瑞萨推出其首款集成<span style='color:red'>闪存</span>的双核低功耗蓝牙SoC并实现最低功耗
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瑞萨推出其首款集成闪存的双核低功耗蓝牙SoC并实现最低功耗

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出DA14592低功耗蓝牙®(LE)片上系统(SoC)，成为瑞萨功耗最低、体积最小的多核(Cortex-M33、Cortex-M0+)低功耗蓝牙产品。得益于在片上存储器(RAM/ROM/闪存)和SoC芯片尺寸(决定成本)间的谨慎权衡，DA14592非常适合包括联网、资产跟踪、人机接口设备、计量、PoS读卡器，和“众包位置(CSL)”跟踪等在内的广泛应用。　　DA14592延续瑞萨低功耗蓝牙SoC在最低无线电功耗方面的引领地位，并采用全新低功耗模式，从而实现在0dBm时提供业界先进的2.3mA无线电发射电流和1.2mA的无线电接收电流。此外，它还支持仅为90nA的超低休眠电流，延长依赖电池供电的终端产品的工作和使用寿命，并针对需要处理大量应用的产品支持34µA/MHz的超低工作电流。　　从解决方案成本的角度看，DA14592通常只需6个外部组件，带来同类理想的工程物料清单(eBOM)。该产品仅采用系统时钟和高精度片上RCX，消除了大多数应用中对睡眠模式晶体的需求。更低的eBOM，加上DA14592的小型封装(WLCSP：3.32mm×2.48mm，和FCQFN：5.1mm×4.3mm)，也为设计人员构建了极具吸引力的小尺寸解决方案。DA14592还包括一个高精度、sigma-delta ADC和多达32个GPIO。与同类其它SoC不同的是，它还提供一个支持外部存储器(闪存或RAM)扩展的QSPI，以满足需要额外存储器的应用。　　瑞萨已将实施低功耗蓝牙解决方案所需的所有外部组件集成至DA14592MOD模块中，为客户实现最快的上市时间和更低的整体项目成本。该模块的设计重点在于确保最大的设计灵活性：将DA14592的功能全面路由到模块外部，并使用齿形引脚以便在开发过程中轻松/低成本地安装模块。　　“众包”定位是瑞萨基于DA14592和DA14592MOD展示的一个关键应用。预计到2031年，仅北美市场的苹果AirTag销售额就将达到290亿美元以上(注)。谷歌近期也宣布计划建立名为“Find My Device”的众包定位网络。瑞萨致力于在谷歌“Find My Device”网络推出后即刻为这两个移动操作系统提供同类理想的参考设计，带来业界卓越的功耗、eBOM和解决方案占用空间。这些参考设计不仅将加速标签设计，还能让制造商轻松将DA14592附加至其容易丢失或被盗的产品中，借助数十亿部智能手机实现产品的全球定位，从而使其产品与众不同，并提升终端客户的价值。使用DA14592MOD还将消除对全球监管认证的需求，缩减了开发成本并进一步加快产品上市速度。　　Davin Lee, Sr. Vice President and General Manager of the Analog and Connectivity Product Group for Renesas表示：“凭借瑞萨标志性的低功耗特性和同类理想的eBOM，DA14592及DA14592MOD扩展了我们在低功耗蓝牙SoC领域的卓越地位。此外，我们积极听取客户反馈，不断扩大产品支持范围，为众包定位等应用带来参考设计，帮助客户更轻松地达成产品差异化，在保持最低成本的同时创造优质价值。”　　成功产品组合　　瑞萨将全新DA14592与其产品组合中的众多兼容器件相结合，提供了包括轻型电动汽车仪表板在内的广泛“成功产品组合”。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的器件，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。　　供货信息　　DA14592现已量产，DA14592MOD有望于2024年二季度通过全球监管认证。
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发布时间：2024-01-19 09:21 阅读量：1562 继续阅读>>
东芝NAND<span style='color:red'>闪存</span>工厂暂停生产 将进行安全评估
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东芝NAND闪存工厂暂停生产 将进行安全评估

　　日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在震度4至5级，均在工厂耐震设计范围内。　　东芝宣布，由于需要进行安全评估，公司位于石川县能美市的 NAND 闪存工厂将暂时停产。分析师预计，地震将对未来半导体供应和价格产生影响。　　东芝表示，它已确认在地震发生当天在石川县能美市工厂上班的所有员工都是安全的，但尚未联系上休假的员工。　　此外，Taiyo Yuden、Tower、Shin-Etsu、GlobalWafers 和 TPSCo 等企业也暂时停止了半导体产品的生产。鉴于地震造成的震动幅度大，专家建议对所有建筑物进行详细检查，排除潜在的安全隐患。　　东芝承诺将在周五日本时间下午 5 点发布更新，并表示将在“生产线状态评估完成后尽快”做出复工决定。　　此次地震主要影响的是日本西海岸相关城市，而日本半导体产业的主要聚焦地位于日本东海岸周边，以及九州地区，预计此次地震对于日本半导体产业影响相对较小。
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发布时间：2024-01-04 17:45 阅读量：1367 继续阅读>>
兆易创新车规<span style='color:red'>闪存</span>产品成功应用于悬架控制器，在奇瑞多款车型实现量产
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兆易创新车规闪存产品成功应用于悬架控制器，在奇瑞多款车型实现量产

　　业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布，搭载了兆易创新GD25F128F车规级SPI NOR Flash的明然科技国产化主动悬架控制器(CDC)出货量已超数万台，并在奇瑞瑞虎9和星途瑶光等车型上量产。在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中稳定运行，标志着兆易创新车规级SPI NOR Flash的可靠性得到进一步验证。　　悬架是车架(或车身)与车轿(或车轮)之间的传力连接装置，分为传统被动式、半主动式和主动式三类，而主动式悬架系统能根据车辆的运动状态和路面情况自适应调节减振器阻尼力，使其更好地适用于当前路段，悬架控制器(CDC)作为主动悬架系统的控制核心，可以通过对减振器和空气弹簧的控制，有效提升车辆的舒适性和操控性。　　随着汽车电动化和智能化的发展，以及消费者对座舱舒适性和车辆操控性的需求提升，主动式悬架的应用受到了车厂的广泛关注，而其作为汽车底盘的关键部件之一，对所搭载的车规级芯片有着极高可靠性和安全性要求。明然科技国产化主动悬架控制器(CDC)所采用的GD25F128F车规级SPI NOR Flash具有128Mb容量存储范围，提供单、双、四通道SPI接口和DTR SPI接口，数据读取频率高达166MHz，支持ECC纠错，有效提高产品的可靠性和高速I/O信号的准确性，为汽车电子应用提供快速存储读取和高品质保障。　　明然科技研发总监何洪先生表示：　　“GD25F128F车规级SPI NOR Flash具有高性能和高可靠性的特点，且产品从设计研发、生产制造到封装测试所有环节均采用国内供应链，这与明然科技国产化主动悬架控制器的产品理念不谋而合。我们很高兴能与兆易创新一起，共同打造一站式国产车规芯片开发和量产平台，为汽车产业的创新发展注入新动能。”　　除已成功在奇瑞车型上量产的车规级GD25F128F外，兆易创新GD25/55全系列SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash 均已通过AEC-Q100认证，并提供丰富的选择组合，包括2Mb~8Gb全容量覆盖、高达400MB/s的数据吞吐率、提升可靠性的ECC算法和CRC校验、延长产品寿命的10万次擦写和20年数据保持能力等，这些完善的产品组合能够全面满足汽车电子应用所需，为车载应用的国产化提供了更丰富的选择，为车载娱乐影音、智能网联、智能驾驶、电池管理、充电管理、域控制、车载网关、DVR、智能驾舱、Tbox等应用提供大容量、高性价比的解决方案。　　截至目前，兆易创新车规级存储产品累计出货量已达1亿颗。并且，兆易创新高度重视汽车芯片管理体系的构建和完善，通过ISO 26262:2018汽车功能安全最高等级ASIL D流程认证，具备为顶级的汽车厂商所需的功能安全目标与要求提供匹配的产品和服务能力。
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发布时间：2023-11-01 11:43 阅读量：1598 继续阅读>>
AMEYA360代理：佰维存储面向旗舰智能手机推出UFS3.1高速<span style='color:red'>闪存</span>
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AMEYA360代理：佰维存储面向旗舰智能手机推出UFS3.1高速闪存

　　手机“性能铁三角”——SoC、运行内存、闪存决定了一款手机的用户体验和定位，其中存储器性能和容量对用户体验的影响越来越大。　　针对旗舰智能手机，佰维推出了UFS3.1高速闪存，写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度高达2100MB/s，容量高达256GB(未来将推出512GB、1TB容量)，尺寸为11.5×13.0×1.0mm。值得一提的是，佰维UFS2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证，是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时，佰维可提供UFS3.1+LPDDR4X/5的存储搭配方案，其中佰维LPDDR5产品的运行速度高达6400Mbps，容量最高可达64Gb。　　固件算法是构造存储器高性能、低功耗等特性的核心所在，佰维依托自研固件算法能力，同时根据JEDEC 发布的UFS 3.1 规范，为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗。佰维UFS3.1优异的表现，助力提升移动智能终端高清视频解码、程序安装启动、连续快拍、相册图片载入、大文件拷贝、游戏加载等使用体验。　　在嵌入式存储领域，佰维是国内市场份额前列的自主品牌企业，目前公司产品已进入主流智能终端厂商的供应链体系。未来，佰维将持续深化研发封测一体化布局，发挥公司在嵌入式存储领域的先发优势，赋能移动智能终端市场和客户。
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发布时间：2023-07-27 16:43 阅读量：2761 继续阅读>>
英飞凌推出首款车用LPDDR<span style='color:red'>闪存</span>芯片 预计将于2024年上市
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英飞凌推出首款车用LPDDR闪存芯片 预计将于2024年上市

　　德国汽车半导体企业英飞凌科技近日宣布，推出业内首款 LPDDR 闪存芯片——Infineon SEMPER X1，以满足下一代汽车 E/E 架构的新需求。据了解，该存储芯片性能大幅提高，相比 NOR 闪存可达 8 倍，通过 LPDDR 接口可提供 3.2GB/秒的吞吐量，同时随机读取速度提高了 20 倍，可实现实时应用的高效存储和处理。目前，该产品正在进行采样，预计将于 2024 年上市。　　当前汽车市场火爆，汽车存储行业也得到了结构性增长，为了提高系统的智能性、连接性和复杂性，对于片外存储的需求越来越高。另外，越来越多的应用场景要基于高性能的处理单元，驱动类MCU、GPU、MPU、SoC等对程序和参数的存储需求，FPGA对结构化数据的存储需求都在提高。因此，传统的xSPI NOR闪存已无法满足用户的需求。　　据介绍，为了满足汽车区域架构的新需求，英飞凌借鉴了已有10年历史的LPDRR4 DRAM的LPDDR接口方案，并将其应用于闪存当中。　　半导体市场研究公司Objective Analysis总经理Jim Handy表示：“随着半自动驾驶汽车的发展，汽车中的区域控制器越来越多，这些区域控制器对于实时计算有更高的需求，可以提高车辆的可靠性和安全性。英飞凌的LPDDR闪存可以很好地满足下一代汽车的这些需求，实现了比xSPI NOR闪存更高的性能。”
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发布时间：2023-05-05 10:51 阅读量：2512 继续阅读>>
佰维荣膺印度“最值得信赖的<span style='color:red'>闪存</span>制造商品牌”殊荣
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佰维荣膺印度“最值得信赖的闪存制造商品牌”殊荣

　　近期，印度第 14 届DT Awards（数字终端）2022 虚拟颁奖典礼隆重举办，通过对过去一年品牌竞争力等指标的综合评估，Ameya代理品牌--佰维存储荣膺“最值得信赖的闪存制造商品牌”殊荣。　　据悉，2022 年第 14 届 DT（数字终端）奖吸引了来自印度和海外的嘉宾，包括来自 ICT 行业垂直领域的企业高管、供应商、分销商和经销商。DT Awards 2022横跨所有数字平台，一直积极推动 ICT 产业，致力于印度科技品牌的集体成长，旨在表彰为印度市场客户带来最佳产品的科技品牌，目前已成为业界最受追捧的奖项。　　消费级存储领域，佰维（BIWIN）品牌主要面向PC 品牌商、PC OEM 厂商、装机商等 To B 市场，产品主要包括消费级固态硬盘及内存条。全球运营的惠普（HP）存储品牌，定位中高端市场，迅速于全球市场布局渠道建设；掠夺者（Predator）系列产品主要面向游戏电竞市场，授权产品包括内存模组、固态硬盘、移动固态硬盘等品类，在内存品类市场上取得良好成绩。　　佰维掌握存储器研发设计、固件算法开发、先进封装、测试设备研发与算法开发等核心技术，兼顾产品高性能、大容量、低延时、低功耗及安全可靠的要求。以固态硬盘产品为例，其传输速率最高可达 7,400MB/s，处于行业领先地位，并支持数据纠错、寿命监控、异常掉电保护、数据加密、端到端数据保护等功能。　　此次颁奖盛典为全球企业及其技术成果提供了优质的展示平台，该奖项的授予将进一步激励佰维持续精耕高质量品牌。创新驱动发展，佰维自成立以来坚持技术研发与产品创新，深耕渠道拓宽市场，依托研发封测一体化的竞争优势，提供“千端千面”的深度定制化存储器解决方案，着力提升用户满意度及品牌认可度，让广大用户享受科技带来的全新体验。
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发布时间：2023-01-30 11:30 阅读量：1930 继续阅读>>
海力士发布全球首款基于128层NAND<span style='color:red'>闪存</span>的消费级SSD
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海力士发布全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD

SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。据介绍，Gold P31支持基于4D NAND闪存技术的PCIe NVMe接口，读取速度最高可达3500 MB/s，写入速度高达3200 MB/s，该款产品是为所有个人电脑用户设计的，特别关注游戏玩家、设计师和内容创造者。另外，Gold P31的可靠性已通过1000小时高温运行寿命试验（HTOL）进行测试和验证，平均无故障时间（MTBF）达到150万小时。该报道称，固态硬盘市场向PCIe NVMe接口的快速过渡，以及Gold P31的诞生，突显了SK 海力士在向全球PC OEM提供可靠的PCIe NVMe产品方面的领先地位。最新的固态硬盘是市场上速度最快、最具创新性的消费类固态硬盘之一，采用了SK 海力士的最新技术。作为内存芯片的领先制造商，SK 海力士设计、开发并提供自己的DRAM和NAND Flash设备以及内部SSD控制器。在退出Gold P31 PCIe SSD之前，SK 海力士推出了Gold S31 SATA消费级SSD，提供了业界一流的速度和可靠性。继去年Gold S31 SSD在美国成功上市后，该公司相信Gold P31将凭借业界领先的性能指标，在不断增长的PCIe市场上占据重要地位。根据SK 海力士对社会和环境价值的严格承诺，Gold P31采用森林管理委员会认证的纸张、可生物降解塑料袋和大豆墨水进行包装。不过这一次，Gold P31只提供了500GB、1TB两种容量版本，似乎很对不起这种高密度堆叠闪存，或许未来会有更大容量的版本。其他方面，M.2 2280标准形态，单面设计，无散热片，SK海力士自研主控，支持PCIe 3.0 x4，随机读写最高3.5GB/s、3.1GB/s，持续读写最高570K IOPS、600KIOPS。不过在TLC模式下，持续读取还是能跑到3.5GB/s，但是持续写入只能做到950MB/s、1700MB/s，随机读取降至500K IOPS，随机写入降至220K IOPS、370K IOPS。读取延迟980us，写入延迟45us，负载功耗6.3W，空闲功耗小于0.05W，平均故障间隔时间150万小时。写入寿命未公布。
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发布时间：2020-08-21 00:00 阅读量：1841 继续阅读>>
日本工厂发生火灾 东芝紧急辟谣：跟<span style='color:red'>闪存</span>工厂无关
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日本工厂发生火灾 东芝紧急辟谣：跟闪存工厂无关

日前位于日本三重县的东芝工厂又突发火灾，还好这次火灾不大，一个小时之内就被扑灭了，也没有人员伤亡。但是这次火灾依然让全球闪存行业吓了一跳，东芝官方也随即辟谣，称起火工厂与闪存工厂无关，是基础设施相关的工厂起火。业界对这个消息非常敏感是因为今年6月份，东芝位于日本三重县的NAND闪存工厂已经遭遇过一次事故，上次是意外断电，虽然停电只有短短的13分钟，但是导致2座工厂停工5天，另外3座工厂停产一个多月，在这次财报会议上东芝确认所有工厂已经恢复运营。那次意外跟东芝及合作伙伴西数造成了严重损失，根据东芝的说法，这次停电事故导致了344亿日元的损失，约合23亿人民币或者3.2亿美元。在东芝之前，他们的闪存合作伙伴西数公司也表示停电停产事故导致了3.15到3.39亿美元左右的损失，影响的闪存容量高达6EB，相当于1200万个500GB的SSD硬盘容量。当然，大家最担心的影响倒不只是这两家公司损失多少，而是东芝、西数作为全球第二、第三大闪存供应商，一旦停产时间较长，全球闪存产能势必受到影响，导致闪存价格由跌转涨。好在上次的停电事故并没有预期中那样扭转闪存的价格走势，只在个别时间里被JS炒作了一番现货价格，闪存厂商期待中的全面涨价并没有成真。
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发布时间：2019-09-27 00:00 阅读量：1774 继续阅读>>
内存和<span style='color:red'>闪存</span>价格崩盘之下，利润腰斩的三星又迎来日本制裁新困局？
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内存和闪存价格崩盘之下，利润腰斩的三星又迎来日本制裁新困局？

三星并非一夜成功的幸运儿，在发现并打造世界一流的质量、设计、创新能力之前，在从追随者到王者的艰苦跋涉路途中，三星经历了长期的艰苦和磨难。 7月5日，三星电子发布第2季初步财报，营收为56万亿韩元，盈利为65000亿韩元，与去年同期相比下滑幅度高达56.29％，结合前一季计算的话，三星电子上半年营益达12万亿7300亿韩元，和去年同期（30万亿5100亿韩元）相比，更是下滑58.28％，减少超过一半。 此外，针对半导体部门，据韩国证券业分析，去年第2季半导体部门的盈利为116000亿韩元，本季盈利应只达3万亿韩元左右，缩减高达70％以上。  三星利润腰斩背后：成也存储，败也存储“登王位不难，守王位难”，于三星也是如此。三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率达到90%以上，其中，韩国企业三星、SK海力士在DRAM产业的市占率达到70%以上，三星在内存市场的表现相当强劲。 随着2017、2018年内存和闪存价格大涨，使得三星赚到盘满钵满，成功登顶全球半导体厂商营收榜单之首，一时风光无两。 然而，近年来国际贸易纠纷日益加深，企业对半导体整体需求下滑，加之内存产品供过于求，内存和闪存价格崩盘，存储产品价格持续下滑，三星的收益随之大幅下降。分析三星内存收入大跌的原因，大致如下：其一，PC、手机厂商是三星半导体的“衣食父母”，一荣俱荣一损俱损，PC、手机行业面临寒冬，三星自然也不好过。其中，华为作为三星的大客户，由于海外销量不乐观，三星供应给华为的记忆体芯片出货量下滑，芯片供应过剩进而又造成价格下滑，令三星业务雪上加霜；其二，由于中国内存颗粒产业的逐渐崛起，三星只能被迫降价，以保优势和垄断地位； 其三，由于即将要进入DDR5、UFS3.0的全新时代，消费者和厂商大多在观望，各方的购买欲望都不强。所以三星要控制产量，同时清理库存，利润自然受到影响。芯片业务为三星带来的利润超过三分之二，而现如今，智能手机市场饱和以及内存产品的需求下降均拉低了芯片价格。截至目前，DRAM价格快速下跌的态势并未改变，第2季度价格跌幅近三成，预计第3季度会继续下跌约两成，第4季会再下跌10％。由于目前产品库存仍高，因此降价求售是韩系厂商必须采取的策略，也因而影响韩系厂商营收表现。 但有业内人士表示，内存市场需求正在升温，需求停滞了几个月的北美服务器市场、消费电子及PC产品均可能出现大规模的备货需求，因此下半年内存市场可能会恢复增长。但同时也有些人预测，DRAM和NAND内存芯片的库存将继续过剩，这将把该行业的复苏推迟到2020年下半年。2019年2季度是三星近三年来最差的季度获利，在整体电子业市场不景气的情况下，供应过剩局面仍无改善，三星获利回升可能还要等上数季。  一波未平，一波又起日、韩原有二战遗留至今的慰安妇和征用工等历史旧恨，加上南韩持续限制日本福岛核灾食品进口等种种新仇，两国关系愈来愈差。 日本首相安倍晋三也可能从美国总统川普身上得到灵感，面对外交政治上的争议，干脆透过打击竞争对手的核心产品，进行经济惩罚或报复。 日本与南韩因二战劳工赔偿问题僵持不下，日本经济产业省在7月的第一天便宣布，4日起对出口到南韩半导体的原料加强管制。据报道，日方此次限制对韩出口的半导体材料主要是高纯度氟化氢、抗蚀剂、氟聚酰亚胺，是智能手机、芯片等产业的重要原材料，韩国企业对这三类日本进口材料的依赖度分别达43.9%、91.9%和93.7%。 纵观日本半导体产业发展史，日本的崛起受到了美国的照顾，但崛起后的日本随着自身实力的增强，先后与美国爆发过多次科技战。基于日本“玩火”的经历，美国开始扶持韩国的半导体产业，并在关税和政策照顾上让韩国吃下了日本不少高科技产业及产品。 2000年后，美国成为了世界互联网中心而再次辉煌，日本则只能做美国在互联网话语权之外的生意，而韩国依托着美国的崛起，实现了自我发展上的经济奇迹。 日本让给韩国高科技产业后，并未完全退出，而是在韩国的崛起光芒中选择了向上游进发，今天的韩国科技产业对日本依赖很大，甚至日本才是手机产业及科技硬件领域的隐形寡头。 日本和韩国这对矛盾重重的老冤家和新对手，最终走向了贸易战争的新台面。  日本限制出口韩国的材料将影响韩国的半导体及面板两大支柱产业。日本政府要求三个月的审查许可，但通常南韩厂商可能只有一到两个月的原料库存，最多只能支撑四个月，半导体生产线就要停工。 但是，日本半导体产业目前正处于发展衰退期，生产半导体材料及零部件的日本企业主要依靠对韩出口来维持运营，这时候限制对韩出口，很可能会导致日本企业出现产能和投资过剩。如果韩国进行反制，限制日本零部件的出口，日本相关产业会面临巨大压力。 但不利影响并不止于日韩双方。韩国专家表示，韩国企业不仅是日本半导体材料的消费者，同时也是全球存储芯片和显示器面板的核心提供者，如果因为材料进口受限导致生产受阻，将对全球供应链带来深远影响。 《日本经济新闻》也发表评论称，近年来，全球通商方面的制裁与反制裁措施不断增多，严重威胁世界经济前景。在这种打击与还击的连锁反应中，没有真正的胜者。 目前韩国日本之间的纠纷还没摆平，日本制裁对韩国的存储芯片产业影响会很大，导致三星电子等品牌的内存业务面临新的难题，对全球NAND闪存市场来说也将是一场灾难。更是对于还未走出内存价格持续下跌、手机市场不景气，以及利润大幅下降阴霾的三星，是一场新一轮的巨大冲击。 据国外媒体报道，三星集团实际决策者李在镕紧急出国前往日本，将与有生意往来的日本材料厂商主管见面，商讨对策，可能会请日本的交易厂商从日本以外的工厂出货到韩国。此举缘于半导体原材料库存仅能支撑几周的生产任务，事态比预想的要更加严重。 此外，据Koreatimes报道称，三星等韩国大厂正在努力为芯片制造的关键材料寻找新的供应来源；另一方面，韩国产业通商资源部决定对半导体材料、零部件、设备研发加大投入预算。 但是，无论是采用多元化资源的方式，还是加大投入完善供应链体系，都在短时间内无法解决目前所处的困境。在市场影响持续发酵下，无论是三星、SK海力士、LG，还是半导体、消费类电子等领域，接下来面临的挑战将更大，而三星的应对措施或策略变化都将牵动着存储产业链的神经。 了解日韩两国科技发展过程的人士不难看出，这场贸易制裁事件的起因，表面来看仅仅是韩国法院对日本企业强制赔偿“韩国劳工”的裁决，该裁决要求日本公司赔偿韩国在第二次世界大战期间对强迫劳动的补偿。而更深的原因，则是日韩崛起背后，深埋于科技产业链条的利益之争。 三星的王位能否保住？三星并非一夜成功的幸运儿，在发现并打造世界一流的质量、设计、创新能力之前，在从追随者到王者的艰苦跋涉路途中，三星经历了长期的艰苦和磨难。 面对如今内存和智能手机市场的疲软状态以及不稳定的国际贸易关系，季度利润腰斩之下，三星急需寻求新的业务增长点。 一方面，相较三星电子半导体事业，其他部门防守相对出色。特别是第1季首次出现亏损的显示器部门，第2季得益于中国智能手机企业OLED屏幕需求增加，本季营益扭亏为盈达5000亿韩元，是三星电子死守在6万亿韩元的功臣之一。　　与上半年相比，曲面OLED的需求量将在下半年大幅增加，第2季的开工率约达100％。因此，显示器部门在下半年有望提高三星电子盈利。 另一方面是三星的半导体业务，由于7nm EUV工艺成功量产，并且能够给出比台积电更低的报价，如今已经有高通、英伟达、IBM、英飞凌等大型芯片设计厂商的部分订单开始转向三星7nm EUV工艺的芯片生产。 承担多款下一代芯片制造任务的三星，也有机会让芯片代工业务成为新的收入支柱。但日本对韩国的出口限制，又将给三星日渐起色的代工业务带来新的隐患，让三星晶圆代工业务受挫。 面对利润大幅下滑的压力，以及能否守住今年半导体行业王座，对三星来说都充满了挑战。    日本与韩国的科技战争是新时代开幕的小旁白，但日本与韩国在科技产业链上的交锋，也是未来新时代下，即将开始的另一个故事的缩影。 而三星，正在缩影之下，困沌着目睹这个时代
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发布时间：2019-07-15 00:00 阅读量：1291 继续阅读>>
NAND<span style='color:red'>闪存</span>市场惨淡：英特尔的保守与三星、美光、SK海力士的激进
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NAND闪存市场惨淡：英特尔的保守与三星、美光、SK海力士的激进

NAND闪存在2017年价格冲顶之后，近几个季度以来销售价格持续下跌。 进入2019年第二季度，NAND闪存的价格继续呈下跌态势，根据集邦咨询半导体研究中心第一季度末发布的数据，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季度各类NAND闪存的合约价季度跌幅近20%，成为2018年年初以来跌幅最剧烈的一次。 NAND闪存持续供过于求，价格不断走低，消费者们很高兴，厂商们就不爽了。  最近几年，三星、美光、SK海力士、东芝等存储大厂都在兴建各自的新工厂，或者扩充现有工厂的产能，不断加大NAND闪存的输出量，但是英特尔和他们的选择截然不同，英特尔在近日的投资者大会上表示，在短期内不会再建设新的闪存工厂，反而会不断减产。 英特尔作为全球最大的处理器芯片公司，在NAND闪存市场份额是六大原厂中最低的，根据其上月底发布的Q1季度财报显示，由于NAND闪存跌价，英特尔非易失性存储芯片业务亏损了3亿美元。 在NAND闪存方面，英特尔之前没有自己的NAND工厂，2005年与美光共同成立了IMFT（英特尔-MicronFlashTechnologie）公司，IMFT负责NADN闪存研发及生产，闪存芯片由英特尔、美光独自销售。 2015年英特尔宣布将中国大连的Fab68封测工厂改为NAND闪存工厂，投资55亿美元升级，已于2018年9月底量产，初期主要生产64层堆栈的3D NAND闪存，现在已经开始量产96层堆栈的3D NAND闪存。 随着自建的大连NAND工厂量产，以及在NAND技术上，英特尔与美光在64层堆栈之后就发生了分歧，双方在浮栅极及CTP技术上理念不同，最终导致两家公司分道扬镳。 去年双方宣布达成协议，美光将支付13-15亿美元收购英特尔在IMFT公司的股份及资产，日前美光披露这笔交易将在今年10月底完成，预计GAAP获益1亿美元。不过分手之后双方也不是彻底断了来往，英特尔依然可以从IMFT获得存储芯片供应，特别是至关重要的3DXPoint芯片，目前英特尔还没有专门的3D XPoint工厂。 原本英特尔傲腾存储使用的芯片是由和美光合资公司生产，在两家公司分开以后，英特尔傲腾存储选定位于中国大连的Fab68工厂生产。Fab68工厂目前专门用于生产英特尔 3D NAND闪存，自从2010年开工以来不断增产，但是接下来，Fab68将负责为英特尔生产傲腾存储，不过具体投产时间没有披露。今年初，英特尔宣布正在研发第三代傲腾存储，量产时间、地点未定，不过交给Fab68的可能性也非常大。当然，Fab68仍会继续生产3D闪存，而且堆叠层数会越来越多，以降低成本，目前堆栈层数是64层、96层，预计很快就会突破100层。 与非按：面对存储行业供过于求，价格下跌的现状，一类厂商如美光、三星、SK海力士...，按照自己节奏，稳中向前；另一类如英特尔...，面对趋势，调整节奏，应对市场。 笔者认为，短期内NAND闪存需求的不如人意，并不影响市场的长期向好态势。随着社会进入数字经济时代，海量数据的产生、存储与价值挖掘成为必然，将对NAND容量提出更高要求。 市场瞬息万变，激进与保守也只是应对市场变化的不同态度，但态度或许决定着结果的走向。 
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发布时间：2019-05-16 00:00 阅读量：1661 继续阅读>>

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