佰维<span style='color:red'>存储</span>加入开放数据中心委员会ODCC：打造“高效存力”，赋能AI+时代
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佰维存储加入开放数据中心委员会ODCC：打造“高效存力”，赋能AI+时代

　　开放数据中心委员会(Open Data Center Committee，简称“ODCC”)是在中国通信标准化协会指导下，以开放、合作、创新、共赢为宗旨，围绕服务器、数据中心设施、网络、新技术与测试、边缘计算、智能监控与管理等内容，打造活跃、高效、有国际竞争力的生态圈和开放平台，推动形成行业统一、有国际影响力的规范和标准，促进产业合作、技术创新和推广应用。　　近日，开放数据中心委员会2024冬季全会在昆明圆满召开，佰维存储作为ODCC新晋白金供应商会员，与众多会员单位专家深入探讨交流数据中心最新成果和技术趋势，共同致力于建设更加开放的数据中心平台。同时，北京佰维副总经理魏靖分享了公司在ODCC项目的重要立项情况，涵盖《边缘服务器的存储部件需求分析与规范制订》、《存储部件SMART特征值的研究与测试》等项目，展示了公司在企业级存储技术领域的深入布局和研究。　　01研发封测一体化：构建“高效存力”的基石　　随着人工智能技术蓬勃发展，AI大模型正加速融入各行业业务场景，全球正迈向全新的“AI+”时代。在这一进程中，AI计算要求算力、存力、运力协同发展，尤其是数据量级、传输速率和处理能力的需求急剧增长，存力成为推动AI技术落地应用的关键。　　在此背景下，佰维凭借在存储介质特性研究、芯片IC设计、固件算法自研、硬件开发以及封装测试等方面积累了一系列核心技术能力，能够深入理解NAND Flash和DRAM的特性，并根据客户的特定需求提供定制化的存储解决方案，精准匹配不同行业和应用场景的实际存储要求。同时，佰维利用自有先进封测制造基地，通过整合产品生命周期管理、产品设计开发、质量管理、生产信息化管理、交付等系统，可实现从存储芯片到模组产品的全流程可追溯管理，确保企业级存储产品的高效生产和高质量交付，打造“高效存力”。　　02企业级SSD+RDIMM产品矩阵：赋能AI应用高效存储需求　　依托长期积累形成的综合技术实力和先进封测制造能力，佰维构建了丰富齐备的企业级SSD+RDIMM产品线，涵盖高性能企业级PCIe 4.0/5.0 NVMe SSD、SATA SSD、DDR5/DDR4 RDIMM以及CXL 2.0内存扩展模块。系列产品兼顾高吞吐量、高IOPS、低延迟、优异的QoS特性、高密度以及成本效益，兼容Intel、AMD以及鲲鹏、海光、龙芯、飞腾、兆芯、申威等服务器系统，能够适应各种企业级读写密集型和混合应用场景，满足云计算和大规模数据中心数据高速传输、快速响应、高效分析等需求，覆盖各行业业务场景AI应用，产品性能和品质获得行业类客户及市场的广泛认可。其中，佰维企业级PCle 5.0 SSD——SP506/516系列产品荣获了DOIT AWARD 2024存储风云榜“2024年度企业级固态盘产品金奖”。　　展望未来，佰维存储将积极参与数据中心行业发展规划及相关标准化制定，携手与ODCC生态合作伙伴共同推进产品互认证和技术标准的兼容适配。同时，公司将持续深化“研发封测一体化2.0”布局，不断优化产品创新、品质保障和客户服务，通过提供更先进的企业级存储解决方案，赋能数据中心产业生态链的高效发展，共创AI+时代。
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发布时间：2024-12-26 17:15 阅读量：230 继续阅读>>
长鑫<span style='color:red'>存储</span>量产DDR5
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长鑫存储量产DDR5

　　12月24日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，中国DRAM芯片制造商长鑫存储(CXMT)已成功实现DDR5内存芯片的量产。目前，已有数家DRAM模组厂商开始销售基于长鑫存储DDR5芯片的DRAM模组，预示着DDR5内存价格有望进一步下调。　　报道指出，长鑫存储近期启动DDR5生产，其公布的良品率约为80%，与韩国企业生产DDR5的80-90%良品率相比，双方差距并不显著。此外，中国存储模组品牌如King Bank(金百达)和Gloway(光威)等，已开始在电商平台销售标注为“国产DDR5”的32GB DDR5DRAM模组。据业界推测，这些产品所采用的DDR5芯片正是由长鑫存储所提供。
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发布时间：2024-12-24 13:20 阅读量：247 继续阅读>>
佰维特存“全家桶”组合，打造强大的工业级<span style='color:red'>存储</span>解决方案！
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佰维特存“全家桶”组合，打造强大的工业级存储解决方案！

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发布时间：2024-12-03 11:36 阅读量：268 继续阅读>>
佰维企业级<span style='color:red'>存储</span>矩阵，赋能AI+时代的数智化升级
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佰维企业级存储矩阵，赋能AI+时代的数智化升级

　　在数字经济的框架下，存力、算力、运力三者构成了核心支撑体系，存储是发挥高性能算力的前提与基础。随着大模型参数规模向万亿级迈进，带动企业大型数据中心、超算中心等高算力场景不断扩大，千行百业对于存储应对高并发高吞吐能力、功耗优化和运营成本的要求越来越高。采用更高配置的存储解决方案，企业可提高运营效率，实现更高的经济效益。　　近日，2024中国数据与存储峰会在北京圆满落幕，佰维存储携多款高能效eSSD与CXL内存模组亮相，为云计算等前沿应用提供存力支撑。会议同期揭晓了闪存风云榜，佰维存储的SP506/516系列PCIe5.0 SSD荣获了“2024年度企业级固态盘产品金奖”，彰显公司在企业级存储领域的创新技术实力与硬核产品力。　　1、服务器内存+企业级SSD全覆盖，兼顾性能与RAS特性　　为满足先进算力建设场景对数据存储的高标准需求，佰维存储依托自身在存储解决方案领域的技术积累与创新能力，成立北京子公司专注于企业级存储的研发与销售，围绕云计算、数据中心、AI服务器、智算中心等应用场景需求打造了系统的存储解决方案。目前，佰维已推出包括企业级PCIe 4.0/5.0 NVMe SSD、企业级SATA SSD、企业级RDIMM、CXL 2.0内存扩展模块在内的多款性能出色、高稳定和高安全性的产品，覆盖 2.5inch, U.2, E1.S, E3.S 等产品形态，以及PCIe、SATA两大主流接口，实现技术创新与产品品类的双重突破。　　创新CXL2.0内存拓展模块　　赋能高性能算力，释放AI创新潜力　　随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。佰维成功自主研发完成了支持CXL2.0规范的CXL内存扩展卡，同时可向下兼容CXL1.1规范，可为AI/ML的深度学习模型训练、HPC的科学计算，以及云计算等数据密集型应用等领域提供强大的内存扩展能力和高带宽支持，满足高性能CPU/GPU的算力需求。　　佰维CXL内存扩展卡可支持AIC以及E3.S两种不同的接口规范，适应不同服务器架构的需求，其中AIC类型内存容量最高可扩展至2TB，E3.S类型最大容量可支持128GB，物理层采用PCIe 5.0标准，支持8条通道，峰值带宽可达30GB/s。支持DDR5 6400MT/s的内存速度，显著提升系统性能。此外，CXL2.0内存拓展模块集成SMBUS/I3C/I2C/SPI等多种低速通信接口，便于获取DIMM内存的基本信息。具备强大的RAS(Reliability, Availability, Serviceability)特性，包括SECDED、SDDC ECC、CXL链路CRC、自动错误修复等功能，确保系统的稳定性和可靠性。　　SP406/416系列企业级PCle 4.0 SSD　　超低延迟、优秀能效比　　佰维SP406/416系列企业级PCle SSD产品，最大顺序读/写速度高达7050MB/s、4200MB/s，覆盖1 DWPD读取密集型和3 DWPD读写混合型两种不同类型应用，凭借优异的主控芯片架构，可实现超低延迟与优秀能效比，适合用于超大型的数据中心、云计算、计算型服务器、AI服务器等应用场合。同时，该系列企业级PCle SSD支持现代化的数据中心的各种特性，包括AES256加密、Sanitize高级格式化、Internal RAlD、Secure Boot安全启动、TCG Opal 2.0等高级特性。　　SS621系列2.5" SATA SSD　　构建强大的企业级数据中心　　针对构建强大的企业级数据中心的需求，佰维存储推出了SS621系列2.5" SATA SSD，具有出色的稳定性和可靠性，最大顺序读取速度达560MB/s，最大顺序写入速度为535MB/s，4K随机读取/写入(IOPS)最高可至100K/45K，提供多种容量选择(480GB~7.68TB)，长达1DWPD的寿命保障。　　02、创新存储解决方案，成功打造高端PCIe 5.0企业级SSD标杆产品　　在会议同期揭晓的DOIT AWARD 2024存储风云榜上，汇集存储产业具有突破性和代表性的优秀产品与解决方案。佰维SP506/516系列企业级PCle5.0 SSD产品荣获“2024年度企业级固态盘产品金奖”。　　面向AI时代的数据存储需求，佰维通过实施研发封测一体化战略，显著提升了企业级存储产品的存储密度、性能与能效比。公司拥有资深的介质研究团队、主控IC设计与固件算法开发团队，针对企业级应用场景进行深入的介质特性分析与架构设计，并通过算法优化提升存储系统整体性能，如通过高效的磨损均衡算法、垃圾回收机制和ECC，延长存储设备的使用寿命，减少数据丢失的风险，并提高数据读写的效率。在先进封装和测试环节，公司应用前沿的封装技术和严格的测试流程，提高存储的集成度和散热性能，确保了每一款产品在出厂前都经过了全面的质量检验，包括功能测试、性能测试、可靠性测试和环境适应性测试，为客户提供高性能、高可靠的企业级存储产品。　　佰维SP506/516系列企业级PCle5.0 SSD产品则是公司在企业级领域推出的高端代表产品之一，基于PCle5.0x4接口，最大带宽较Gen4产品增长两倍，容量覆盖2T~16T，可满足EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等不同硬件平台的部署需求。此外，该系列产品采用创新的SSD控制器芯片架构，可实现超低且一致的读写延迟，具备优秀的能效比表现，为客户提供业界领先的IOPS/Watt 综合性能，助力客户降低TCO。产品覆盖了1 DWPD读取密集型和3 DWPD读写混合型两种不同类型应用，并支持现代化的数据中心的各种特性，包括AES256加密、Sanitize高级格式化、Data-path E2E Protection、Internal RAlD、Secure Boot、TCG Opal 2.0等高级特性。　　/ 结语 /　　通过持续的存储解决方案研发与升级，佰维企业级产品在性能、安全可靠性和能效比方面持续进阶。随着数字化转型的不断深入，佰维存储始终致力于为企业客户提供强大、高效、灵活且安全的存储解决方案，助力企业激发数据潜力，推动业务发展迈向AI+的新篇章。
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发布时间：2024-11-15 13:37 阅读量：369 继续阅读>>
佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业<span style='color:red'>存储</span>需求
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佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求

　　为应对严苛环境下的数据存储挑战，近日，佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条，精选宽温颗粒，数据速率达3200Mbps，容量覆盖4GB～16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试，从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境，满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。　　【工业级宽温标准，严苛环境的可靠之选 】　　-严选宽温颗粒，4 corner全方位测试评估，耐受-40°C至85°C的极端温度;　　-通过ANSI/ISA-71.04-2013抗硫化认证，适应恶劣高污染环境;　　-产品经过TC、THB、HTOL、LTOL等严苛测试，确保长时间稳定运行。　　【ECC护航，构筑持久稳定存算系统】　　-先进ECC纠错技术，智能检测并修复数据错误，有效保障数据完整性;　　-严格遵循JEDEC设计规范，确保高可靠性;　　-助力存储系统稳定性和持久性，提升系统生命周期。　　【高效内存架构，释放强劲算力】　　-多容量可选(4GB、8GB、16GB)，满足不同应用场景;　　-数据速率高达3200Mbps，保障工业自动化数据高速传输;　　-多架构支持(1R×16，1R×8)　　【稳定内核，构建智能制造基石】　　-专为智能制造与AI领域设计，助力工业自动化高效落地;　　-内置温度传感器，实时监控温度，提升系统稳定性;　　-30μ"金手指镀金层厚度，高抗振抗冲击性能，满足工业设备严苛标准。
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发布时间：2024-11-15 13:31 阅读量：276 继续阅读>>
提升AI数据服务器<span style='color:red'>存储</span>性能：永铭电容器如何保障读写速度与数据完整性
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提升AI数据服务器存储性能：永铭电容器如何保障读写速度与数据完整性

　　服务器SSD存储的核心功能与挑战　　AI数据服务器作为当前IT硬件的焦点领域，其存储系统日益复杂且至关重要。为了满足海量数据处理的需求，SSD(固态硬盘)已成为核心组件。SSD不仅需要提供高效的读写速度和极低的延迟，还需具备高存储密度和小型化设计。此外，智慧的断电保护机制也至关重要，以确保紧急情况下数据的完整性。因此，在选择电容器时，高容量密度、高可靠性、小型化及耐开关冲击是关键考量。　　液态铝电解电容在存储系统中的关键作用　　液态铝电解电容器提供大容量的电荷存储能力，这对于需要大量数据缓存的存储系统至关重要，能够确保数据的快速读写和临时存储，其优势如下：　　· 小型化设计：细长型、体积小，适应SSD的薄型化需求。　　· 耐冲击：在105℃下开关冲击次数≥3000次，时间约50天，确保SSD的稳定性。　　· 高容量密度：在SSD断电保护电路中的电解电容的高密度容量至关重要，高密度电容可以在有限空间内提供更大的储能容量，从而在断电时为SSD控制芯片提供足够的电力，确保缓存数据完整写入，防止数据丢失。这使SSD在断电保护和数据可靠性方面表现更优，特别适用于高安全性数据存储需求的场景。　　液态铝电解电容器的这些特性为服务器存储提供了高稳定性、高容量密度、耐冲击性、小型化等多重优势，从而确保了服务器存储系统的高效、稳定和安全运行。　　固液混合电容在存储系统中的关键作用　　固液混合铝电解电容器在服务器的电源管理与电压调节中发挥重要作用，具备以下优势：　　· 断电保护：对于企业级应用和对数据安全性要求较高的场景，固液混合电容的断电保护功能尤为重要，通常需要具备更高的可靠性和稳定性，以保证企业数据的安全和业务的正常运行。　　· 高容量密度：能快速提供大电流，满足SSD的高瞬时电流需求，尤其在处理大量随机读写时表现出色　　· 小型化设计：体积小，适应SSD的薄型化需求　　· 耐开关冲击：在服务器频繁的电源开关操作下，确保SSD的稳定性　　永铭的NGY系列固液混合电容具有更高的容量密度和耐开关冲击能力，能在105℃下运行10000小时，减少维护需求，提升服务器系统的可靠性。NHT系列固液混合电容具有高耐温能力，使得服务器存储系统在高温环境下始终保持优越性能。　　叠层高分子固态铝电解电容在存储系统中的妙用　　叠层高分子固态铝电解电容凭借高容量密度、低ESR和小尺寸，主要用于SSD的缓冲电路和备用电源电路，具有以下优势：　　· 优化空间利用：叠层设计提供更大电容量，支持SSD小型化　　· 稳定电压波动：提升SSD在关键数据传输中的稳定性和可靠性　　· 断电保护：在断电时为SSD提供备用电力，确保数据安全　　永铭的叠层高分子固态铝电解电容采用薄型化设计，具备高容量密度和低ESR(实际ESR 20mΩ以内)，助力AI数据服务器存储系统实现更紧凑、更高效的设计。　　导电高分子钽电解电容在存储系统中的应用　　导电高分子钽电解电容在存储系统中具有显著的性能优势，尤其是在可靠性、频率响应、尺寸和容量的平衡方面。　　· 高容量：业界同尺寸下最大容量　　· 超薄型化：顺应国产化趋势，替代松下　　· 高纹波电流：可承受较大的纹波电流，以确保电压的稳定输出　　· 超高容量密度：稳定的直流支撑能力和超薄型化的体积　　永铭导电高分子钽电解电容具有业界领先的容量密度和超薄设计，符合国产化替代趋势。其高纹波电流承受能力确保电压稳定输出，具备出色的直流支撑能力和高容量密度。　　永铭各类电容器作为AI数据服务器存储系统的核心元件，在电源管理、数据稳定性及断电保护方面表现卓越。随着AI应用的复杂化，这些电容技术将继续发展，确保SSD在高性能运算及大数据处理中保持可靠性与高效性。
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发布时间：2024-11-14 16:44 阅读量：333 继续阅读>>
佰维<span style='color:red'>存储</span>推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用
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佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用

　　根据IDC预测，到2024年底，全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部，同比增长363.6%，占整体出货量的19%;到2028年，这一数字预计将增长至9.12亿部，2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务，还对智能手机硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器，以确保手机流畅运行。　　近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段)，为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。　　01速率提升33%，加速高性能移动设备AI应用　　佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。　　此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。　　02功耗降低25%，更高能效提升设备续航能力　　佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2)，减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS)，可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率，在低负载时降低电压和频率，从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延长电池寿命。　　此外，LPDDR5X引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。　　03先进测试能力加持，打造高品质与一致性　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。　　/ 结语 /　　佰维存储LPDDR5X内存凭借其显著提升的数据传输速率和更低的功耗，可为高端智能手机、笔记本电脑、5G设备等高性能设备提供卓越的操作体验，并助力其实现更长的电池续航和更高的整体性能。展望未来，随着端侧AI应用的不断普及和发展，本地实现流畅运行大模型对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。佰维存储将继续发挥其研发封测一体化布局优势，通过在存储芯片设计、解决方案研发、封测制造等领域的持续研发投入和技术创新，不断满足智能终端市场对更高性能、更低功耗、更高可靠性的存储解决方案的需求，助力客户提升产品竞争力。
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发布时间：2024-11-12 10:38 阅读量：422 继续阅读>>
佰维<span style='color:red'>存储</span>“研发封测一体化2.0”：全链布局，助力客户价值跃升
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佰维存储“研发封测一体化2.0”：全链布局，助力客户价值跃升

　　2024年9月27日，第三届GMIF2024创新峰会在深圳湾万丽酒店成功举办。本次峰会汇聚了北京大学集成电路学院、美光科技、西部数据、Solidigm、Arm、紫光展锐、Intel、科大讯飞、瑞芯微、慧荣科技、佰维存储、胜宏科技、全志科技、英韧科技、联芸科技、铨兴科技、澜起科技、AMAT、LAM、DISCO、中科飞测、龙芯中科等国内外知名企业高管及行业专家，共同探讨AI时代下全球存储创新发展与生态合作共赢之道。峰会期间，隆重揭晓了GMIF2024年度大奖，共计38家产业链关键代表企业获得表彰。　　在GMIF2024创新峰会上，佰维存储董事长孙成思先生以《“研发封测一体化2.0”：全链布局，助力客户价值跃升》为主题，深入介绍了公司在过去一年中的战略举措、技术突破以及未来发展方向。通过对研发和封测一体化的持续投入，佰维存储正以先进技术布局和全链协同助力客户实现更高价值，推动行业共同进步。　　从品牌升级到全球市场布局：创新驱动与持续成长　　孙成思先生首先提到，公司在2024年进行了重要的品牌升级，推出了全新的Logo和品牌Slogan——“存储无限，策解无疆 / Infinite Storage, Unlimited Solutions”。这不仅是品牌形象的革新，更是佰维存储在战略、技术和市场扩展方面的象征，彰显出公司在全球存储领域持续扩展的愿景。　　在全球市场方面，佰维存储凭借精准的市场布局和高效的本地化交付，在2024年上半年取得了丰硕成果，营收超过34亿元人民币，同比去年增长近200%，大幅提升了公司的盈利能力。这一成绩的背后，是公司全球化布局、本地化运营策略的深入实施。　　研发封测一体化2.0：打造核心竞争力，推动技术前沿发展　　佰维存储的“研发封测一体化2.0”是公司在技术创新和全链布局中的重要举措。孙成思先生详细解读了公司在解决方案、芯片设计、封测和设备研发领域的投入，并指出，通过自研和合作，佰维存储已在这些领域积累了核心优势，为客户提供了高效、低功耗的解决方案。　　公司当前的战略不仅聚焦于主流存储器的研发与封测，还将目光放在更高端的先进封测技术上。佰维存储希望通过双轮驱动战略，进一步强化其在存储行业的竞争力，为客户提供兼具创新性和高性价比的解决方案。　　布局先进封测：突破行业瓶颈，抢占未来制高点　　面对存储行业日益复杂的技术需求和市场挑战，佰维存储积极推进全链布局。孙成思先生指出，公司除深耕存储解决方案研发外，同时也率先在华南区布局存储器封测能力。如今，公司通过晶圆级先进封测的全新布局，将技术优势进一步前移，成为少数能够提供先进封测服务的半导体存储厂商之一。　　通过采用3D封装、2.5D封装等前沿技术，佰维存储能够帮助客户显著降低产品功耗，提升性能，并在算力等领域提供定制化封测服务。孙成思表示，先进封测技术不仅是市场需求的驱动，更是未来行业发展的必然方向，佰维存储将通过这一布局，进一步巩固其在存储行业的领导地位。　　深耕大湾区：构建完整产业链生态，赋能区域创新　　为了加速先进封测的落地，佰维存储选择在大湾区设立先进封测工厂。大湾区作为中国高科技产业的核心区域，拥有大量IC设计公司和创新企业，但在封测领域仍有较大空白。佰维存储通过布局先进封测产业链，填补这一空白，并推动整个产业链的协同发展。　　孙成思先生表示，佰维存储计划在2025年实现新工厂投产，为算力等领域的客户提供更高效、更灵活的封测服务。这一布局不仅将强化公司在存储市场的竞争力，也将为大湾区的创新生态注入新的活力。　　研发封测一体化2.0：构建核心优势，强化客户粘性　　在总结公司“研发封测一体化2.0”战略时，孙成思先生强调，这一布局的核心在于通过技术创新和全链协作，增强公司在存储行业的核心竞争力，并与客户建立更紧密的合作关系。该战略的主要优势体现在以下四个方面：　　01、扩展产业覆盖面　　增强与上游晶圆厂的协同效率，在研发、制造和量产过程中把握主动权，同时通过先进封测技术的应用，佰维存储能够服务于更多领域的客户，拓展产业链的纵深和广度。　　02、提升技术壁垒　　不断加大研发投入，强化技术创新，参与更多高端应用场景，形成独特的市场优势，助力公司在市场竞争中抢占技术高地。　　03、推动创新和差异化　　通过差异化的解决方案、更复杂的封装工艺和先进的存储架构，为市场带来更高带宽、低功耗的产品，展示佰维存储在行业中的科技硬实力。　　04、增强客户粘性与信任　　通过与客户深度协作，提供更高质量、更具定制化的解决方案，以及全方位的技术和服务支持，佰维存储不断强化客户关系与信任，实现双方共赢。
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发布时间：2024-10-08 13:57 阅读量：575 继续阅读>>
佰维<span style='color:red'>存储</span>推出工业级宽温SD Card & microSD Card，高效稳定录影不掉帧
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佰维存储推出工业级宽温SD Card & microSD Card，高效稳定录影不掉帧

　　近日，针对新一代高性能、高可靠性的工业视频监控及影像长时间稳定录制要求，佰维存储推出了工业级宽温 TGC 207 SD Card&TGC 209 microSD Card，传输速度高达160MB/s，覆盖32GB~256GB容量规格，-40℃~85℃宽温应用，支持4K高清多路视频稳定连续录入，适应安防监控、轨道交通、智慧医疗影像、车载记录仪以及工业自动化等领域户外拍摄、高强度工作、复杂路况等多变场景与冷热环境冲击。　　高性能自研固件，产品经久耐用　　多路视频稳定写入不掉帧　　佰维存储TGC系列工业级宽温SD Card& microSD Card精选工业级3D TLC闪存颗粒，擦写次数(P/E Cycle)达3000次，拥有出色的耐久性，并提供32GB~256GB多种容量选择。系列产品搭载佰维自研固件，采用了闪存磨损均衡技术(Wear Leveling)，可实现每个NAND闪存block擦写次数的相对均衡性，从而延长产品使用寿命。性能方面，系列产品符合C10速度等级与U3性能指标，最高读写速度达160MB/s，保证持续写入的速度不低于30MB/s，支持4K高清视频录制，录制时间可高达90,000小时。　　在应用表现方面，TGC系列工业存储卡满足V30视频处理性能等级以及A1应用程序性能等级，随机读/写性能达到1500 IOPS和500 IOPS以上，带来更快的应用程序响应速度。针对多路视频写入场景，通过固件特殊优化，该产品保证最低10MB/s的稳定写入性能，录制画面流畅稳定不掉帧。　　此外，佰维自研固件还针对GC算法、坏块管理算法进行了优化，通过合理规划数据在NAND上的布局，减少GC对写入数据延时的影响，保障读写效能;有效避免录影中的卡顿、中断和掉速问题，守护数据的完整性和有效性。　　守护数据安全与可靠，　　硬核实力无惧环境挑战　　佰维存储TGC系列工业级宽温SD Card& microSD Card可在-40℃~85℃宽温范围内运行，耐得住极寒与酷暑等温度冲击。产品在硬件设计上增加了IP67防水防尘/抗磨损/抗震/抗X-Ray/抗静电/抗磁/抗落摔等可靠性特性。　　依托公司多年来积累的高性能测试设备与丰富的测试算法库，佰维存储旗下工规级产品线均历经了专业且严苛的可靠性测试流程，确保每一款存储卡拥有坚强的“体魄”，不畏环境挑战，MTBF>2,000,000小时。在技术特性上，佰维TGC系列存储卡支持S.M.A.R.T监控与LDPC ECC智能纠错技术，一方面通过健康监测及时预警卡片寿命状况，防止关键数据意外丢失，另一方面可及时进行数据检错和纠错，确保数据的完整性和准确性。此外，TGC系列工业宽温存储卡设计了无备电断电数据保护机制，在发生异常断电时，可保证已写入闪存的数据不被破坏，保障数据的一致性。　　锁定BOM+高品质稳定供应　　兼容性无忧　　佰维存储始终致力于为客户提供全面而周到的技术支持与配套服务。TGC系列工业级宽温SD Card & microSD Card经过与市场主流平台、操作系统以及设备的全面兼容性测试，并已通过CE/FCC/UKCA/RCM/VCCI/RoHS/REACH等国际安全与环保认证，兼具安全、绿色与高品质特性。在产品供应方面，佰维积极配合客户完成产品长周期的导入验证，确保产品符合各类行业应用标准。TGC系列工业级宽温存储卡支持BOM(主控、固件与NAND)锁定服务，通过稳定长周期的供应，避免因物料清单更换而导致的兼容性问题和验证资源浪费。　　佰维TGC系列工业级宽温存储卡产品兼顾高稳定、高可靠与持久耐用等优势，满足工业录像设备在多路摄像头写入、7x24全天候监控摄影场景下稳定不掉速、数据完整性的严苛要求。随着高清显示技术和影像系统的不断升级迭代，对数据的传输速度和容量提出了更高的要求。佰维存储凭借其在存储解决方案研发、先进封装测试等领域的核心能力，致力于持续开发更高性能、更大容量、更高可靠性的工规级存储卡产品，以满足安防监控、轨道交通、智慧医疗影像、车载记录仪以及工业自动化等高阶工业数据存储需求。
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发布时间：2024-08-19 14:02 阅读量：673 继续阅读>>
佰维<span style='color:red'>存储</span>携手小天才，定义儿童智能穿戴新高度
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佰维存储携手小天才，定义儿童智能穿戴新高度

　　2024年5月17日，小天才电话手表发布了十年巅峰之作——小天才旗舰Z10，产品搭载的佰维存储ePOP存储芯片，为实现全场景高精度定位、成长状态信息监测、全球通讯等众多重磅功能奠定了坚实的存储底座，助力小天才Z10成为当下家长全方位守护孩子身心健康的理想智能设备。　　图源：小天才官网　　Z10作为小天才电话手表的旗舰级产品，对硬件与软件的要求达到了新的高度。佰维ePOP存储芯片高度集成了LPDDR4X与eMMC5.1，高性能特性支持多线程数据传输与调度，以快速响应算法的精准需要;紧凑的封装设计与小巧的体积赋能产品轻薄便携的机身;低功耗优势助力产品持久续航，赋能小天才Z10集成更高阶的交互应用，为用户带来颠覆性的使用体验，树立儿童智能电话手表典范。　　高性能，支持高精度定位与健康监测为了便利家长与孩子的沟通，小天才Z10首次采用定位大数据模型，可实现全场景、高精度的实时定位。基于佰维ePOP存储芯片高达4266Mbps的传输速率，32GB+16Gb/64GB+16Gb的存储容量，小天才Z10电话手表拥有对海量数据的敏捷读写与处理能力，无论是心率监测、睡眠分析，还是足迹信息，都能在各种应用场景下迅速响应，确保健康监测、位置追踪等功能的实时性和准确性，家长可及时获知孩子的健康信息与行动路径，实现真正的全天候守护。未来，佰维将推出更高性能、更大容量的ePOP存储芯片，满足AR/VR等多种穿戴设备的智能化升级需求。　　低功耗，助力产品长续航与散热优化实时定位、身体指数检测等功能要求手表端的应用在后台常驻，即时通过移动网络向服务器上报信息，工作负载较重，硬件的低功耗特性是小天才Z10电话手表实现持久续航的关键。作为业界领先高端智能穿戴存储芯片，佰维ePOP芯片采用了低功耗LPDRAM，并通过固件优化进一步提升能耗管理，助力小天才Z10延长单次充电的使用时间，减少频繁充电的烦扰，孩子也能在户外活动中自由探索，不必担心手表突然断电，同时防止机身高温发烫对孩子人身造成危险。　　小体积，赋能轻薄机身与应用升级依托公司的先进封装测试能力，佰维ePOP芯片体积小至8.0mm× 9.5mm×0.8mm，这不仅维持了Z10手表的轻薄机身与佩戴舒适度，也为其在有限空间内集成更多功能部件创造了条件，例如为手表腾出了足够的空间用于更大的电池容量，更先进的传感器，从而使得小天才Z10电话手表较前代产品实现了更多应用的开发和升级——夜间影像补光，多种运动模式及数据记录;表壳底部紧贴手腕的多种传感器，能够向家长实时上报体温、血氧等数据。　　ePOP存储芯片是佰维创新存储技术与先进封测能力深度融合的典型代表，依托于IC设计与自主固件研发实力，佰维与下游终端厂商紧密协作，通过产品联合开发与调校，实现与终端平台系统等软件优化适配。公司自有先进封测产能不仅是存储芯片高可靠、高稳定的技术基石，更是大规模产能高效交付的保障。目前，佰维的嵌入式存储芯片已在智能手机、智能穿戴等领域赢得了市场与客户的广泛认可。展望未来，佰维将与更多智能终端企业携手并进，致力于为全球消费者创造更加便捷、安全且个性化的智能生活体验。
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发布时间：2024-08-19 13:58 阅读量：564 继续阅读>>

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