前高通GPU负责人入职<span style='color:red'>英特尔</span>!
  1月21日消息,据Tom's hardware报道,高通工程高级副总裁、GPU负责人Eric Demers已经于今年1月跳槽英特尔,出任英特尔高级副总裁,专注于推进英特尔面向人工智能(AI)和数据中心工作负载的GPU研发。  Eric Demers在高通的任期内,主导了Adreno GPU系列的设计近14年,这些GPU是高通Snapdragon(骁龙)处理器的核心组件,广泛应用于智能手机及其他智能设备。在此之前,他还曾是AMD(前身为ATI)的Radeon GPU部门的首席技术官,在GPU架构设备方面也有卓越贡献,这使他在高性能GPU设计领域的专业知识得到广泛认可。  根据Linkedin上的资料也显示,Eric Demers已于今年1月加盟英特尔,其此前作为高通公司GPU的研发负责人,主要负责:GPU架构、设计和客户支持;路线图、知识产权开发和业务合作;GPU ISA编译器技术;低功耗GPU架构和设计;通用GPU计算和机器学习;用于计算机和汽车的高性能计算;客户支持和ISV参与。  Eric Demers在GPU内核的设计和交付方面拥有行业领先的经验。出货了数十亿个GPU。  此次Eric Demers加盟英特尔,正值英特尔努力弥补其未能实现2024年Gaudi AI加速器至少5亿美元营收目标之际,同时也在努力建立起稳定的数据中心GPU产品线。  业内人士认为,Eric Demers的加入将为英特尔的GPU团队带来显著增强,尤其是在AI加速器的设计方面。  目前,英伟达和AMD仍然主导着数据中心AI GPU市场,但英特尔也正计划推出用于AI推理的Crescent Island,以及采用尖端工艺节点和整合HBM4内存的Jaguar Shores与它们进行竞争。  显然,英特尔挖来Eric Demers的目的就是为了加速其图形和AI路线图,以便更好地应对当前不利的竞争态势。所以,接下来的问题是,英特尔如何选择路线和资源分配,是让Eric Demers推动现有的Gaudi产品线和GPU继续演进,还是放弃Gaudi产品线,优先发展新的GPU架构?
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发布时间:2026-01-21 17:56 阅读量:326 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>宣布玻璃基板技术实现量产,克服AI芯片“翘曲壁垒”!
  1月16日,英特尔(纳斯达克股票代码:INTC)正宣布其玻璃基板技术已实现量产(HVM)。这项技术的核心是英特尔位于亚利桑那州钱德勒市的先进工厂,它代表了近三十年来半导体封装领域最重大的变革之一,为定义下一代生成式人工智能的1000瓦处理器提供了必要的结构基础。  此举的直接意义不容低估。英特尔通过以玻璃取代传统的有机树脂,打破了“翘曲壁垒”——这种现象指的是大型人工智能芯片与其外壳的热胀冷缩速率不一致,从而导致机械故障。到2026年初,这项突破不再是研究项目,而是英特尔最新服务器处理器的基石,也是其不断扩张的晶圆代工业务的关键服务,标志着该公司在人工智能硬件领域争夺主导地位的过程中,战略方向发生了重大转变。  英特尔向玻璃基板的转型解决了芯片设计中一个迫在眉睫的危机:随着芯片尺寸的增大,诸如味之素增材制造膜(ABF)之类的有机材料无法保持平整和刚性。现代人工智能加速器通常将数十个“芯片组”集成到单个封装中,其尺寸和发热量都非常大,以至于传统基板在制造过程中或承受高热负荷时经常会发生翘曲或开裂。相比之下,玻璃具有超低的平整度和亚纳米级的表面粗糙度,为光刻工艺提供了近乎完美的“光学”表面。这种高精度使英特尔能够以十倍更高的互连密度蚀刻电路,从而实现万亿参数人工智能模型所需的海量I/O吞吐量。  从技术角度来看,玻璃的优势具有变革性。英特尔 2026 年的封装方案与硅的热膨胀系数 (CTE) 相匹配(3–5 ppm/°C),几乎完全消除了导致焊球开裂的机械应力。此外,玻璃的刚度远高于有机树脂,能够支持尺寸超过 100mm x 100mm 的“突破光罩限制”封装。为了连接这些巨型芯片的各个层,英特尔采用了间距小于 10μm 的高速激光蚀刻玻璃通孔 (TGV)。这一改进使处理核心和高带宽内存 (HBM4) 堆叠之间的数据传输信号损耗降低了 40%,能效提高了 50%。  英特尔成功实现玻璃基板的大规模量产,标志着计算机发展史上的一个决定性转折点。通过突破有机材料的物理限制,英特尔不仅改进了单个组件,更重塑了现代人工智能赖以构建的基础。这一突破确保了人工智能计算的发展不会再受制于“翘曲壁垒”或散热限制,而是将在日益复杂高效的三维架构中焕发新生。  展望2026年,业界将密切关注英特尔的良率及其代工服务的普及情况。“Clearwater Forest”至强处理器的成功将是“玻璃封装”技术在实际应用中的首次考验,其性能很可能决定其他厂商跟进的速度。目前,英特尔已重新夺回了关键的技术领先地位,这证明在人工智能霸主之争中,最重要的突破或许并非硅芯片本身,而是将硅芯片连接在一起的“玻璃封装”技术。
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发布时间:2026-01-20 13:08 阅读量:446 继续阅读>>
全球半导体研发投入Top20:<span style='color:red'>英特尔</span>第一,台积电第七!
  9月2日,半导体研究机构TechInsights发布了一份最新的研究报告,披露了2024年全球半导体企业投资排名前20位的厂商名单。  报告显示,深陷“财务危机”的英特尔依旧以165.46亿美元的研发投入占据着第一的位置,紧随其后的前十厂商分别是英伟达、三星电子、博通、高通、AMD、台积电、联发科、美光和SK海力士。而要上Top20榜单,研发投入的门槛则是9.69亿美元。  整体来看,排名前20位的半导体公司的研发支出总额达986.8亿美元,同比增长了17%,约占全球半导体行业研发支出总额的96%。排名前20位的半导体公司平均研发支出占销售额的比重为15.8%。  从研发支出同比变化来看,有15家公司同比增加了研发支出,剩下的5家公司的研发支出则同比下滑。  报告指出,英特尔2024年在研发上的投入最多,达到165.46亿美元,主要用于其代工业务,包括18A(1.8纳米)工艺,较前一年增长3.1%。  英伟达位居第二,研发投入达125亿美元,同比增长47%。  三星电子则将研发投入从上一年的55亿美元大幅提升至95亿美元,排名从第七跃升至第三。然而,三星电子的年增长率最高(71.3%)。TechInsights评估道:“三星电子在尖端工艺节点领域与台积电、英特尔和Rapidus等领先公司展开竞争,同时在DRAM和NAND闪存市场也与其他厂商展开激烈竞争,而这两个市场在过去三年中一直面临困境。”  在研发投入占销售额比例方面,英特尔以33.6%高居榜首,其次是博通(30.3%)、高通(25.9%)和AMD(25.0%),美国半导体公司占据前列。二十大公司的平均研发支出占销售额比例为15.8%,而三星电子和SK海力士分别为11.7%和6.99%,低于整体平均水平。值得一提的是,尽管SK海力士的研发投入较前一年增加了32%以上,但由于其销售额几乎翻倍,研发占比反而下降。  TechInsights预测,英伟达有望在明年成为研发投入最多的公司。  需要指出的是,台积电是研发投入超过10亿美元的公司中唯一一家纯晶圆代工厂。台积电于2010年首次进入研发投入前十名(排名第10)。2010年的研发支出为9.43亿美元,到2024年增长574%,达到63.57亿美元,这是台积电13年来首次达到这一水平。  在2024年研发支出排名前十的公司中,有6家总部位于美国,2家位于中国台湾,2家位于韩国。前十家公司中有5家是无晶圆厂半导体公司,分别是高通、英伟达、AMD、博通和联发科。4家是IDM公司(英特尔、三星电子、美光和恩智浦)。  在研发支出排名前11至20的公司中,有5家总部位于美国,3家位于欧洲,2家位于日本。其中,IDM公司占9家,无晶圆厂半导体公司仅1家。
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发布时间:2025-09-04 17:15 阅读量:924 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>汽车总部落户中国!
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发布时间:2025-05-06 16:15 阅读量:928 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>代工业务受阻,传3nm订单委托给台积电代工!
  英特尔已决定将其3纳米以下芯片的生产委托给台积电。  在“IFS Direct Connect 2024”会议上,英特尔CEO基辛格表示,英特尔将把其处理器的核心部分交给台积电生产。在全球半导体制造的舞台上,3纳米工艺被视为继5纳米之后的下一个关键节点。英特尔、三星和台积电这三大巨头均已宣布了各自的3纳米研发和量产计划。三星在其3纳米工艺中采用了GAAFET技术,而台积电和英特尔开展合作。  先前就有消息称英特尔已将3nm以下制程全面委由台积电代工,并进行全球裁员15%计划,力求扭转颓势。惟业界透露,英特尔裁员锁定以晶圆代工业务对象为主,但为维系台芯片厂生产业务,中国台湾分公司未受波及。  英特尔对晶圆代工仍有所坚持,7月时英特尔开始向IC制造业者发布18A制程设计套件(PDK)。但近期传出,博通对英特尔18A可行性感到担忧,给出不适合量产的结论,博通发言人则表示,「正在评估英特尔代工厂的产品和服务,但尚未得出评估结论」。业者指出,博通与台积电合作多年,尤其在进入7nm以下先进制程,可望赢者通吃,并稳居前十大客户之列。  观察英特尔最新一季财报,晶圆代工业务亏损扩大至28亿美元,营业利润率为-65.5%;公司也坦言,Intel 3、Intel 4制程于爱尔兰工厂扩大产能均对获利形成压力。显见技术突破与量产实力于半导体界存有相当挑战。  英特尔进行降本增效,并积极推动转型。预计2025年节省100亿美元成本、出售部分业务,更停发股息、为30年来首见,另外全球拓点脚步也放缓。半导体业者强调,英特尔需要减少一切不必要支出,将宝贵资源投入到核心芯片业务之中。  业界指出,现今高度专业化的芯片产业分工格局,技术先进只是基础条件,即时服务客户更是首要条件。
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发布时间:2024-09-10 13:19 阅读量:1409 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>或出售Altera!
台积电又获英伟达、<span style='color:red'>英特尔</span>新订单
  台积电订单又添新客户,除了AMD、谷歌、亚马逊外,此次传已拿下英特尔下一代芯片订单,而原有大客户英伟达由于需求增长,也传对台积电有新一波加单,都将大幅提高台积电明年业绩。  供应链传出,由于英伟达的客户需求强劲,对台积电的投片量增加25%,台积电已在近期准备开始生产英伟达最新Blackwell平台架构绘图处理器(GPU)。  业界认为,英伟达此举不仅意味AI市场盛况空前,也为台积电下半年业绩增添强大动能,并为调高全年展望留下伏笔,尤其在台积电将开始生产Blackwell平台架构绘图处理器(GPU)的背景下。  分析师预估,以Blackwell架构打造的英伟达B100 GPU平均售价(ASP)为3万美元至3.5万美元,串联Grace CPU与B200 GPU的超级芯片GB200售价则介于6万美元至7万美元甚至更高,亦即英伟达相关芯片是台积电历来打造终端售价最贵的芯片。  英伟达Blackwell架构GPU被誉为「最强AI芯片」,配备2,080亿个晶体管,采用台积电客制化4纳米制程制造,两倍光罩尺寸GPU裸晶透过每秒10TB的芯片到芯片互连连接成单个、统一GPU,且支持AI训练和实时大型语言模型推理,模型可扩展至10兆个参数。  业界人士透露,亚马逊、戴尔、Google、Meta、微软等国际大厂都将导入英伟达Blackwell架构GPU打造AI服务器,量能超乎预期,为此,英伟达调高对台积电下单量约25%。  英伟达扩大Blackwell架构GPU投片量之际,就终端整机服务器机柜数量来看,包括GB200 NVL72及GB200 NVL36服务器机柜出货量同步大增,由原预期合并出货4万台,大增至6万台,增幅高达五成,当中以GB200 NVL36总量达5万台为数最多。  业界估计,GB200 NVL36服务器机柜平均售价180万美元,GB200 NVL72服务器机柜售价更高达300万美元。GB200 NVL36有36个超级芯片GB200,18个Grace CPU、36个增强型B200 GPU;GB200 NVL72有72个超级芯片GB200,36个Grace CPU、72个B200 GPU。  不仅英伟达,台积电近日还传出拿下英特尔的大单。  市场传出,英特尔下一代 AI 芯片 Falcon shores 将采台积电 3 nm制程与 CoWoS 先进封装技术,打造效能更强悍的 AI 芯片,目前已完成设计定案,将在明年底进入量产。  业界指出,英特尔收购 Habana 后,维持其独立运营模式,此次首度将 Habana 技术结合自家 GPU 技术,透过两大团队协同合作,将可程序设计化架构与图形处理核心进行链接,藉此强化 AI 运算能力,一展双方在两大领域的技术实力,也让英特尔对 Falcon shores寄予厚望。  更重要的是,英特尔为确保芯片效能可完全发挥,决定不在自家晶圆厂投产,全面交由台积电操刀生产,连带后续先进封装也在台积电下单,业界预期,英特尔此次会以先进的3nm与 5nm制程打造,并沿用CoWoS-R 先进封装技术进行量产。  业界人士指出,英特尔先前抢攻 AI 服务器的产品 MAX GPU采用 7nm等五个制程,并透过自家的 EMIB 与 Foveros 3D 技术将裸晶进行连结,尽管效能强,但相当耗能,耗电量高出同业一截,此次改采台积电解决方案,可望解决高耗能问题,并强化运算表现。
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发布时间:2024-07-15 14:02 阅读量:1211 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>发布新一代数据中心处理器
  著名的半导体公司英特尔正式发布了备受期待的第六代至强服务器处理器,旨在 reconquer 数据中心市场份额。同时,公司还透露,其新推出的 Gaudi 3 人工智能加速器芯片价格将明显低于竞争对手的产品。  据行业分析机构Mercury Research的数据显示,英特尔在x86芯片数据中心市场的份额在过去一年中下滑了5.6个百分点,降至76.4%,而其主要竞争对手超微半导体公司(AMD)的市场份额则上升至23.6%。这一趋势对英特尔来说无疑是一个严峻的挑战,因此,第六代至强芯片的发布被看作是英特尔重振数据中心业务的关键一步。  新一代至强处理器分为两种主要型号:一种是高性能版本,旨在处理复杂的人工智能模型和对计算能力要求极高的任务;另一种是“效率”型号,该型号被设计为老一代芯片的替代品,专注于服务媒体、网站和数据库计算等应用。英特尔首席执行官帕特·基辛格介绍称,新款处理器实现了“性能提升,功耗降低”的目标。  此外,英特尔还宣布了其新一代笔记本电脑芯片Lunar Lake的相关信息。据称,该芯片在功耗上降低了40%,并集成了更强大的AI处理器,计划于今年第三季度出货。  在AI加速器方面,英特尔表示,包含八块AI芯片的Gaudi 3加速器套件售价大约为12.5万美元,相较于上一代Gaudi 2的6.5万美元标价有所上升,但英特尔强调,与竞争对手的产品相比,其价格仍然具有显著优势。根据供应商Thinkmate的估算,配备八个Nvidia H100 AI芯片的同类服务器系统成本可能超过30万美元。
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发布时间:2024-06-06 10:10 阅读量:1249 继续阅读>>
<span style='color:red'>英特尔</span>组建日本芯片制造自动化团队
<span style='color:red'>英特尔</span>2nm芯片量产计划推迟至2025年下半年
  据业界近日指出,位于美国亚利桑那州的英特尔Fab52晶圆厂原计划于2024年年底开始商业化生产2nm制程芯片,但现在看来,该工厂可能无法按时实现这一目标。预计该工厂将推迟量产2nm制程芯片,最早可能要到2025年下半年才能实现。  4月15日,英特尔发布全球十大建设项目回顾,包括美国、爱尔兰、以色列和德国的新晶圆厂,以及马来西亚和波兰的封装和测试设施。此前,美国商务部正式确认英特尔将获得85亿美元的补贴。  英特尔官方表示,Fab52工厂和Fab62工厂的混凝土上层结构已经完工。2023年12月,施工团队完成了Fab52工厂的一个重要里程碑,即混凝土层浇筑,作为工厂地基。到目前为止,施工人员共浇筑了43万立方米混凝土,相当于填满了132个奥林匹克规格的游泳池。  此外,施工团队也已开始在Fab52工厂安装自动化物料处理系统(AMHS),以提升物资运输效率。  据悉,台积电位于亚利桑那州的晶圆厂于2021年6月开工,2022年12月完成首批设备安装。然而,最新的进展表明,该工厂的外部建设尚未完成,因此2024年投产的预期恐无法达成。台积电已将在美工厂量产4nm芯片的计划推迟至2025年上半年,这给英特尔带来了追赶的契机。  英特尔在4月财报电话会议上表示,该公司“5年4个节点”的路线图仍在按计划进行,Intel 3工艺已经达到“生产就绪”阶段,下一个节点Intel 20A仍计划于2024年如期推出。
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发布时间:2024-04-23 11:30 阅读量:1421 继续阅读>>

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