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嵌入式<span style='color:red'>闪存</span>的存储特点是什么?

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嵌入式闪存的存储特点是什么?

　　在现代电子设备中，嵌入式闪存已经成为不可或缺的存储介质。尤其是在智能手机、物联网设备、汽车电子和工业控制等嵌入式系统中，嵌入式闪存发挥着重要作用。　　什么是嵌入式闪存?　　嵌入式闪存(Embedded Flash Memory)是指直接集成在芯片内部或模块中的闪存存储器。与传统外部存储设备不同，嵌入式闪存作为片上存储解决方案，与处理器或控制芯片紧密结合，提供高速、低功耗的存储功能，适合嵌入式系统的需求。　　嵌入式闪存的存储特点　　1. 非易失性存储　　嵌入式闪存属于非易失性存储器，这意味着断电后数据可以长时间保存，不会丢失。对于嵌入式设备中的固件、配置信息和关键数据存储非常重要，能够保证设备在断电后依然能够正常启动和运行。　　2. 高密度和小尺寸　　嵌入式闪存通常采用制程技术，能够在有限的芯片面积内集成较大的存储容量。这种高密度使得嵌入式设备能够在不增加体积的情况下，拥有足够的数据存储空间。　　3. 低功耗特性　　嵌入式闪存设计注重功耗优化，读写过程中的能耗较小，非常适合电池供电和功耗敏感的嵌入式系统，延长设备的续航时间。　　4. 高速访问性能　　由于嵌入式闪存与处理器或控制器集成在同一芯片或紧密连接，数据传输速度较快，能够满足嵌入式系统对实时性和高速响应的需求。　　5. 具有擦写次数限制　　闪存存储技术具有有限的擦写寿命，通常擦写次数在几万到百万次之间。嵌入式闪存通过优化设计和使用磨损均衡算法，提升使用寿命，适应长期可靠运行。　　6. 可编程性和灵活性　　嵌入式闪存允许现场编程和重写，方便软件升级、功能扩展和配置调整，满足嵌入式设备的迭代升级需求。　　7. 良好的耐环境性能　　嵌入式闪存芯片通常拥有较强的抗振动、抗冲击和抗温度变化能力，适用于汽车、工业等复杂环境。　　嵌入式闪存在应用中的优势　　系统集成度高：集成在芯片内部，简化了硬件设计，节省电路板空间。　　增强系统可靠性：减少外部接口，有效降低干扰和数据传输错误风险。　　支持快速启动：非易失性特性支持嵌入式系统快速加载代码，实现快速启动。　　便于维护升级：可在线更新固件，增强产品的生命周期管理能力。　　嵌入式闪存以其非易失性、高密度、低功耗和高速访问等特点，成为嵌入式系统首选的存储方案。随着技术的不断进步，嵌入式闪存将在更多领域展示更广阔的应用前景。

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嵌入式闪存

发布时间：2026-03-19 15:05 阅读量：279 继续阅读>>

一文了解<span style='color:red'>闪存</span>芯片和ROM关系

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一文了解闪存芯片和ROM关系

　　在现代电子设备中，存储器是不可或缺的组成部分。闪存芯片和只读存储器(ROM)都是常见的非易失性存储器类型，它们在存储数据方面发挥着重要作用。　　什么是ROM?　　ROM，即只读存储器，是一种数据存储器，其内容在制造时写入，普通用户无法更改。只读存储器的优势在于数据不易丢失，常用于存储固件、启动程序及其他不可篡改的系统信息。　　ROM的主要类型包括：　　掩膜ROM(Mask ROM)：在制造过程中写入内容，永久不可更改。　　PROM(可编程只读存储器)：一次性可编程，写入后不可更改。　　EPROM(可擦除可编程只读存储器)：可用紫外线擦除并重新编程。　　EEPROM(电可擦可编程只读存储器)：通过电信号擦写，支持多次擦写。　　什么是闪存芯片?　　闪存是一种非易失性存储器，属于EEPROM的扩展和改进。相比传统EEPROM，闪存可以以块为单位进行擦写操作，速度更快，容量更大，成本更低，因而被广泛应用于USB闪存盘、固态硬盘(SSD)、手机等设备中。　　闪存的特点包括：　　非易失性：断电后数据仍能保留。　　电擦写：可以通过电信号擦写存储内容。　　块擦除：不同于单字节擦写，以块为单位擦除。　　高容量与低成本：适合大容量存储需求。　　闪存芯片与ROM的关系　　从技术和分类层面看，闪存芯片其实是一种可擦写的ROM。　　ROM泛指任何内容不可随意更改或更改受限的存储器，而闪存属于EEPROM的一种，具有电擦写功能。　　传统掩膜ROM是一次写入终身不可更改，而闪存则支持多次擦写，灵活性更强。　　闪存可以视为现代可编程只读存储器，结合了ROM的非易失性与RAM的可编程性。　　总结来说，闪存芯片是一种非易失性存储器，属于EEPROM家族中的重要成员，可以看作是现代的“可擦写ROM”。它继承了ROM不易丢失数据的优点，同时又突破了传统ROM不可修改的限制，支持多次电擦写和较大容量的存储需求。

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芯片

发布时间：2026-03-04 17:47 阅读量：328 继续阅读>>

SK海力士开始量产321层QLC NAND<span style='color:red'>闪存</span>

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SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存

　　SK海力士近日宣布，已开发出321层2Tb(太比特，Terabit) QLC* NAND闪存产品，并开始量产。　　SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”　　公司为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。　　一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此，公司通过将NAND闪存内部可独立运行的平面*(Plane)架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。　　因此，该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能也提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。　　公司计划首先在电脑端固态硬盘(PC SSD)上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和面向智能手机的嵌入式存储(UFS)产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装*技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。　　SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示：“此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为‘全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)’，实现更大的飞跃。”　　* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit)，分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Multi Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。　　* 平面(Plane)：是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和外围电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能(Data Bandwidth)之一的同时读取性能。　　* 32DP(32 Die Package)：是指为了提升芯片(Chip)容量，将32个Die(裸芯)封装在同一封装中的方式。

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SK海力士

发布时间：2025-08-27 13:26 阅读量：704 继续阅读>>

海康存储斩获金奖 D300系列闪耀全球<span style='color:red'>闪存</span>峰会

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海康存储斩获金奖 D300系列闪耀全球闪存峰会

　　近日，2025全球闪存峰会(FMW)在南京举办，百余位行业专家和企业代表齐聚一堂。本次峰会以“存力觉醒AI未来”为主题，聚集AI时代存储技术的创新突破，以及新一代闪存技术如何支撑日益增长的智能应用需求。　　随着人工智能成为全球经济增长的关键引擎，AI服务器作为支撑大模型训练与推理的核心基础设施，已站上全球科技竞争的战略高地。在这一背景下，存储技术的创新变革尤为关键。海康存储在存储领域深耕多年，产品已广泛应用于消费级、企业级和工业级等多个领域。　　D300系列固态硬盘针对数据中心场景的I/O与延迟一致性进行优化，在SATA接口上实现了538/509MB/s的顺序读写速度，读写时延低至92/19us，集成端到端数据保护、异常掉电保护及双固件设计，保障数据安全。　　D300系列已通过国内主流整机厂商的认证测试，与多个国产CPU平台、操作系统取得兼容互认证，具备良好的生态兼容性，并在运营商、金融、政企等核心领域实现规模部署。　　凭借优异的产品性能和市场表现，D300系列夺得大会颁发的“2025年度固态硬盘产品金奖”。　　在活动现场，海康存储还带来了DDR5 RDIMM 内存R1，依据JEDEC标准设计，最大支持64GB容量，创新性地添加8位奇偶校验信号，实现错误纠正，具备更好的数据完整性和容错能力，满足大规模虚拟化、高性能计算等应用的内存需求。　　2025年全球数据中心市场规模预计为2356.5亿美元，预计到2034年将达到约4817.3亿美元，复合年增长率11.4%，实现强势增长。　　海康存储将积极布局高性能存储器的研发创新，打造企业级存储行业标杆，为AI应用提供坚实的数据基石。

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海康存储

发布时间：2025-08-08 14:27 阅读量：926 继续阅读>>

SSD/DDR5价格全线上涨！<span style='color:red'>闪存</span>市场即将回暖

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SSD/DDR5价格全线上涨！闪存市场即将回暖

　　随着特朗普政府对存储产品关税立场软化，叠加原厂控货与库存周期进入补库阶段，存储现货市场观望情绪显著减弱。渠道SSD和DDR5价格近期呈现调涨趋势，反映出供需格局的结构性调整与技术升级的双重驱动。　　关税政策的不确定性缓解是本轮市场回暖的核心动因。4月以来，美国对华存储产品加征125%关税的预期减弱，渠道客户因担忧关税导致的采购停滞逐步恢复。　　CFM闪存市场数据显示，DRAM和NAND Flash现货交易活跃度较3月提升约25%，其中受关税冲击较大的MLC NAND因停产供应短缺，价格周环比上涨7.61%。　　原厂控货策略的持续执行进一步加剧资源紧张。三星、美光、SK海力士自2024年第四季度起持续削减产能，2025年第一季度NAND Flash产能同比减少约25%。　　这种主动控产直接导致现货市场资源短缺，例如搭载QLC NAND的企业级SSD因产能被优先分配，现货价格较年初上涨约15%。　　库存周期进入补库阶段则推动需求回升。经过2024年的库存去化，全球存储芯片库存水位已从峰值下降约30%，部分大众市场客户(非Tier1客户)开始释放三季度备货需求。　　集邦咨询预测，二季度DRAM合约价涨幅将达13-18%，NAND涨幅15-20%，远超一季度预期。　　消费级SSD价格呈现“阶梯式上涨”。受NAND Flash现货价格上涨带动，256GB SATA3 SSD价格在4月21日至27日当周环比上涨7.61%，但PC厂商因库存较高对价格接受度偏低，原厂与品牌之间的博弈加剧。　　企业级SSD则因AI服务器和云计算需求持续走高，搭载QLC NAND的eSSD价格较年初上涨15%，且产能被优先分配至数据中心客户。　　DDR5价格呈现“颗粒与模组分化”。颗粒层面，DDR5 16Gb Major价格在4月29日当周微幅上涨至4.30美元，而集邦咨询预测二季度DDR5合约价涨幅将达13-18%。　　模组层面，受上游PCB等电子辅料供应紧缺影响，DDR5内存条现货价格涨幅有限，但期单价格已出现5-8%的上调。此外，三星、SK海力士加速DDR4减产，产能转向DDR5，进一步加剧了DDR5的供应紧张。　　NAND与DRAM的价格分化加剧。NAND Flash虽因原厂控产出现结构性紧缺，但整体供应仍相对过剩，消费级NAND价格上涨乏力，部分产品甚至出现价格分化。DRAM则因DDR5等高端产品需求旺盛，价格回升明显，而DDR4因低端资源冲击市场，渠道成品难以涨价。　　这种分化反映了存储行业向高端化转型的趋势，例如三星计划2025年HBM产能占比提升至60%，SK海力士HBM3E单颗售价突破1000美元。　　供需格局的长期演变将由AI与高端存储主导。2025年DRAM位元需求预计增长15%，NAND增长12%，而AI相关需求可能贡献其中50%以上的增量。　　原厂资本开支聚焦HBM和DDR5，例如美光计划放缓NAND节点升级进度，三星则将HBM产能翻倍。需求端，AI服务器、智能汽车和消费电子复苏是核心驱动力，Meta、谷歌等云厂商 2025年资本开支预计同比增长36.8%。　　国产替代加速重塑市场格局。国内存储模组厂商凭借低价库存和敏捷供应链，在SSD和DDR5市场加速替代海外品牌。　　长鑫存储的DDR5产品已进入PC厂商供应链，价格较海外竞品低约10%，预计2025年末全球市场份额将达16.1%。长江存储则通过270层3D NAND技术突破，切入企业级存储市场，与中国AI芯片厂合作强化数据中心布局。　　当前存储现货市场回暖是政策、供需、库存等多重因素共振的结果。短期来看，价格上涨趋势有望延续，但需警惕终端需求疲软和库存二次累积的风险。长期而言，AI和高端存储将主导行业增长，而国产替代和技术升级将重塑市场格局。

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发布时间：2025-05-06 16:23 阅读量：2660 继续阅读>>

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瑞萨推出其首款集成闪存的双核低功耗蓝牙SoC并实现最低功耗

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出DA14592低功耗蓝牙®(LE)片上系统(SoC)，成为瑞萨功耗最低、体积最小的多核(Cortex-M33、Cortex-M0+)低功耗蓝牙产品。得益于在片上存储器(RAM/ROM/闪存)和SoC芯片尺寸(决定成本)间的谨慎权衡，DA14592非常适合包括联网、资产跟踪、人机接口设备、计量、PoS读卡器，和“众包位置(CSL)”跟踪等在内的广泛应用。　　DA14592延续瑞萨低功耗蓝牙SoC在最低无线电功耗方面的引领地位，并采用全新低功耗模式，从而实现在0dBm时提供业界先进的2.3mA无线电发射电流和1.2mA的无线电接收电流。此外，它还支持仅为90nA的超低休眠电流，延长依赖电池供电的终端产品的工作和使用寿命，并针对需要处理大量应用的产品支持34µA/MHz的超低工作电流。　　从解决方案成本的角度看，DA14592通常只需6个外部组件，带来同类理想的工程物料清单(eBOM)。该产品仅采用系统时钟和高精度片上RCX，消除了大多数应用中对睡眠模式晶体的需求。更低的eBOM，加上DA14592的小型封装(WLCSP：3.32mm×2.48mm，和FCQFN：5.1mm×4.3mm)，也为设计人员构建了极具吸引力的小尺寸解决方案。DA14592还包括一个高精度、sigma-delta ADC和多达32个GPIO。与同类其它SoC不同的是，它还提供一个支持外部存储器(闪存或RAM)扩展的QSPI，以满足需要额外存储器的应用。　　瑞萨已将实施低功耗蓝牙解决方案所需的所有外部组件集成至DA14592MOD模块中，为客户实现最快的上市时间和更低的整体项目成本。该模块的设计重点在于确保最大的设计灵活性：将DA14592的功能全面路由到模块外部，并使用齿形引脚以便在开发过程中轻松/低成本地安装模块。　　“众包”定位是瑞萨基于DA14592和DA14592MOD展示的一个关键应用。预计到2031年，仅北美市场的苹果AirTag销售额就将达到290亿美元以上(注)。谷歌近期也宣布计划建立名为“Find My Device”的众包定位网络。瑞萨致力于在谷歌“Find My Device”网络推出后即刻为这两个移动操作系统提供同类理想的参考设计，带来业界卓越的功耗、eBOM和解决方案占用空间。这些参考设计不仅将加速标签设计，还能让制造商轻松将DA14592附加至其容易丢失或被盗的产品中，借助数十亿部智能手机实现产品的全球定位，从而使其产品与众不同，并提升终端客户的价值。使用DA14592MOD还将消除对全球监管认证的需求，缩减了开发成本并进一步加快产品上市速度。　　Davin Lee, Sr. Vice President and General Manager of the Analog and Connectivity Product Group for Renesas表示：“凭借瑞萨标志性的低功耗特性和同类理想的eBOM，DA14592及DA14592MOD扩展了我们在低功耗蓝牙SoC领域的卓越地位。此外，我们积极听取客户反馈，不断扩大产品支持范围，为众包定位等应用带来参考设计，帮助客户更轻松地达成产品差异化，在保持最低成本的同时创造优质价值。”　　成功产品组合　　瑞萨将全新DA14592与其产品组合中的众多兼容器件相结合，提供了包括轻型电动汽车仪表板在内的广泛“成功产品组合”。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的器件，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。　　供货信息　　DA14592现已量产，DA14592MOD有望于2024年二季度通过全球监管认证。

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瑞萨电子

发布时间：2024-01-19 09:21 阅读量：2270 继续阅读>>

东芝NAND<span style='color:red'>闪存</span>工厂暂停生产将进行安全评估

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东芝NAND闪存工厂暂停生产将进行安全评估

　　日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在震度4至5级，均在工厂耐震设计范围内。　　东芝宣布，由于需要进行安全评估，公司位于石川县能美市的 NAND 闪存工厂将暂时停产。分析师预计，地震将对未来半导体供应和价格产生影响。　　东芝表示，它已确认在地震发生当天在石川县能美市工厂上班的所有员工都是安全的，但尚未联系上休假的员工。　　此外，Taiyo Yuden、Tower、Shin-Etsu、GlobalWafers 和 TPSCo 等企业也暂时停止了半导体产品的生产。鉴于地震造成的震动幅度大，专家建议对所有建筑物进行详细检查，排除潜在的安全隐患。　　东芝承诺将在周五日本时间下午 5 点发布更新，并表示将在“生产线状态评估完成后尽快”做出复工决定。　　此次地震主要影响的是日本西海岸相关城市，而日本半导体产业的主要聚焦地位于日本东海岸周边，以及九州地区，预计此次地震对于日本半导体产业影响相对较小。

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东芝

发布时间：2024-01-04 17:45 阅读量：2008 继续阅读>>

兆易创新车规<span style='color:red'>闪存</span>产品成功应用于悬架控制器，在奇瑞多款车型实现量产

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兆易创新车规闪存产品成功应用于悬架控制器，在奇瑞多款车型实现量产

　　业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布，搭载了兆易创新GD25F128F车规级SPI NOR Flash的明然科技国产化主动悬架控制器(CDC)出货量已超数万台，并在奇瑞瑞虎9和星途瑶光等车型上量产。在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中稳定运行，标志着兆易创新车规级SPI NOR Flash的可靠性得到进一步验证。　　悬架是车架(或车身)与车轿(或车轮)之间的传力连接装置，分为传统被动式、半主动式和主动式三类，而主动式悬架系统能根据车辆的运动状态和路面情况自适应调节减振器阻尼力，使其更好地适用于当前路段，悬架控制器(CDC)作为主动悬架系统的控制核心，可以通过对减振器和空气弹簧的控制，有效提升车辆的舒适性和操控性。　　随着汽车电动化和智能化的发展，以及消费者对座舱舒适性和车辆操控性的需求提升，主动式悬架的应用受到了车厂的广泛关注，而其作为汽车底盘的关键部件之一，对所搭载的车规级芯片有着极高可靠性和安全性要求。明然科技国产化主动悬架控制器(CDC)所采用的GD25F128F车规级SPI NOR Flash具有128Mb容量存储范围，提供单、双、四通道SPI接口和DTR SPI接口，数据读取频率高达166MHz，支持ECC纠错，有效提高产品的可靠性和高速I/O信号的准确性，为汽车电子应用提供快速存储读取和高品质保障。　　明然科技研发总监何洪先生表示：　　“GD25F128F车规级SPI NOR Flash具有高性能和高可靠性的特点，且产品从设计研发、生产制造到封装测试所有环节均采用国内供应链，这与明然科技国产化主动悬架控制器的产品理念不谋而合。我们很高兴能与兆易创新一起，共同打造一站式国产车规芯片开发和量产平台，为汽车产业的创新发展注入新动能。”　　除已成功在奇瑞车型上量产的车规级GD25F128F外，兆易创新GD25/55全系列SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash 均已通过AEC-Q100认证，并提供丰富的选择组合，包括2Mb~8Gb全容量覆盖、高达400MB/s的数据吞吐率、提升可靠性的ECC算法和CRC校验、延长产品寿命的10万次擦写和20年数据保持能力等，这些完善的产品组合能够全面满足汽车电子应用所需，为车载应用的国产化提供了更丰富的选择，为车载娱乐影音、智能网联、智能驾驶、电池管理、充电管理、域控制、车载网关、DVR、智能驾舱、Tbox等应用提供大容量、高性价比的解决方案。　　截至目前，兆易创新车规级存储产品累计出货量已达1亿颗。并且，兆易创新高度重视汽车芯片管理体系的构建和完善，通过ISO 26262:2018汽车功能安全最高等级ASIL D流程认证，具备为顶级的汽车厂商所需的功能安全目标与要求提供匹配的产品和服务能力。

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兆易创新

发布时间：2023-11-01 11:43 阅读量：2185 继续阅读>>

AMEYA360代理：佰维存储面向旗舰智能手机推出UFS3.1高速<span style='color:red'>闪存</span>

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AMEYA360代理：佰维存储面向旗舰智能手机推出UFS3.1高速闪存

　　手机“性能铁三角”——SoC、运行内存、闪存决定了一款手机的用户体验和定位，其中存储器性能和容量对用户体验的影响越来越大。　　针对旗舰智能手机，佰维推出了UFS3.1高速闪存，写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度高达2100MB/s，容量高达256GB(未来将推出512GB、1TB容量)，尺寸为11.5×13.0×1.0mm。值得一提的是，佰维UFS2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证，是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时，佰维可提供UFS3.1+LPDDR4X/5的存储搭配方案，其中佰维LPDDR5产品的运行速度高达6400Mbps，容量最高可达64Gb。　　固件算法是构造存储器高性能、低功耗等特性的核心所在，佰维依托自研固件算法能力，同时根据JEDEC 发布的UFS 3.1 规范，为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗。佰维UFS3.1优异的表现，助力提升移动智能终端高清视频解码、程序安装启动、连续快拍、相册图片载入、大文件拷贝、游戏加载等使用体验。　　在嵌入式存储领域，佰维是国内市场份额前列的自主品牌企业，目前公司产品已进入主流智能终端厂商的供应链体系。未来，佰维将持续深化研发封测一体化布局，发挥公司在嵌入式存储领域的先发优势，赋能移动智能终端市场和客户。

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佰维存储

发布时间：2023-07-27 16:43 阅读量：3432 继续阅读>>

英飞凌推出首款车用LPDDR<span style='color:red'>闪存</span>芯片预计将于2024年上市

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英飞凌推出首款车用LPDDR闪存芯片预计将于2024年上市

　　德国汽车半导体企业英飞凌科技近日宣布，推出业内首款 LPDDR 闪存芯片——Infineon SEMPER X1，以满足下一代汽车 E/E 架构的新需求。据了解，该存储芯片性能大幅提高，相比 NOR 闪存可达 8 倍，通过 LPDDR 接口可提供 3.2GB/秒的吞吐量，同时随机读取速度提高了 20 倍，可实现实时应用的高效存储和处理。目前，该产品正在进行采样，预计将于 2024 年上市。　　当前汽车市场火爆，汽车存储行业也得到了结构性增长，为了提高系统的智能性、连接性和复杂性，对于片外存储的需求越来越高。另外，越来越多的应用场景要基于高性能的处理单元，驱动类MCU、GPU、MPU、SoC等对程序和参数的存储需求，FPGA对结构化数据的存储需求都在提高。因此，传统的xSPI NOR闪存已无法满足用户的需求。　　据介绍，为了满足汽车区域架构的新需求，英飞凌借鉴了已有10年历史的LPDRR4 DRAM的LPDDR接口方案，并将其应用于闪存当中。　　半导体市场研究公司Objective Analysis总经理Jim Handy表示：“随着半自动驾驶汽车的发展，汽车中的区域控制器越来越多，这些区域控制器对于实时计算有更高的需求，可以提高车辆的可靠性和安全性。英飞凌的LPDDR闪存可以很好地满足下一代汽车的这些需求，实现了比xSPI NOR闪存更高的性能。”

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英飞凌

发布时间：2023-05-05 10:51 阅读量：3141 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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