。近期，佰维新推出高品质DDR5 UDIMM、SODIMM内存模组，以更好应对市场挑战。　　佰维DDR5内存产品特点　　数据传输速率大幅提升，轻松实现多任务处理　　佰维DDR5 UDIMM和SODIMM内存模组数据传输速率达4800Mbps，突发长度和预取长度扩展到16位，使得存储器单一读写指令可存取的数据量是DDR4的两倍；此外，DDR5每个模块均拥有两个独立的32位I/O子通道，双通道设计在保证大带宽的同时，可提高存储器存取效率，大幅缩短存取延迟，提高信号完整性，保障PC等终端轻松实现多任务处理。　　更低电压与崭新电源架构，有效降低功耗　　佰维DDR5模组工作电压从DDR4的1.2V降低至1.1V，将电源管理系统从主板拆分，集成IC至模组本身（PMIC），可更高效控制系统电源负载，调节电源纹波、电压和上下电时序，提升信号完整性与兼容性，并有效降低功耗。　　芯片单元容量翻倍，提供更多容量选择　　佰维DDR5采用八个Bank Group组成的32 Banks，相较于DDR4的16 Banks增加一倍，提升了单片芯片存储密度，单条容量相应提升，为内存模组容量提供8GB~32GB的多种选择。　　On-Die ECC纠错+智能温感控制，高稳定、高可靠　　佰维DDR5模组采用高品质晶圆颗粒，支持片内纠错（On-Die ECC）机制，每128位元数据就附带8位元纠错码；产品使用一组差分信号（DQS_t和DQS_c）来捕获数据，一组差分时钟（CK_t和CK_c）来捕获命令、地址和控制信号，差分时钟和数据选通确保了这些信号的特殊抗噪性，并提供精确的触发沿来捕获输入信号，大大提高了模组的数据传输可靠性；此外，佰维DDR5模组支持智能温感控制，可有效避免存储器因过度发热、温度过高造成数据丢失。　　未来展望　　当下，除传统应用终端（如手机、PC、服务器等）迅速更新迭代外，5G、AI等新兴技术亦不断发展，随之而生的各种应用终端迅速占领市场，对高效能运算提出要求。DDR5在性能上的巨大飞跃使其能广泛应用于上述领域（PC、服务器、AIoT、5G应用），并为AR/VR设备、边缘计算、工控等各种高性能、高可靠需求领域终端赋能。　　佰维积极布局DDR5内存模组，构建全栈产品线，公司的全栈测试能力也为DDR5产品提供量产品质保证。未来，佰维将继续充分发挥研发封测一体化优势，在已量产的DDR5 UDIMM、SODIMM产品基础上，开发生产DDR5 RDIMM产品，全力推动DDR5时代的到来。

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佰维

发布时间：2022-12-26 10:42 阅读量：1770 继续阅读>>

华为<span style='color:red'>内存</span>芯片订单出现高峰，三星Q3净利大涨58.1%

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华为内存芯片订单出现高峰，三星Q3净利大涨58.1%

与非网 10 月 9 日讯，全球最大的内存芯片和个人电子产品制造商三星电子于周四发布了未经审计的初步业绩预报。据报告显示，其第三季度营业利润同比大增 58.1%至 12.3 万亿韩元(106 亿美元)，超过市场预期的 10.5 万亿韩元（约合 90.7 亿美元）三星预计，第三季度的综合销售额约为 66 万亿韩元，较上年同期增长约 6.5%。尽管该公司没有提供每个业务部门的业绩明细，但一些分析师此前预测，第三季度业绩将受到 2020 年下半年智能手机销量上升和整体内存相关收益上升的推动。三星公布，在 4 月至 6 月的三个月里，营业利润增长了近 23%，达到 8.1 万亿韩元(约合 70 亿美元)。本月晚些时候，三星将公布第三季度业绩。分析师认为，三星业绩提振是由于美国要在 9 月 15 日之后实施对华为的制裁，使华为增加了内存芯片的订单。野村高级分析师 CW Chung 在接受日经亚洲评论采访时表示，“我们认为，由于美国的制裁，华为的订单出现了高峰。华为的额外订单似乎比我们之前估计的要大。” 华为是内存业务的采购大户，每年都要花费约 10 万亿韩元（约合 81 亿美元）从包括三星电子、SK 海力士等在内的韩国供应商购买内存和闪存芯片。在 9 月 15 日美国禁令生效之前，华为已经储备了大约六个月的额外库存。」三星证券分析师 MS Hwang 在接受彭博社采访时表示。在上个月美国制裁启动前，华为囤积了大量半导体产品，三星电子的内存业务也从中受益。HI Investment&Securities 分析师 Song Myung-sup 也表示：华为 8 月下旬的紧急订单推高了三星的 DRAM 和 NAND 芯片出货量，抵消了业务疲软的影响，并阻止了本季度半导体利润的下降。除内存业务受益之外，三星电子的智能手机业务利润也有可能会大幅增加。受上半年疫情抑制手机销售的影响，下半年智能手机销售将出现反弹。据市场研究机构 Counterpoint Research 的数据显示，第三季度三星智能手机出货量可能比第二季度增长 48%，从 5420 万部增至 8000 万部。目前苹果公司的 5G iPhone 上市时间推迟到 10 月，而华为也被削弱，在第三季度里，三星的外部竞争压力相对较小。得益于大流行期间营销费用的减少，三星电子的整体盈利能力将显著提高。

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内存芯片三星电子华为智能手机

发布时间：2020-10-09 00:00 阅读量：1631 继续阅读>>

PCIe 4.0 Retimer成功量产，澜起科技立足<span style='color:red'>内存</span>接口产品领先地位

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PCIe 4.0 Retimer成功量产，澜起科技立足内存接口产品领先地位

　　国际领先的高性能处理器和全互连芯片设计公司——澜起科技近日宣布其 PCIe 4.0 Retimer 系列芯片已成功量产，进一步扩充了公司在云计算和数据中心领域的产品布局。　　澜起科技的 PCIe 4.0 Retimer 系列芯片，采用先进的信号调理技术来提升信号完整性，增加高速信号的有效传输距离。芯片符合 PCIe 4.0 规范，采用业界主流封装，其功耗、传输时延等关键性能指标领先业界，并且支持 SRIS 和 Retimer 级联等应用，与 CPU、NVMe SSD、网卡、GPU 和 PCIe 交换芯片等完成了广泛的互操作测试。　　相对 PCIe 1.1/2.0/3.0，PCIe 4.0 最突出的特点就是速度的飞跃，是 PCIe 3.0 的 2 倍，达到了 16GT/s. 不过，与 PCIe 3.0 相同的一点是，PCIe 4.0 依然采用 128/130b 编码。　　这次 PCIe 4.0 Retimer 在 10-bit Tag、Scaled FC、Simplify Protocol Timer、Link EQ、Lane Margining 这五个方面，还有很多细节的更新。　　澜起科技总经理 Stephen Tai 先生表示：“全互连是当今云计算和数据中心最关键、发展最快的技术之一，它与计算和存储三足鼎立，是支撑互联网运行的硬件基础。此次 PCIe 4.0 Retimer 芯片的成功量产，标志着澜起科技在巩固内存接口产品领先地位的同时，又向数据中心的全互连领域迈出了重要一步。”　　针对 NVMe SSD、AI 服务器、Riser 卡等典型应用场景，澜起科技现可提供基于其 PCIe 4.0 Retimer 芯片的参考设计方案、评估板及配套软件等完善的技术支持服务，帮助客户快速完成导入设计，缩短新产品上市周期。　　澜起科技成立于 2004 年，是国际领先的高性能处理器和全互连芯片设计公司。公司致力于为云计算和人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案，目前的产品包括内存接口芯片、PCIe Retimer 芯片、服务器 CPU 和混合安全内存模组等。　　作为科创板首批上市企业，澜起科技于 2019 年 7 月登陆上海证券交易所，股票代码为 688008。公司总部设在上海，并在昆山、西安、澳门及美国、韩国等地设有分支机构。　　内存接口芯片是服务器内存条必不可少的芯片，全球目前只有三家公司可设计此类芯片，分别是澜起科技、瑞萨(IDT)和 Rambus，其中澜起和瑞萨市占率均超过四成，Rambus 约为一成。由于预期未来全球服务器出货量还将继续提升，并且单机内存条使用量也存在增加的趋势，加上内存接口芯片代际替换带来的价格提升，预计未来几年内存接口芯片市场依然有 30%以上的年均增幅。　　目前，澜起科技正在研发 PCIe 5.0 Retimer 芯片，并将不断更新和扩充产品组合，更好地服务广大服务器厂商及其终端用户。

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PCIe 4.0 内存接口芯片数据中心澜起科技

发布时间：2020-09-22 00:00 阅读量：1787 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
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