ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势
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ARK（方舟微）：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

　　耗尽型MOSFET的基本特性：　　耗尽型MOSFET，与常见的增强型MOSFET不同，它在栅极电压为零时就已经处于导通状态，即沟道已经存在。耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势，包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。其工作原理主要基于电场效应，通过改变栅极电压来控制沟道的导电性，从而实现对电流的精确调控。在稳压及过压保护中主要利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性。　　稳压应用中的优势　　简化电路设计　　图一：耗尽型MOSFET在供电电路中的应用　　耗尽型MOSFET在栅极电压为零即导通，这意味着在某些应用中可以省去额外的驱动电路，从而简化电路设计。例如，在实现PWM IC的VCC供电电路中，传统方法使用三极管、功率电阻和齐纳二极管等多颗器件，但这会导致PCB上的热量过高且效率低下。而采用耗尽型MOSFET的方法，可以用一颗器件代替，节省空间，简化电路，减小功耗。　　宽泛的直流工作电压范围　　图二：LDO应用电路　　图三：搭配耗尽型MOSFET应用电路　　耗尽型MOSFET具有宽泛的直流工作电压范围(Vin)，这使其在稳压应用中更加灵活。如图二中在线性电压调节器中，输入电压可能来自母线电压，存在较大的电压变化，包括电压尖峰。如图三所示耗尽型MOSFET(DMZ6012E)可以通过源极跟随器配置连接，减少电压瞬变，直至达到器件额定电压VDS的耐受能力。这种配置不仅保护了电路免受浪涌电压的影响，还通过低静态电流实现了最小功耗。　　过压保护应用中的优势：　　耗尽型MOSFET在过压保护应用中表现出色。如图四所示，在这种电路中，耗尽型MOSFET与电阻和稳压二极管相结合，利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，通过选择合适的稳压二极管，可以设定一个稳定的输出电压值。当输入电压超过该值时，稳压二极管开始工作，将栅极电压钳制在一定水平，从而限制漏极电流，防止过压对后续电路造成损害。这种电路结构简单，成本低廉，适用于需要过压保护的多种场合。　　图四：过压保护电路　　某些耗尽型MOSFET产品具有超高的阈值电压参数，如ARK(方舟微)的UltraVt®系列，这些产品非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中。UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　它们既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求，又能有效抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。这种高阈值电压特性使得耗尽型MOSFET在高压及宽电压输出条件下具有更高的可靠性和稳定性。典型应用电路 (以 DMZ1015E 为例)如图五：　　图五：耗尽型MOSFET稳压应用典型电路
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发布时间：2024-08-05 11:31 阅读量：422 继续阅读>>
<span style='color:red'>方舟微</span>UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用
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方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。
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发布时间：2023-11-17 15:49 阅读量：1847 继续阅读>>
新品发布 I ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）电路保护专家
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新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家

　　过压过流保护器　　过压过流保护器（30V/30mA）　　外形图　　AKF30V30MPD为ARK（方舟微）研发的30V/30mA集成功率保护器件，特别适合应用于工业领域（如4～20mA电流环）的过流过压保护方案，产品响应速度快，以集成控制的方式，提供更高的稳定性及便捷性，使被保护的器件或电路的工作电压不超过30V，电流不超过30mA，能有效避免瞬态浪涌造成损伤，同时可以简化电路，节省空间，减低成本。　　应用示意图如下：　　Form B 固态继电器　　100V / 400V Form B 固态继电器　　外形图　　ARK（方舟微）依据自身多年来在MOSFET研发与制造领域的独特优势，开发出了100V、400V等不同耐压等级的Form-B系列光MOSFET固态继电器，产品可靠性高，性能优异，封装类型包含SOP-4、SOP-6等通用形式，非常适合应用于需要使用高端继电器产品的设备。　　专用于射频领域的LDMOS　　130V N沟道耗尽型 LDMOS　　外形图　　DLZ1304E系列产品是ARK（方舟微）最新研发的N沟道耗尽型LDMOS，产品采用平面工艺，性能优良，可靠性高。该系列产品的耐压值为130V，相较于JFET或射频功率MOSFET，具有更高的耐压值和更低的泄漏电流，同时具有很低的阈值电压及输入电容，非常适合用于高频率的射频应用，以及气体传感器的放电回路。产品封装类型为SOT-23。　　有源钳位MOSFET　　小型有源钳位MOSFET　　外形图　　AKZSS04R06A是ARK（方舟微）研发的小型有源钳位MOSFET，器件采用平面工艺，可靠性高，稳定性好，其内部采用有源钳位结构，封装类型为SOT-23，特别适合用于驱动机械继电器等电感负载。　　集成高阈值双芯MOSFETs　　集成高阈值双芯MOSFETs　　外形图　　ARK（方舟微）研发的N沟道、P沟道增强型集成高阈值双芯MOSFETs，产品采用PDFN3*3封装，特别适合用于四线制PCB测试机等设备，能有效提高测试机测试精度。如图所示，M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在如下图所示的应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。　　M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。
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发布时间：2023-07-12 10:50 阅读量：1268 继续阅读>>
ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）简化PD3.1快充设计——增强型MOS篇
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ARK（方舟微）简化PD3.1快充设计——增强型MOS篇

　　ARK（方舟微）推出的增强型NMOS产品，用于同步整流应用及小信号控制，产品均在海外生产，品质更高、价格更优、供货更有保证。　　尽管说如今的充电器，集成度越来越高，外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出，支持28V及以上的输出电压，更宽的输出电压范围，超出了高耐压的原边控制器的供电范围，同时现有的同步整流控制器，也无法应用在高输出电压下，令工程师的选型很是头疼。　　为了应对PD3.1升级输出电压后，宽电压输出导致开关电源初级电压供电范围变动较大的问题，方舟微推出了一系列具有特殊功能的MOSFET，可以代替传统多颗元件组成的供电稳压电路，从而简化电源中对于控制器的供电设计，并优化待机功耗表现。在缺货的大背景下，拓展现有芯片的供电范围，保证产品出货。　　ARK（方舟微）AKF30N5P0SX是一颗耐压30V的增强型NMOS，具有低导阻和低栅极电荷，耐压30V，导阻3.9mΩ，采用PDFN3333封装，可用于高效率DC-DC转换，同步整流，电池保护以及功率路径管理。　　ARK（方舟微）FTZ15N35G是一颗耐压350V的NMOS，采用SOT-23封装，Dialog利用其特有电特性，作为ZVS辅助开关MOSFET使用，为主MOSFET创造ZVS条件。
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发布时间：2023-01-18 14:40 阅读量：2278 继续阅读>>
<span style='color:red'>方舟微</span>电子推出150V N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E
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方舟微电子推出150V N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E

　　DMZ1520E　　ARK（方舟微）DMZ1520E产品在工业自动化、汽车电子、新能源等应用电路中，可用于LDO供电。　　如下图所示，电路中只使用了一个DMZ1520E，它可以将高输入电压转换为稳定的低电压为LDO供电，同时为LDO提供瞬态浪涌抑制。　　为LDO供电　　LDO的输入输出电压满足关系式: Vs=Vout+|VGS(OFF)|。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。　　ARK（方舟微）DMZ1520E产品不仅能提供稳定的电源，而且能在复杂的电子、磁环境中抵抗较大的瞬变电压，特别适用于智能变送器IC的应用，如AD421、SD2421A、JHM1101等，对标 BSS169、MMBF4393。
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发布时间：2023-01-09 09:31 阅读量：1697 继续阅读>>

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