<span style='color:red'>佰维</span>存储蝉联“2023年度南山区专精特新企业增加值十强”，展现高质量发展活力
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佰维存储蝉联“2023年度南山区专精特新企业增加值十强”，展现高质量发展活力

　　近日，被誉为一年一度南山企业界“奥斯卡奖”——2023年度南山区经济突出贡献企业TOP峰会圆满落幕，南山区政府领导与来自各行各业的领军企业齐聚一堂，共同见证过去一年引领行业进步，走在科技前沿的杰出企业接受表彰。深圳佰维存储科技股份有限公司(科创板股票代码:688525)凭借科技硬实力与高质量发展活力，荣膺"2023年度南山区专精特新企业增加值十强"，公司已连续两年获得该殊荣。　　2023年，南山区国家高新技术企业总量突破5000家，综合实力连续7年位居全国百强区榜首，拥有活跃的科技创新因子、扎实的高新技术产业基础以及丰富的创投资源。得益于南山区良好的营商环境和产业优化措施，佰维从诞生、扩张发展至科创板上市，已在南山扎根十余载，逐步成长为国内半导体存储器和封测制造领域的领先品牌。公司秉承“ 立足中国，面向全球”的经营战略，已在欧美、印度、巴西等多个海外国家与地区构建了立体化的销售与运营体系，持续为全球终端客户与消费者提供极具竞争力、高附加值的产品。　　南山区专精特新企业增加值十强荣誉是对企业在细分领域展现出的高度专业化、创新能力、优势市场份额、行业贡献以及未来发展潜力的综合认可。作为国家级专精特新小巨人企业，国家高新技术企业，佰维始终坚持创新驱动发展的战略，持续强化在IC设计、存储介质研究、固件算法、先进封测等方面的竞争力，形成了具有自主知识产权的核心技术。公司目前已获得307项境内外专利技术及27项软件著作权，其中包括95项发明专利、148项实用新型专利，2023年新增申请发明专利84项，新增授权发明专利56项，新增授权集成电路布图设计1项。此外，佰维积极联合产业链上下游厂商及高等院校的重点实验室，达成联合技术攻关、共建实验室等紧密合作，共促产业生态的繁荣发展，公司于2023年落地的晶圆级先进封测制造项目亦成为大湾区集成电路产业强链补链的重要一环。　　连续两年荣登“南山区专精特新企业增加值十强”榜单，彰显了佰维高质量发展的奋进姿态，存储既是数字经济的关键技术底座，也是发展新质生产力的新引擎。秉承“存储赋能万物智联”的企业使命，佰维扎根南山、立足深圳，围绕新质生产力的发展需求，加速在AI智能终端、 工业数字化、智能汽车、数据中心、云计算等前沿应用领域的存储技术布局，不断扩大公司在全球市场的品牌影响力，助力大湾区打造科技创新高地，构建双循环发展新格局。
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发布时间：2024-05-06 13:41 阅读量：613 继续阅读>>
看好存储市场广阔需求 <span style='color:red'>佰维</span>存储布局“研发封测一体化2.0”
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看好存储市场广阔需求 佰维存储布局“研发封测一体化2.0”

　　2023年，全球半导体市场处于下行周期，被称为半导体产业“风向标”的存储芯片价格多轮下探，年初至今，国内外存储厂商业绩普遍大幅下滑。于去年12月30日登陆科创板的佰维存储，在上市首年就经历了市场“寒冬”大考，其表现也备受各方关注。　　深圳市南山区被誉为科技创新“摇篮”，佰维存储总部就坐落在南山区红花岭工业区。《证券日报》记者日前走访调研看到，在佰维存储研发中心开放式办公空间，数百名研发人员正紧张有序地进行产品设计研发、编写代码、技术研讨等。据公司工作人员介绍：“尽管目前半导体产业处于低谷期，但佰维存储正在发展壮大，员工数量较去年年末增长，目前已有超1400名员工。”　　佰维存储构筑了研发封测一体化的产业链布局，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发等环节具有较强竞争力，并且开始着手布局“研发封测一体化2.0”。　　对于未来，佰维存储董事长孙成思充满信心，他向《证券日报》记者表示：“当下国内存储器厂商正迎来巨大的发展机遇，长远来看存储市场需求还有较大增长空间，佰维存储产品和布局与下一代信息技术发展的领域和方向吻合，将迈向更广阔的未来。”　　技术立业坚持创新驱动发展　　随着数字经济的快速发展，数据存储需求呈现指数级爆发。存储芯片是现代电子设备的核心组成部分，市场规模庞大，约占半导体市场的三分之一。　　佰维存储成立于2010年，专注于半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售。佰维存储总经理何瀚向《证券日报》记者介绍：“公司自成立以来，坚持技术立业，深入布局存储器研发和封测制造，积极参与产业链协同合作，不断进行研发迭代升级，一步步得到一线客户的广泛认可。”　　受益于半导体产业投资“风起”，公司不仅获得国家集成电路产业投资基金二期的战略投资，还获得了达晨创通、中国互联网投资基金、东方富海、中国科学院投资基金等风投的支持。　　存储芯片主要分为闪存存储器(NAND Flash)和动态随机存取存储器(DRAM)，二者市场规模占整个半导体存储芯片市场比例达到95%以上。佰维存储是目前国内半导体厂商中少数同时掌握NAND Flash、DRAM研发设计与封测制造的企业。　　走进佰维存储深圳研发中心，不乏90后、00后年轻面孔。今年上半年，公司研发人员大幅增长，达到473人，较去年年末增长26.13%。从研发人员的年龄结构来看，30岁以下占54.33%，30岁至40岁占41.23%，40岁以上占4.44%。　　佰维存储持续加大研发投入，构建由业内资深技术人员组成的技术专家团队，形成公司技术研发的核心支柱力量。公司还制定了一系列人才培养、管理和内部激励方案，推行“奋斗者”文化。不仅为员工开设“佰维大学堂”，针对新入职的应届毕业生，还开设了“芯动力集训项目”等。　　今年上半年，公司累计新增35项发明专利。截至2023年6月30日，公司共取得274项境内外专利和10项软件著作权，其中专利包括72项发明专利、139项实用新型专利、63项外观设计专利。　　着眼未来持续加大研发　　夜幕降临，佰维存储的研发产线依然灯火通明，研发工作人员在测试设备旁紧盯运行状态。封装测试是存储芯片生产的重要一环，稳定性对于存储芯片来说至关重要，佰维存储科研团队日以继夜，通过精细的方案设计、严谨的开发验证，不断分析问题、解决问题，一步步将结果优化，最终实现存储芯片产品固件质量稳定，公司一体化研发封测交付能力得到业界的一致认可。　　GMIF2023全球存储器创新论坛上，孙成思提出了更高的目标，他表示，基于公司在存储解决方案研发、先进封测方面的技术积累，佰维存储积极布局并落地“研发封测一体化2.0”，即在研发方向布局集成电路(IC)设计的同时，在封测领域深度布局测试装备开发和晶圆级先进封测，更好地赋能产业和终端客户的需求。　　IC设计的技术难点主要在于，需满足特征各异的存储介质的可靠性纠错算法设计，灵活的可应对不同场景性能诉求的高性能架构设计，以及对于移动应用至关重要的低功耗设计。此外，在追求技术先进性的同时，如何平衡成本效益、商业化应用等方面也充满挑战。　　在孙成思看来，发力IC设计是增强公司核心技术壁垒的关键一环，将进一步提升公司定制化开发能力与开发效率，提升产品所覆盖应用的广度与深度。　　在测试装备开发方面，佰维存储产线设备的自研率较高，以满足自有需求为主，兼顾服务行业客户。佰维存储正根据“研发封测一体化2.0”目标，不断进行中高端测试设备的研发，扩大服务能力。　　晶圆级先进封装是当前存储芯片产业的发展方向之一。孙成思表示，公司已筹备成建制的、具备国际化视野的专业团队，并有深厚的技术积累，旨在打造大湾区标杆性先进封测企业，补强大湾区半导体产业链。　　拐点渐近紧抓行业复苏机遇　　佰维存储生产线上，工作人员在操作仪器上娴熟地处理，每一道工序都关系着产品性能的稳定性和可靠性。公司产能利用率相对饱满，按照容量当量计算，今年公司出货量实现了大幅增长，同时在国内外一线客户的导入上实现较大突破，为行业复苏做准备。　　存储芯片市场价格的波动具有强周期属性，截至目前，存储市场已连跌8个季度，接近行业下行周期历史最长时间，不过目前来看，周期触底信号不断传出，行业拐点渐近。　　对于产业周期走势，何瀚向《证券日报》记者表示：“从供给端来看，由于上游企业减产，导致供需逐步平衡，存储芯片市场价格有所恢复。从需求端看，下游客户有补库存的动作，但终端需求还没有得到较大的改善，整个全球经济环境都需要一定的时间来复苏。”　　集邦咨询分析师王豫琪在接受《证券日报》记者采访时也表示：“本轮周期存储芯片价格自2021年第四季度开始翻转向下，因为供过于求，价格下滑剧烈。近期的止跌由原厂端的减产所带动，且由亏损较重的NAND Flash率先反弹。”　　每一轮产业周期价格剧烈波动的背后，是优胜劣汰和技术更迭。佰维存储紧随市场需求变化，在移动智能终端、个人计算机、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等应用领域持续创新，产品与服务覆盖嵌入式存储、消费级存储、工业级存储、先进封测服务四大板块。例如，嵌入式存储领域，佰维存储是国内市场份额前列的自主品牌，相继通过高通、联发科、展锐等系统级芯片(SoC)平台超1000个产品验证。　　何瀚表示：“云计算、人工智能、物联网、智能汽车和工业互联网等领域的快速发展，都为存储产业创造了广阔的机会，基于研发封测一体化经营模式带来的产品开发效率、定制化开发能力以及产品质量保证等方面的优势，未来佰维存储的市场份额有望不断提升。”
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发布时间：2023-10-30 10:43 阅读量：1602 继续阅读>>
<span style='color:red'>佰维</span>携嵌入式存储产品亮相CCBN 2023
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佰维携嵌入式存储产品亮相CCBN 2023

　　佰维在本届大会展示eMMC、UFS、LPDDR、DDR、ePOP/eMCP等嵌入式存储产品，以及智能电视、智能穿戴、手机/平板、物联网等存储解决方案。典型代表产品有：　　佰维eMMC：稳定流畅、超长寿命，助力智能电视畅享新视界针对高端智能电视应用需求，佰维推出MLC颗粒eMMC芯片解决方案。该产品顺序读写速度分别可达215MB/s、90MB/s，工作功耗仅为200mW。通过公司存储介质筛选和自研固件设计开发，佰维eMMC芯片具备高读写性能、可靠性、长使用寿命等特点，解决了智能电视开机卡顿、运行不畅的问题；凭借佰维自主开发的测试软件平台、核心测试算法及配套测试设备，佰维eMMC芯片拥有极高稳定性，避免出现频繁的异常掉电现象。　　佰维LPDDR5：高效能、多容量，加速手机/平板升级迭代LPDDR5支持多Bank Group模式，传输速率高达6400Mbps，传输带宽达到51GB/s，可提供16Gb-64Gb多容量可靠方案，多组电压动态调节使功耗降低30%。高性能、低功耗、更稳定可靠和多容量选择，佰维LPDDR5内存方案将有效满足中高端智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。　　佰维ePOP E100：高性能、低功耗，赋能智能穿戴小而精佰维依托研发封测一体化优势，推出了尺寸仅为10*10mm的ePOP E100产品，最大顺序读写速度分别为310MB/s、240MB/s。该产品集成高性能eMMC和LPDDR芯片，垂直贴装于CPU之上，较传统方案面积减少60%，同时减少了电流信号间的传输距离，兼备高性能与低功耗。因而，佰维ePOP E100尤其适用于对尺寸、功耗和可靠性要求高的智能穿戴设备，可为终端厂商提供快速、灵活落地的技术方案，缩短产品上市周期。　　佰维UFS3.1：高读速、大容量，助力旗舰智能手机面向旗舰智能手机，佰维推出了UFS3.1高速闪存，写入速度高达1200MB/s，容量高达512GB。佰维依托自研固件算法能力，同时根据JEDEC发布的UFS3.1规范，为UFS3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗；大幅缩短应用加载的等待时间，提升移动终端的工作效率。
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发布时间：2023-04-20 10:17 阅读量：2180 继续阅读>>
<span style='color:red'>佰维</span>推出工业级宽温内存条DDR4 SODIMM
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佰维推出工业级宽温内存条DDR4 SODIMM

　　佰维工业级宽温DDR4 SODIMM (Small Outline DIMM)内存模组符合JEDEC标准设计，使用高品质原厂DRAM晶圆颗粒，经严苛性能与可靠性测试，可在-40℃~85℃的温度范围内稳定工作，速度可达3200Mbps，适用于各类小型工业电脑、监控设备、自动化与嵌入式系统等。　　聚焦5G基站、边缘计算、AI设备、车载应用、工控安防等领域，越来越多的工业类应用及设备对存储解决方案提出了更高要求：长时间持续高速运算及严苛的运作环境下，存储产品必须拥有高稳定性、高可靠性，也必须经过适应极端温度变化、防尘、抗震动、抗冲击、抗硫化等种种考验，从而保持高耐久度和长使用寿命。近期，佰维推出工业级宽温SODIMM内存条，赋能严苛环境挑战下的各种工业应用。       该产品具有以下特点：　　01　　严苛介质筛选+高低温测试，宽温运行无惧炎寒　　为了使产品在-40℃~85℃环境下工作，佰维对晶圆颗粒做了严格的宽温筛选，以保证产品的一致性；对成品则进行了严苛的高低温反复测试，以保证产品能在高温、低温、高低温变化等各种温度环境下稳定运行，无惧户外昼夜温差、季节变化的影响，保障产品在极端环境下工作的稳定性。　　02　　底部填充+抗硫化+三防漆涂层，稳定可靠坚固耐久　　针对一些高强度震动环境，佰维可提供IC底部填充技术，提高产品在高压、高冲击、高震动下的可靠性；针对高温、高湿、高污染等硫气浓度高的环境，则对内存模块上会发生硫化并影响功能的零件，提前进行预防硫化的处理，以确保模块的正常运作；加上三防漆涂层，可进一步保证产品的耐久性，以适应工业应用设备较长的更换周期。
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发布时间：2023-02-20 16:28 阅读量：2399 继续阅读>>

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