电机控制省钱神“芯”：<span style='color:red'>森国科</span> SGK32G023X 无刷电机 MCU
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电机控制省钱神“芯”：森国科 SGK32G023X 无刷电机 MCU

　　森国科经济型 SGK32G023xxxx 是基于 ARM Cortex-M0 内核的电机专用 MCU ，工作电压为 3V - 28V ， 工作温度范围在 - 40°C 至+105 °C，CPU 工作频率最高可达 48MHz 。具备 16KBytes 的 Flash 、以及 4KBytes 的SRAM ，Flash 的擦写寿命可达 10 万次，数据保持时间达 10 年。 拥有 2路UART ，支持在 MCU 停机模式下数据接收唤醒; 1 路高速(最高 1MHz )I2C ，同样 支持停机模式下数据接收唤醒;以及 1 路高速(最高 18Mbps )SPI ，支持 I2S 协议。 包含 1 个16-bit 高级 PWM 定时器，其中 3 路带死区互补输出; 1 个16-bit 通用 PWM 定时器，共 4 路PWM 输出; 1 个16-bit 基本定时器，支持 CPU 中断;还有 1 个MCU 停机模式下工作的自动唤醒定时器 AWU 和1 个MCU 待机模式下工作的自动唤醒定时器 STBAWU 。集成 1 个12 位1Msps ADC ，共7路模拟信号输入通道，支持差分对输入，可实现多种模拟信号的 快速精确转换。配备 1 个Beeper 蜂鸣器，可输出 1、2、4、8kHz 频率脉冲，即便在 MCU 停机模式下， Beeper 也可继续工作并可定时触发 ADC 采样。具有 CRC 计算单元、独立看门狗 IWDG 、窗口看门狗 WWDG 等功能，还提供唯一的 96 位ID 标识，具备高可靠性和安全性。　　八位机替代的省钱“芯”　　在国产芯片崛起的大背景下，森国科 SGK32G023xxxx 凭借着自身出色的产品性能，成为了国产替 代浪潮中的省钱“芯”。该芯片使用 32 位 ARM Cortex-M0 内核，内嵌 ARM 的 SWJ-DP 接口， 其结合了单线调试接口，大大降低了企业的研发成本和风险，缩短了产品上市周期，为国内企业 提供了一个高性价比的选择。它在多个方面展现了强大的竞争力。　　技术实力过硬：　　采用先进的 ARM Cortex-M0 处理器，确保了芯片在运算速度、功耗控制 以及实时性等方面的出色表现，能够满足不同应用场景下的需求。　　高性价比优势：　　在同等性能指标下，相较于一些国内外同类产品， SGK32G023xxxx 的价格更 具竞争力，能够为用户带来更高的性价比，有效降低了产品的成本，这对于推动国产芯片 的广泛应用具有重要意义。　　主要推广市场　　森国科 SGK32G023X 凭借其卓越的性能、丰富的产品特色和突出的竞品优势，成为了电机控制、工 业自动化、消费电子、智能家居等领域理想的芯片解决方案。它不仅满足了市场对高性能、 低功耗、高可靠性芯片的需求，还推动了国产芯片在相关领域的广泛应用和快速发展。　　在主要推广市场方面，森国科 SGK32G023X 系列 MCU 可应用于以下领域：　　家电市场：　　如风扇、空净、迷你洗衣机等家电产品的电机控制，实现高效节能的变频控制，提升 家电产品的性能和用户体验。　　工业自动化市场：　　适用于各种工业风机、水泵、压缩机等设备的电机驱动控制，提高工业生 产效率和设备运行的稳定性。　　电动工具市场：　　为电动工具提供强劲的动力控制，满足电动工具对高转速、大扭矩和长续航 的要求，提升电动工具的性能和使用寿命。　　智能家居市场：　　可用于智能窗帘、智能门锁、智能灯具等设备的控制和驱动，实现设备的智 能化控制和互联互通，打造智能家居生态系统。　　医疗设备市场：　　满足医疗设备对芯片的高可靠性和低功耗要求，可用于医疗仪器、康复设备 等的控制和监测，为医疗设备的正常运行提供保障。　　暴力风扇方案　　功能参数　　控制方式：无霍尔 BLDC控制　　过流保护，过压保护，欠压保护，堵转保护　　优化的起步控制算法　　输入电压： 3V~24V　　连续工作电流：最大可达 22A　　电机：无霍尔传感器三相 BLDC高速电机　　优化的起步算法，启动成功率 100%　　电机噪音低，无金属异响，控制稳定　　方波控制转速达 13万转以上(一对极电机) MCU:SGK32G0233
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发布时间：2026-02-02 15:18 阅读量：207 继续阅读>>
以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：<span style='color:red'>森国科</span>微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道
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以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。
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发布时间：2026-01-26 17:43 阅读量：327 继续阅读>>
<span style='color:red'>森国科</span>发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准
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森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子领域，碳化硅(SiC)功率器件的性能优势已得到广泛认可。然而，传统的封装技术正成为限制其潜能全面释放的关键瓶颈。森国科(SGKS)近日创新性地推出KM025065K1(650V/25mΩ)与 KM040120K1(1200V/40mΩ)两款SiC MOSFET产品，率先将TOLL封装与铜夹片(Cu-Clip)技术深度融合，为下一代高性能电源方案树立了新标杆。　　01 技术基石：为何选择TOLL封装?　　TOLL(TO-Leaded，L-type)封装是一种专为大电流、高散热需求设计的表面贴装(SMD)封装。其外形与标准的TO-LL规范兼容，具备以下核心优势：　　低外形与高功率密度：　　TOLL封装的高度通常极低(如规格书中标注的典型值为2.30mm)，非常适合在空间受限的应用中实现高功率密度布局。　　出色的散热能力：　　封装底部具有大面积的可焊接散热焊盘，为芯片到PCB(或散热器)提供了极低的热阻路径。规格书中KM025065K1的结壳热阻(RθJC)低至0.46°C/W，KM040120K1更是达到0.42°C/W，为高效散热奠定了基础。　　低寄生电感：　　多个开尔文源极引脚和功率引脚的优化布局，有助于减小开关回路中的寄生电感，这对于发挥SiC高频开关优势、抑制电压过冲和振铃至关重要。　　02 性能跃迁：Cu-Clip技术如何赋能TOLL封装?　　森国科的创新之处在于，在TOLL封装内部，用铜夹片(Cu-Clip) 替代了传统的铝键合线(Bonding Wires)。　　彻底告别键合线瓶颈：　　传统键合线存在寄生电感较大、载流能力有限、热机械可靠性等问题。Cu-Clip通过一块扁平的铜片直接连接芯片源极和引线框架，实现了面接触。　　实现“三位一体”的性能提升：　　超低导通电阻：　　铜的导电性远优于铝，Clip结构提供了更广阔的电流通道，显著降低了封装内部的导通电阻。　　极致散热性能：　　铜片成为高效的导热桥梁，将芯片产生的热量快速、均匀地传导至整个引线框架和封装外壳，这正是实现超低RθJC的关键。　　更高的可靠性与电流能力：　　消除了键合线可能因热疲劳而脱落的风险，载流能力大幅提升，规格书中KM025065K1的连续漏极电流在Tc=25°C时高达91A。　　03 强强联合：TOLL+Cu-Clip与SiC晶圆的完美协同　　当优化的TOLL封装、先进的Cu-Clip互联技术与高性能SiC晶圆相结合，产生了“1+1+1>3”的协同效应：　　充分发挥SiC高频特性：　　低寄生电感的封装允许SiC芯片以更快的速度开关(如KM025065K1的上升时间tr=28ns)，从而显著降低开关损耗，提升系统频率和效率。　　最大化功率密度：　　优异的散热能力使得器件能在更高结温(Tj=175°C)下持续输出大电流，允许使用更小的散热器，最终实现系统体积和重量的大幅缩减。　　提升系统鲁棒性：　　KM040120K1规格书中特别提到“带有单独驱动源引脚的优化封装”，这有助于进一步改善开关性能，减少栅极振荡，使系统运行更稳定可靠。　　04 应用场景：为高效能源未来而生　　这款创新封装的SiC MOSFET非常适合对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用：　　光伏/储能逆变器：　　高开关频率可减小无源元件体积，高效率直接提升发电收益。　　电动汽车车载电源(OBC/DCDC)与电机驱动：　　高功率密度和卓越散热是满足紧凑空间和高温环境要求的关键。　　服务器电源/通信电源：　　助力打造效率超过80 Plus钛金标准的高密度电源模块。　　工业电机驱动与不间断电源(UPS)：　　高可靠性和高频特性满足工业环境的严苛需求。　　森国科KM025065K1与KM040120K1的推出，不仅是两款新产品的面世，更是一次针对功率封装瓶颈的精准突破。它证明了通过封装-互联-芯片的协同设计与创新，能够充分释放第三代半导体的巨大潜力。这为设计工程师在面对未来能源挑战时，提供了一把兼具高性能、高可靠性与高功率密度的利器，必将加速光伏、电动汽车、数据中心等关键领域的技术革新。
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发布时间：2026-01-26 17:39 阅读量：329 继续阅读>>
<span style='color:red'>森国科</span>发布G6002C/G6003C系列线性霍尔传感器芯片：重新定义磁感应精度与能效
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森国科发布G6002C/G6003C系列线性霍尔传感器芯片：重新定义磁感应精度与能效

　　森国科连续推出两款革命性的低功耗线性霍尔传感器——G6002C和G6003C。作为磁感应技术领域的创新者，我们持续致力于为消费电子和工业控制领域提供高性能、高可靠性的解决方案。　　产品系列概览　　G6002C和G6003C是我们专为不同应用场景优化设计的线性霍尔传感器，具有以下共同优势：　　超低功耗：典型工作电流仅1.4mA　　宽电压范围：2.7V～8V工作电压　　工业级温度范围：-40℃至105℃　　卓越ESD防护：HBM ESD Class2等级(≥2500V)　　高集成度：SOT23-3小型化封装系统框图　　G6002C：调速转把应用的理想选择　　G6002C专为调速转把应用优化设计，具有以下突出特点：　　比例输出特性：输出电压与电源电压成比例变化　　中点零点：无磁场时输出电压为电源电压的一半(典型 1.65V@3.3V)　　高灵敏度：2.4mV/Gs@VDD=3.3V　　快速响应：仅0.7μs响应时间　　双封装选项：SOT23-3或TO92S-3　　输出特性曲线　　典型应用：　　电动车调速转把;　　游戏手柄控制;　　液面检测系统;　　工业位置传感;　　G6003C：磁轴键盘的专用解决方案　　G6003C专为磁轴键盘单极性应用深度优化，具有以下独特优势：　　专用零点设计：无磁场时固定输出2.05V　　宽线性范围：0.8V～2.5V@VDD=3.3V　　优化灵敏度：2.2mV/Gs@VDD=3.3V　　低噪声输出：无需外部滤波电容　　键盘专用曲线：针对按键行程特性优化磁玉轴应用曲线　　核心价值：　　提供更精确的按键行程检测;　　实现更快地触发响应;　　支持自定义按键力度曲线;　　提升键盘使用寿命;　　技术优势对比　　品质保证与供货信息　　所有产品均经过严格测试，符合工业级可靠性标准。我们提供灵活的供货方案：　　G6002C-B1：SOT23-3封装，3000只/盘　　G6002C-A1：TO92S-3封装，3000只/盘　　G6003C-B1：SOT23-3封装，3000只/盘
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发布时间：2026-01-23 13:35 阅读量：325 继续阅读>>
<span style='color:red'>森国科</span>SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命
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森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命

　　在小体积、高功率密度、高效散热成为行业刚需的今天，　　森国科通过创新的封装技术给出了自己的解决方案。　　继成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封装的SiC二极管后，森国科正式发布三款同封装类型的SiC MOSFET产品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V电压覆盖，为高功率密度应用提供了更为丰富的选择。　　这一系列新品基于森国科自主研发的第三代平面栅SiC MOSFET芯片技术，通过创新的铜夹片封装技术和优化的内部结构设计，在保持高性能的同时显著提升了散热效率和功率密度。　　PART01 三款新品核心参数解析：满足不同功率等级需求　　KM025065P1：650V/25mΩ高电流型号　　这款产品在25℃条件下连续漏极电流高达91A，脉冲电流能力达到261A，特别适合大电流应用场景。其低导通电阻(典型值25mΩ)确保在高电流下仍保持较低的导通损耗。　　该器件结壳热阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技术，能够将芯片产生的热量快速传导至PCB板，保证在高功率运行时的稳定性。　　KM040120P1：1200V/40mΩ高压应用优选　　针对光伏逆变器、工业电机驱动等高压应用，KM040120P1提供了1200V的耐压能力，同时在15V驱动电压下导通电阻典型值为40mΩ。该产品静态栅源电压为-5/+15V，适用于严苛的工业环境。　　值得一提的是，这款产品特别优化了开关特性，在800V/33A测试条件下，开关能量表现优异(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系统开关损耗。　　KM065065P1：650V/65mΩ性价比之选　　对于成本敏感型应用，KM065065P1提供了平衡的性能与价格。其导通电阻典型值为65mΩ，连续漏极电流38A，适合中小功率场景。该产品输入电容仅为977pF，栅极总电荷41nC，便于驱动电路设计。　　三款产品均支持-55℃至+175℃的工作结温范围，满足汽车电子、工业控制等严苛环境要求。　　PART02 PDFN8 * 8+Cu-Clip封装技术深度解读　　PDFN8 * 8+Cu-Clip封装是森国科为应对高功率密度挑战而推出的先进封装解决方案。与传统的引线键合技术不同，Cu-Clip(铜夹片)技术采用扁平铜桥连接芯片表面和外部引脚，有效降低封装电阻和热阻。　　这种封装结构的优势显而易见：更低的寄生参数、更好的热性能以及更高的电流承载能力。实测数据显示，与传统封装相比，Cu-Clip技术能够降低约35%的封装电阻，同时提升约20%的电流能力。　　热性能是功率器件的关键指标。PDFN8 * 8+Cu-Clip封装通过优化设计，实现了从芯片到PCB的高效热管理路径。三款新品的结壳热阻均在0.46-0.81°C/W范围内，大幅提升了整体散热能力。　　封装尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的紧凑外形，引脚间距为2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。这种紧凑设计使得器件在空间受限的应用中具有明显优势。　　PART03 电气性能优势：低损耗与高可靠性兼备　　开关损耗是影响功率转换效率的关键因素。三款新品在开关特性方面表现出色：　　优化的开关速度:　　由于减少了栅极回路的寄生电感，新品的开关速度得到显著提升。以KM025065P1为例，其开启延迟时间仅12ns，上升时间28ns，下降时间22ns，支持更高频率的运行。　　低栅极电荷：　　KM065065P1的栅极总电荷仅为41nC，KM040120P1为84nC，降低驱动电路的设计难度和功率需求。　　优异的体二极管特性：　　内置的快恢复体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值仅为67nC，减少反向恢复损耗。　　可靠性方面，所有产品均通过严格的可靠性测试，包括高温反偏(HTRB)、高低温循环等测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。　　PART04 应用场景全覆盖：从消费电子到工业驱动　　新能源汽车领域　　在车载充电机(OBC)和直流-直流转换器中，KM025065P1的高电流能力(91A连续电流)可直接替代多个并联的传统器件，简化系统设计。KM040120P1的1200V耐压适合800V电池系统应用。　　可再生能源系统　　光伏逆变器是SiC MOSFET的重要应用领域。KM040120P1的高耐压和低导通损耗可有效提升系统效率，配合其优异的开关特性，助力实现99%以上的转换效率。　　工业电源与电机驱动　　服务器电源、通信电源等场景中，KM065065P1的平衡性能和成本优势明显。其紧凑的封装尺寸有助于提升功率密度，满足现代数据中心对高密度电源的需求。　　消费类电子　　大功率快充电源适配器、便携式充电站等应用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空间内实现更大的功率输出。　　PART05 设计与应用支持：助力客户快速量产　　针对不同的应用场景，森国科技术团队可提供定制化的解决方案，帮助客户优化系统性能，缩短产品上市时间。　　在驱动设计方面，由于三款产品的阈值电压(VGS(th))在2.7-3.2V范围内，建议驱动电压在15-18V之间，以确保充分导通的同时避免过驱动。　　散热设计建议　　虽然Cu-Clip封装具有良好的散热性能，但在大功率应用中仍需注意PCB的热设计。建议使用2盎司及以上铜厚的PCB，并合理设计散热过孔和散热焊盘。　　森国科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封装SiC MOSFET产品，与先前发布的同封装SiC二极管共同构成了完整的功率半导体解决方案。这一产品组合体现了森国科在碳化硅技术领域的深厚积累和对市场需求的精准把握。　　随着新能源、电动汽车等行业的快速发展，对功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不断提高。森国科通过持续的技术创新和产品优化，为行业客户提供更具竞争力的解决方案。　　未来，森国科将继续扩展Cu-Clip封装的碳化硅功率器件产品线，包括2200V及更高电压等级的器件，为全球绿色能源转型提供核心半导体支撑。　　以下是三款产品的规格：
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发布时间：2026-01-23 11:02 阅读量：366 继续阅读>>
<span style='color:red'>森国科</span>丨破局“SiC封装瓶颈”：PCB嵌入式3D封装如何引领SiC进入系统集成新时代
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森国科丨破局“SiC封装瓶颈”：PCB嵌入式3D封装如何引领SiC进入系统集成新时代

　　在碳化硅(SiC)技术飞速发展的今天，我们正面临一个关键的转折点：芯片本身的卓越性能，正日益被传统封装的寄生参数和热管理瓶颈所制约。要实现电力电子系统在效率、功率密度和可靠性上的再一次飞跃，必须从“封装”这一基础环节进行革命。PCB嵌入式3D封装技术，正是破局的关键。而森国科最新量产出货的KC027Z07E1M2(SiC S-Cell)，作为该技术的成熟载体，标志着我们正从简单的“器件替换”迈入深度的“系统重构”时代。　　01 技术基石：为何PCB嵌入式3D封装是必然趋势?　　PCB嵌入式3D封装，是一种将半导体裸芯片(Bare Die)直接埋入印制电路板(PCB)内部的先进集成技术。它不同于将封装好的器件焊接在板卡表面，而是让芯片成为PCB的一个“内部层”，从而实现系统级的性能优化。　　其核心优势体现在三个根本性突破上：　　电气性能的跃迁：实现“最短”功率回路　　通过芯片与PCB内部铜层的直接三维互连，彻底消除了传统封装中键合线(Bonding Wire)和长距离引线带来的寄生电感和电阻。这使得开关过程中的电压过冲和能量损耗(EON, EOFF)大幅降低，允许系统工作在更高的频率，同时显著改善电磁干扰(EMI)性能。这对于追求极致效率的应用至关重要。　　热管理的革命：从“点”散热到“面”散热　　传统封装热量只能通过芯片底部单一路径传导。嵌入式封装实现了双面甚至多面散热，芯片产生的热量可以通过上下方大量的导热过孔(Thermal Vias)迅速传导至PCB大面积铜层，再高效散出。这带来了极高的散热效率，直接提升了系统的长期可靠性和峰值功率输出能力。　　系统架构的重构：迈向高度集成化与小型化　　此技术为一个集成平台，而非单一器件。它允许将直流母排、驱动电路、无源元件乃至电流采样单元(如嵌入式分流器)与功率芯片共同集成于同一基板。这极大简化了系统结构，减少了互联接口，提升了生产一致性与功率密度，为终极的轻量化、小型化设计奠定了基础。　　02 广阔前景：嵌入式SiC将赋能哪些前沿领域?　　上述技术优势，精准命中了下游高端应用对电源系统的核心诉求，市场前景极为广阔。　　新能源汽车与泛新能源领域：　　在电动汽车的主驱逆变器、车载充电机(OBC)中，嵌入式SiC能进一步提升效率，延长续航，同时减小系统体积和重量。在光伏逆变器、储能变流器中，其高可靠性和高效率是提升发电效益的　　AI服务器与算力中心：　　单机柜功率密度持续攀升，对供电单元(PSU)和散热提出极致要求。嵌入式SiC的高频、高效和高功率密度特性，是构建下一代超高效、高密度服务器电源和GPU加速卡直接供电(Point-of-Load)方案的基石。　　低空飞行器(eVTOL)与航空航天：　　重量即生命线。嵌入式SiC的轻量化和小型化优势直接转化为更长的航程和更高的载重。其卓越的散热能力和在极端温度下的稳定性(如规格书中Tvjop max=175℃)，是飞行安全与可靠性的根本保障。　　智能充电网络：　　直流快充桩对功率密度和效率的追求永无止境。利用该技术可打造更紧凑、更高效的充电模块，缩短充电时间，提升运营效益。　　03 森国科推出的KC027Z07E1M2 SiC S-Cell，正是上述技术理念的成功实践。它并非一个抽象概念，而是一款已经量产的、具备优异性能的已经用于PCB 嵌入式3D封装的650V/27mΩ SiC MOSFET：　　卓越的芯片性能：　　其芯片本身具备低栅极电荷(Qg=120nC)和快速开关特性(tr=28ns, tf=22ns)，为高频高效运行提供了基础。其体二极管也具有快速反向恢复特性(trr=17ns)，适用于桥式电路;　　量化封装优势：　　规格书中0.36°C/W的极低结壳热阻(RthJC)是其双面散热能力的直接证明，确保了在高负载下的稳定输出(如Tc=100°C时Id达64A)。板上集成母排和逻辑的设计，使其实现了“易于互连、改善回路电阻、小型化”的系统级优势。　　森国科SiC S-Cell的量产，标志着PCB嵌入式3D封装技术已从实验室走向产业化。它解决了SiC技术向更高阶应用发展时的核心瓶颈，为新能源汽车、算力基建、低空经济等前沿领域提供了实现其苛刻目标的钥匙。随着这种系统级集成理念的普及，我们有理由相信，电力电子技术将进入一个性能飙升、形态重构的新纪元，而森国科已通过SiC S-Cell在此赛道上占据了有利位置。
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发布时间：2026-01-23 10:58 阅读量：363 继续阅读>>
<span style='color:red'>森国科</span>创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip封装碳化硅二极管，实现高功率密度新突破
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森国科创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip封装碳化硅二极管，实现高功率密度新突破

　　森国科最新推出的采用PDFN8*8封装并结合Cu-Clip(铜带)连接技术的碳化硅二极管，代表了公司在功率半导体封装技术领域的重要创新。这一创新解决方案针对高功率密度和高效率应用需求，通过优化封装结构和互连工艺，显著提升了产品性能。　　01、PDFN8*8封装技术的核心优势　　PDFN8*8封装作为一种紧凑型表面贴装技术，在功率半导体领域具有显著优势。这种封装尺寸仅为8mm x 8mm，比传统TO-220封装节省了约70%的安装空间，非常适合空间受限的高功率密度应用场景。　　与更大尺寸的封装相比，PDFN8*8的低外形设计有助于减小布板面积，提高功率密度。这种封装还具有优异的热性能，通过底部大面积裸露焊盘，能有效将芯片产生的热量传导至PCB板，并散发到周围环境中。　　02、Cu-Clip互连技术的革命性突破　　Cu-Clip(铜带)互连技术是森国科此次创新的另一大亮点。与传统键合线技术相比，Cu-Clip技术通过扁平铜带替代传统的铝线或金线，实现了芯片与引脚之间的面接触连接。这一技术显著降低了封装内部的寄生电感，有助于减少开关损耗和电压过冲。传统键合线结构的寄生电感通常在几十nH，而Cu-Clip技术能将这一值降低至十几nH，从而提升高频开关性能。　　Cu-Clip技术还改善了电流流动路径，显著降低了导通电阻。铜材料的高电导率和热导率使芯片能够承受更高的电流密度，同时提高散热效率，使器件能够在更高温度下可靠工作。　　03、PDFN8*8 & Cu-Clip双重技术结合的协同效应　　PDFN8*8封装与Cu-Clip技术的结合产生了显著的协同效应。这种组合充分发挥了碳化硅材料本身的优异特性——碳化硅的禁带宽度达3.2eV，击穿场强是硅的10倍，热导率也是硅的3倍。　　--在热性能方面，Cu-Clip技术提供了优异的垂直散热路径，而PDFN8*8封装的底部散热焊盘则增强了水平方向的散热能力。双重散热机制确保了芯片结温保持在较低水平，提高了可靠性并延长了使用寿命。　　--电性能方面，低寄生参数与紧凑封装布局相结合，使这款碳化硅二极管特别适合高频开关应用。测试数据显示，采用这种封装组合的碳化硅二极管开关损耗比传统硅基快恢复二极管降低约90%，效率提升显著。
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发布时间：2026-01-20 17:20 阅读量：361 继续阅读>>
<span style='color:red'>森国科</span>突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化硅二极管
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森国科突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化硅二极管

　　深圳市森国科科技股份有限公司将原本用于硅基器件的小型封装SOD123成功应用于1200V/1A碳化硅二极管，这一突破彰显了其在碳化硅器件设计领域的领先实力。　　在功率半导体领域，电压等级与器件尺寸通常呈正相关。传统硅基高压器件往往需要大型封装来满足散热和电气绝缘需求。森国科成功将1200V/1A碳化硅二极管集成到SOD123封装中，攻克了这一技术难题。SOD123封装的面积不到1平方毫米，却成功容纳了1200V耐压的碳化硅二极管芯片。这要求森国科在器件结构设计、材料选择和工艺实现上具备超强能力。在SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管中，森国科通过优化电场分布和电流路径，在极小空间内实现了高耐压和低漏电的平衡。封装工艺方面，森国科克服了小尺寸封装下的散热挑战装材料的匹配性，确保器件在高负载下仍能保持稳定工作。　　森国科这款迷你型高压碳化硅二极管为众多应用场景带来新的可能。在高频ACF电路、小功率适配器、驱动部分自举电路和高频DC/DC电路等应用场合器件的小尺寸尤为宝贵。　　森国科凭借这款SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管，向业界展示了其在碳化硅器件设计领域的深厚功底。未来，随着碳化硅技术在各个领域的渗透，森国科有望凭借其技术优势赢得更大市场份额，成为全球领先的功率半导体公司。
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发布时间：2026-01-20 11:44 阅读量：309 继续阅读>>
<span style='color:red'>森国科</span>再获殊荣，荣膺“2025年度中国碳化硅器件Fabless十强”
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森国科再获殊荣，荣膺“2025年度中国碳化硅器件Fabless十强”

　　2025年12月4日晚，在深圳举行的“2025行家极光奖”颁奖典礼上，奖项组委会正式揭晓“年度中国碳化硅器件Fabless十强企业”榜单。森国科凭借卓越的技术实力与市场表现，与业内其他九家杰出企业一同登台，获此重要殊荣。　　本次评选由行业权威机构“行家说三代半导体”主办。在红毯与金色奖杯辉映的盛典现场，组委会给予十强企业高度评价，表彰其作为“聚焦碳化硅器件设计的先锋代表，以技术创新突破设计瓶颈，国内市场份额领先，深度赋能供应链协同，成长潜力强劲，是中国第三代半导体走向全球的设计中坚。　　森国科连续四年蝉联此项十强称号，标志着森国科在碳化硅功率器件设计领域的领先地位得到了产业的持续认可。未来，公司将继续深耕核心技术，为新能源汽车、绿色能源等领域提供更优的功率解决方案，与产业优秀伙伴同行。　　连续四年蝉联十强　　森国科作为一家Fabless企业，专注于SiC功率器件的研发设计，是国产品牌型号最全的碳化硅功率器件供应商，包括SiC 二极管、SiC MOSFET和碳化硅模块产品。高性能、高可靠性的SiC功率器件及模块在电力电子、新能源汽车、太阳能光伏、风能等领域中得到了广泛应用，未来市场发展潜力不可限量。　　专注于当下发展，着眼于未来市场布局，森国科将带着这份荣誉继续加快研发创新的速度，与众多行业伙伴一起推动我国第三代半导体产业的蓬勃发展，为应用端客户提供更低碳环保、更高性能、更可靠的产品，从而推动电力电子技术的全面进步。
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发布时间：2025-12-09 14:00 阅读量：481 继续阅读>>
<span style='color:red'>森国科</span>发布革命性轨到轨线性霍尔传感器G6004C，重新定义高精度磁场检测
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森国科发布革命性轨到轨线性霍尔传感器G6004C，重新定义高精度磁场检测

　　2025年9月16日—— 森国科(Gokeic)正式发布全新G6004C低功耗线性霍尔传感器，专为游戏手柄、磁轴键盘、工业控制等高精度应用场景优化设计。该产品凭借轨到轨(Rail-to-Rail)输出、宽电压适应、超低功耗等核心优势，为消费电子及工业市场带来更精准、更可靠的磁场检测解决方案。　　G6004C核心技术创新　　真·轨到轨输出，最大化信号动态范围：　　G6004C采用先进的轨到轨输出架构，在3.3V供电下，线性输出范围覆盖0.2V～3.1V，接近电源电压极限;在5V供电时，线性区间扩展至0.2V～4.8V，确保信号无失真传输。　　零点自动校准：　　无磁场时，输出电压默认为电源电压的50%(如3.3V时为1.65V)，减少系统校准复杂度。　　高线性度(±1%)：　　全温度范围内保持稳定输出，适用于游戏手柄扳机、磁轴键盘等需要精细控制的场景。　　超低功耗，续航更持久　　1.8mA超低工作电流(@3.3V)，相比竞品降低30%，显著延长便携设备电池寿命。　　宽电压支持(3V～8V)，兼容多种供电方案，适配不同应用需求。　　工业级可靠性，无惧严苛环境　　-40℃~125℃宽温工作，适应极端温度环境。　　Class 2 ESD防护(HBM≥2000V)，抗静电能力行业领先。　　无需外部滤波电容，简化PCB设计，降低BOM成本。　　应用场景与市场价值　　游戏手柄与磁轴键盘　　细腻力度检测　　高线性度(±1%)确保游戏扳机、摇杆的精准反馈，提升玩家体验。　　快速触发(20μs响应)　　磁轴键盘可实现超低延迟触发，满足电竞级需求。　　工业控制与电机驱动　　高抗干扰能力　　在电机控制、液位检测等场景下稳定运行，避免误触发。　　宽温适应性　　适用于汽车电子、工业自动化等恶劣环境。　　G6004C现已量产，提供SOT23-3封装，支持卷盘包装(3000只/盘)：
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发布时间：2025-09-17 10:08 阅读量：761 继续阅读>>

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