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同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低<span style='color:red'>工业设备</span>和白色家电的功耗～

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同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。产品介绍资料（2.6MB）近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求，ROHM对以往的PrestoMOS™产品进行了改进，开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的新产品。此次开发的新系列产品采用ROHM的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间（trr*1），同时，与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻*2最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面，继承了PrestoMOS™系列产品已经实现的105ns（纳秒）业界超快（与TO-220FM同等封装产品相比）反向恢复时间，而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点，与同等的通用产品相比，新系列可大大提高应用产品的效率。除了上述系列之外，作为标准型600V耐压超级结 MOSFET，ROHM还开发了具有更低导通电阻的“R60xxYNx系列”，此次又新增了两款机型。客户可以根据应用需求选择合适的产品群。新产品已于2022年1月开始暂以月产10万个（样品价格900日元/个，不含税）的规模投入量产。今后，ROHM将继续开发抗噪性能更出色的新系列产品，不断扩大超级结 MOSFET系列产品的阵容，通过降低各种应用产品的功耗助力解决环境保护等社会问题。＜新产品特点＞1．实现业界超快的反向恢复时间，同时实现业界超低的导通电阻PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻，与同等普通产品相比，最多可减少20%（与TO-220FM同等封装产品相比），有助于进一步降低各种应用产品的功耗。2．具有业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低通常，当工艺向更微细的方向发展时，导通电阻等基本性能会得到改善，但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而ROHM的PrestoMOS™“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技术，实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时，还实现了业界超快的105ns（纳秒）反向恢复时间（与TO-220FM同等封装产品比较）。由于抑制了额外的电流量，因此与同等的普通产品相比，开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下，包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300～400ns（纳秒）。由于上述两大特点，在搭载了追求高效率的同步整流升压电路*3的评估板上，与导通电阻60mΩ级的产品进行比较时，“R60xxVNx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率，非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源（UPS）等应用的功耗。＜产品阵容＞R60xxVNx系列（PrestoMOS™型）耐压VDS[V]导通电阻RONtyp.[mΩ]VGS=15V反向恢复时间trrtyp.[ns]封装TO-252＜DPAK＞（TO-220FM）＜TO-220FP＞TO-220ABTO-247AD（TO-247）60025065☆ R6013VND3☆ R6013VNX18068R6018VNX13080R6024VNXR6024VNX39592R6035VNXR6035VNX359112☆ R6055VNX☆ R6055VNX3R6055VNZ442125R6077VNZ422167☆ R60A4VNZ4☆: 开发中封装采用JEDEC标准。（）内表示ROHM封装，〈〉内表示GENERAL代码。R60xxYNx系列（标准型）耐压VDS[V]导通电阻RONtyp.[mΩ]VGS=12V反向恢复时间trrtyp.[ns]封装TO-252＜DPAK＞（TO-220FM）＜TO-220FP＞TO-220ABTO-3PFTO-247AD（TO-247）MO-299（TOLL）600324200～600☆ R6010YND3☆ R6010YNX☆ R6010YNX3215☆ R6014YND3R6014YNX☆ R6014YNX3154R6020YNX☆ R6020YNX3☆ R6020YNZ4☆ R6020YNJ2137☆ R6022YNX☆ R6022YNX3☆ R6022YNZ4☆ R6022YNJ2112☆ R6027YNX☆ R6027YNX3☆ R6027YNZ4☆ R6027YNJ280☆ R6038YNX☆ R6038YNX3☆ R6038YNZ4☆ R6038YNJ268☆ R6049YNX☆ R6049YNX3☆ R6049YNZ4☆ R6049YNJ250☆ R6061YNX☆ R6061YNX3☆ R6061YNZ449☆ R6063YNJ236☆ R6086YNZ☆ R6086YNZ421☆ R60A4YNZ4☆: 开发中封装采用JEDEC标准。（）内表示ROHM封装，〈〉内表示GENERAL代码。＜应用示例＞■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器（功率调节器）、不间断电源（UPS）等■空调等白色家电■其他各种设备的电机驱动和电源电路等＜什么是PrestoMOS™？＞Presto意为“非常快”，是源于意大利语的音乐术语。PrestoMOS™是采用了ROHM自有的Lifetime控制技术、并以业界超快的反向恢复时间（trr）著称的功率MOSFET。・PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标。＜用语说明＞*1) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。*2) 导通电阻MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。*3) 同步整流升压电路通常，在由MOSFET和二极管组成的升压电路中，用来将二极管改为MOSFET以提升效率的电路。由于MOSFET导通电阻带来的损耗要小于二极管VF带来的功率损耗，因此这种电路的效率更高。＜宣传单＞600V耐压超级结MOSFET新系列高速二极管内置型(PrestoMOS™) R60xxVNx系列/低导通电阻型R60xxYNx系列 (PDF:1.21MB)＜相关信息＞特设网页: 实现高速开关和低导通电阻　Super Junction MOSFE

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MOSFET 开关损耗降低功耗

发布时间：2022-04-12 15:22 阅读量：2433 继续阅读>>

ROHM开发出45W输出、内置FET的小型表贴封装 AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z” ~有助于降低工厂的安装成本并提高白色家电和<span style='color:red'>工业设备</span>的节能性和可靠性~

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ROHM开发出45W输出、内置FET的小型表贴封装 AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z” ~有助于降低工厂的安装成本并提高白色家电和工业设备的节能性和可靠性~

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”近年来，家电和工业设备领域的AC/DC转换器，不仅要支持交流输入85V～264V以处理世界各地的交流电压，作为电源整体还要符合能效标准“Energy Star*3”和安全标准“IEC 62368”等，需要从国际视角构建电源系统。其中，对于AC/DC转换器IC来说，不仅要满足这些要求，还需要采用表贴型封装形式，以降低工厂的安装成本。然而，事实上，在AC/DC转换器IC中仍然大范围地使用产生大量损耗和热量的DMOSFET和Planar MOSFET，即使表贴封装产品也很难满足几十瓦级的输出功率要求。为解决这些问题，ROHM开发一种具有45W输出功率的新产品，新产品已将低损耗SJ-MOSFET和优化的控制电路集成在小型表贴封装中。新产品是将ROHM的低损耗功率半导体（Super Junction MOSFET，简称“SJ-MOSFET”）和控制电路等一体化封装的IC，使交流输入85V～264V、输出功率到45W的AC/DC转换器的开发变得更容易。新产品采用表贴型封装，实现了过去很难的电路板自动安装；而且还采用特别开发的控制电路，可以在取消电源输入端的放电电阻器（待机时的损耗源）的情况下也符合“IEC 62368*4”标准；同时，利用ROHM自有的低待机功耗控制技术，使待机功耗显著降低。不仅如此，最高的工作电源电压（VCC）可达60V，无需降压用的外部电源电路。与同等性能的普通产品相比，支持自动安装将有助于降低工厂的安装成本，同时还将待机功耗降低90%以上，并减少4个电源电路器件，从而有助于提高节能性和可靠性。新产品已于2021年7月开始出售样品（样品价格 500日元/个，不含税），计划于2022年1月起暂以月产20万个的规模投入量产。今后，ROHM不仅会继续开发各种功率半导体和先进的模拟控制IC，还将为不同的应用提供更好的解决方案，不断为系统的节能和优化贡献力量。＜新产品特点＞1．表贴封装、可支持高达45W的输出功率，有助于降低工厂的安装成本新产品将低损耗（低导通电阻）730V耐压SJ-MOSFET、启动电路和优化的控制电路集成在小型且散热性良好的表贴封装（SOP20A）中。作为支持输入电压AC 85V～264V的表贴封装产品，支持过去很难实现的高达45W的大输出功率（24V×1.875A=45W等），并实现了普通的插装型产品无法实现的自动安装，这将非常有助于降低工厂的安装成本。2．待机功耗比普通产品低90%以上新产品采用了融入ROHM高耐压工艺技术和模拟设计技术的控制电路（X电容*5放电功能），即使取消以往必须的既是损耗源又具有防触电功能的放电电阻，也可以满足安全标准“IEC 62368”的安全要求。此外，利用自有的低待机功耗控制技术（优化控制功率半导体的开关次数和流经隔离变压器的电流），进一步降低了应用待机时的IC功耗，系统待机功耗与普通产品相比降低了90%以上，成功地将待机功耗抑制到17mW（AC输入230V、输出功率0W时）。此外，还搭载了降噪模式，可抑制隔离变压器的异常噪声。当希望降低待机功耗时，可以关闭降噪模式，当担心隔离变压器的异常噪声或希望加快开发速度时，可以打开降噪模式，因此，可根据应用产品提供理想的电源系统。3．电源电路元器件数量减少4个，功率半导体的故障风险更低，电源的可靠性更高新产品可在11V～60V的更宽VCC电源电压范围内工作。60V的最高电源电压是普通产品的两倍，对外来噪声干扰和浪涌电压均具有很高的可靠性。此外，还可以减少普通产品所需的降压用外置电源电路的4个元器件。不仅如此，在内置的功率半导体中，还采用了具有很强抗浪涌电压能力的SJ-MOSFET（抗击穿能力指标——雪崩耐量比普通产品中内置的DMOSFET和Planar MOSFET高30倍以上），降低了半导体的故障风险，因此有助于提高电源系统的可靠性。＜应用示例＞◇空调、白色家电、监控器、吹风机等各种家电◇逆变器、AC伺服、路由器、OA设备等各种工业设备适用于家电和工业设备中最高45W输出功率的各种AC/DC转换器。＜与新产品相关的AC/DC转换器IC产品阵容＞＜电商销售信息＞起售时间：2021年9月开始销售产品:概要产品名称内置730V耐压SJ-MOSFET的ACDC转换器ICBM2P060MF-ZBM2P061MF-ZBM2P063MF-Z搭载BM2P060MF-Z的评估板BM2P060MF-EVK-001＜术语解说＞*1）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）、SJ-MOSFET（Super Junction MOSFET）、DMOSFET（Double-diffused MOSFET）、Planar MOSFET（平面型MOSFET）MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构进一步细分为DMOSFET、Planar MOSFET和SJ-MOSFET。使用硅衬底生产MOSFET时，DMOSFET和Planar MOSFET的生产成本比SJ-MOSFET要低，而SJ-MOSFET的耐压和输出电流能力比DMOSFET和Planar MOSFET要好，处理大功率时的损耗更少。*2） AC/DC转换器电源的一种，可将交流（AC）电压转换为直流（DC）电压。是电子设备所需的一种控制电路，负责将流经普通插座的交流电转换为电子设备工作所需的直流电。*3）Energy Star美国环境保护署（EPA）和美国能源部（DOE）于1992年制定的针对消费产品的能效标准。通过国际合作项目在其他国家也得到了应用，目标产品范围很广，其中包括家电和IT设备等。*4）IEC 62368音视频与信息技术设备安全标准。是基于旨在防止对人体造成伤害的“基于危害的安全工程（HBSE）”概念开发的安全标准。规定了危险能量源（造成伤害的源头）的识别、传递机制以及人体安全防护措施等指南。*5）X电容AC电源（AC/DC转换器）输入电路中用来抑制噪声的电容器。从插座上拔下插头后的一瞬间，X电容中仍带有电压，如果在这种状态下触碰插头的电极，可能会放电到人体并造成触电。

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AC/DC转换器IC 小型表贴封装低损耗功率半导体

发布时间：2021-12-23 00:00 阅读量：1716 继续阅读>>

ROHM开发出实现4W业内超高额定功率的厚膜分流电阻器“LTR100L” ～有助于提高<span style='color:red'>工业设备</span>和消费电子设备的功率～

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ROHM开发出实现4W业内超高额定功率的厚膜分流电阻器“LTR100L” ～有助于提高工业设备和消费电子设备的功率～

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工业设备消费电子分流电阻器

发布时间：2021-11-05 00:00 阅读量：1888 继续阅读>>

ROHM开发出防水等级达IPX8的小型高精度气压传感器IC“BM1390GLV” ~非常适用于白色家电和<span style='color:red'>工业设备</span>等对防水性能有要求的应用~

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ROHM开发出防水等级达IPX8的小型高精度气压传感器IC“BM1390GLV” ~非常适用于白色家电和工业设备等对防水性能有要求的应用~

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向白色家电、工业设备和小型物联网设备，开发出防水等级达IPX8*1的小型高精度气压传感器 IC“BM1390GLV（-Z）”。Introduction_NewReleaseBM1390GLV_CN_AMEYA360.pdf在智能手机和可穿戴式设备等应用中，气压传感器已被广泛用于获取室内导航和活动追踪器的高度差数据。近年来，随着其应用范围的扩大，对于防水性能优异、体积更小、更能抵抗外部变化影响的气压传感器的需求越来越大。在这种背景下，ROHM新开发出一款小型气压传感器，该产品具有IPX8等级的防水性能，并且具有很强的抗温度变化和应力的能力。新产品通过将多年积累的MEMS*2和控制电路技术与ROHM自有的防水技术相结合，虽然封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm×1.0mm，却达到了IPX8等级的防水性能。此外，还利用ROHM自有的温度校准功能实现了出色的温度特性。不仅如此，通过采用陶瓷封装，还抑制了在电路板上安装时应力引起的特性波动。这些特点使其即使在以往产品难以满足防水性能要求的应用中，以及在温度变化大的环境中，也可以实现高精度的气压检测。新产品于2021年8月份开始投入量产。前期工序的生产基地为ROHM总部工厂（日本京都市），后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.（菲律宾）。此外，新产品和评估板“BM1390GLV-EVK-001”已于2021年6月起开始网售。今后，ROHM会继续开发高精度和高可靠性的传感器产品。＜新产品特点＞1．小型封装且防水性能达IPX8，适用于更广泛的应用BM1390GLV融合了ROHM多年来积累的MEMS、控制电路技术和自有的防水技术，用与以往产品相同的小型封装（2.0mm×2.0mm×1.0mm）实现了达到IPX8等级的防水性能。新产品采用先进的结构——通过用特殊的凝胶来保护IC内部，使其可以安装在要求防水性能的白色家电和工业设备等应用中。2．具备出色的温度特性和抗应力能力，可进行高精度的气压检测BM1390GLV内置自有的温度校准功能，并采用陶瓷作为封装材质，实现了出色的温度特性和抗应力能力。即使在受温度变化和应力影响较大的环境中，也可以进行高精度的气压检测。・内置温度校准功能，实现从低温到高温的稳定检测精度BM1390GLV内置利用了ROHM自有算法的温度校准功能。与普通产品相比，由温度引起的气压检测误差更小，由于实现了稳定的气压检测，故可安装在普通产品难以安装的热源附近。此外，不再需要外置MCU（微控制器）的校正运算，因此有助于减少设计工时。・采用陶瓷封装，可抑制应力影响引起的特性波动以往产品所用的树脂封装，产品特性会因电路板安装时的应力而发生波动。BM1390GLV采用陶瓷封装，可抑制应力影响而导致的特性波动。由于消除了树脂封装产品所受的气压传感器布局限制，因此有助于提高电路板布局设计的灵活性。＜产品阵容＞产品名称电源电压范围[V]气压范围[hPa]相对气压精度[hPa](Typ)绝对气压精度[hPa](Typ)工作温度范围[℃]封装尺寸[mm]BM1390GLV1.7～3.6300～1,300±0.06±1－40～＋852.0×2.0×1.0＜应用示例＞・电饭煲、吸尘器等需要压力控制的白色家电・要求防水性能的工业设备、户外使用的小型物联网设备和无人机等＜评估板信息＞起售时间： 2021年6月开始电商平台： Ameya360评估板型号： BM1390GLV-EVK-001官网页面：http://www.ameya360.com/search/BM1390GLV-EVK-001/1＜术语解说＞*1) IPX8：指最高防水等级。表示精密设备对水和固体影响的防护性能的一种IP代码。*2) MEMS：Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，一种将机械部件、传感器、执行器（驱动单元）等集成于一枚电路板上的器件。

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ROHM BM1390GLV 气压传感器

发布时间：2021-09-29 00:00 阅读量：1969 继续阅读>>

ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”——有助于大幅削减工厂的安装成本，并为<span style='color:red'>工业设备</span>提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案~

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ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”——有助于大幅削减工厂的安装成本，并为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案~

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年来，随着节能意识的提高，在交流400V级工业设备领域，可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面，在工业设备中，除了主电源电路之外，还内置有为各种控制系统提供电源电压的辅助电源，但出于设计周期的考量，它们中仍然广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较大的IGBT，所以在节能方面存在很大课题。ROHM针对这些挑战，于2019年开始开发内置高耐压、低损耗SiC MOSFET的插装型AC/DC转换器IC，并一直致力于开发出能够更大程度地发挥SiC功率半导体性能的IC，在行业中处于先进地位。此次，新产品内置节能性能非常出色的SiC MOSFET和专为工业设备辅助电源*3优化的控制电路，并采用小型表贴封装（TO263），有助于使节能型AC/DC转换器的开发变得更容易。新产品可以利用设备自动贴装在电路板上，这在以往是不可能实现的；而且当用于交流400V、输出48W以下的辅助电源时，与采用普通产品的配置相比，部件数量显著减少（将散热板和12个部件缩减为1个）。这不仅可以降低部件故障的风险，还通过SiC MOSFET将功率转换效率提高多达5％。因此，不仅有助于大幅削减工厂的安装成本，还可以提供更加小型、更高可靠性及更节能的解决方案。未来，ROHM将继续开发SiC等先进的功率半导体*4和先进的模拟控制IC的同时，不断优化这些产品并提供更好的解决方案，为工业设备的节能和系统优化贡献力量。＜新产品特点＞“BM2SC12xFP2-LBZ”将1700V耐压SiC MOSFET和专为工业设备的辅助电源而优化的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路等集成于一枚封装中。通过实现以下特点，使节能型AC/DC转换器的开发更容易，不仅可以显著降低工厂的安装成本，还可为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案。1．可支持高达48W输出功率的表贴封装产品，有助于大大削减工厂的安装成本新产品采用专为内置SiC MOSFET而开发的表贴封装“TO263-7L”。尽管体积小巧，但仍可充分确保处理大功率时的封装安全性（爬电距离），而且作为无散热器的表贴封装产品，可支持高达48W（24V、2A等）的输出功率。可利用自动设备将本产品贴装在电路板上，这是以往在该范围的产品无法实现的。加上可削减元器件数量的优势，将有助于大大降低工厂的安装成本。2．将散热板和多达12个部件缩减为1个，在小型化方面具有压倒性优势新产品采用一体化封装，相比采用Si-MOSFET的普通分立产品配置，部件数量显著减少，1个封装内包含多达12个部件（AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极管×3、电阻器×6）和散热板。另外，由于SiC MOSFET具有高耐压、抗噪性能优异的特点，还可实现降噪部件的小型化。3．减少开发周期和风险，内置保护功能，可靠性显著提高新产品采用一体化封装，可减少钳位电路和驱动电路的部件选型及可靠性评估的工时，可降低部件故障风险，可缩减引进SiC MOSFET时的开发周期，一举多得。另外，除了通过内置SiC MOSFET，实现了高精度过热保护（Thermal Shutdown），此外还配备了过负载保护（FB OLP）、电源电压引脚的过电压保护（VCC OVP）、过电流保护、二次侧电压的过电压保护等进行连续驱动的工业设备电源所需的丰富保护功能，实现了更高可靠性。4．激发出SiC MOSFET的性能，节能效果显著新产品中搭载的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路，通过更大限度地激发出SiC MOSFET的实力，与采用Si-MOSFET的普通配置相比，功率转换效率提升高达5%（截至2021年6月ROHM调查数据）。另外，本产品的控制电路采用准谐振方式，与普通的PWM方式相比，运行噪声低、效率高，可充分地降低对工业设备的噪声影响。＜内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC产品阵容＞产品名称封装电源电压范围MOSFET工作频率VCC OVPFB OLP工作温度范围BM2SC121FP2-LBZTO263-7L15.0V～27.5VSiC MOSFET1700V (Max.)1.12Ω (Typ. )120kHz(Max.)LatchAuto Restart－40℃～＋105℃BM2SC122FP2-LBZLatchLatchBM2SC123FP2-LBZAuto RestartAuto RestartBM2SC124FP2-LBZAuto RestartLatchBM2SCQ121T-LBZTO220-6MLatchAuto RestartBM2SCQ122T-LBZLatchLatchBM2SCQ123T-LBZAuto RestartAuto RestartBM2SCQ124T-LBZAuto RestartLatch＜应用示例＞非常适用于◇通用逆变器◇AC伺服◇PLC（Programmable Logic Controller）◇制造装置◇机器人◇商用空调◇工业用照明（路灯等）等交流400V规格的各种工业设备的辅助电源电路。销售产品：概要产品名称内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器ICBM2SC121FP2-LBZBM2SC122FP2-LBZBM2SC123FP2-LBZBM2SC124FP2-LBZ搭载了BM2SC123FP2-LBZ的评估板BM2SC123FP2-EVK-001＜术语解说＞*1) SiC（Silicon Carbide，碳化硅）、MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）SiC是Si（硅）和C（碳）的化合物。用作半导体材料时，因有望实现超越Si半导体极限的特性而备受瞩目。MOSFET是晶体管的一种（结构），属于最基本的半导体元器件。是可通过从外部施加电压来控制元器件的ON/OFF或电流流动的开关设备。*2) AC/DC转换器电源的一种，将交流（AC）电压转换为直流（DC）电压。一般插座中是交流电，而电子设备是直流电工作，因此，是连接插座的电子设备必须的元器件。*3) 辅助电源在大功率工业设备中，包括使电机等（主机）运行的主电源电路，也包括为控制IC及LED指示灯亮等（辅助）提供电源电压的辅助电源电路，将这种电源电路称为“辅助电源”。*4) 功率半导体用来根据用途转换电压和电流的半导体，其性能直接关系到系统和设备的功率效率。要求支持高耐压、大电流。

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ROHM BM2SC12xFP2-LBZ

发布时间：2021-07-29 00:00 阅读量：1591 继续阅读>>

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于<span style='color:red'>工业设备</span>和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~

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ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。通过这种组合，使ROHM在支持24V输入的±40V和±60V耐压级别拥有了业界先进的Nch+Pch双极MOSFET产品。此外，为了满足更广泛的需求，ROHM还开发出+40V和+60V耐压的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，产品阵容已达12款。本系列产品采用ROHM新工艺，实现了业界超低的导通电阻，±40V耐压产品的导通电阻比普通产品低61%（双极MOSFET的Pch部分比较），有助于进一步降低各种设备的功耗。此外，通过将两枚器件集成到一个封装中，有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化，还有助于减少器件选型（Nch和Pch的组合）的时间。今后，ROHM还会面向要求更高耐压的工业设备开发100V和150V耐压产品，以扩大本系列产品的阵容，通过降低各种应用的功耗和实现其小型化来助力解决环境保护等社会问题。＜新产品特点＞1.实现业界超低导通电阻在ROHM此次开发的业界先进的双极MOSFET 中，采用了新工艺的、±40V耐压的产品与普通产品相比，Pch部分的导通电阻降低多达61％，Nch部分的导通电阻也降低达39％，有助于降低各种设备的功耗。2.具备只有双极MOSFET才有的特点，有助于实现设备的小型化和缩短设计周期通过在一个封装中内置两枚器件，有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。在小型化方面，如果将以往的Nch+Pch双极MOSFET（SOP8）替换成新产品（TSMT8），安装面积可减少75%。组合示例■QH8MC5（±60V耐压Nch+Pch双极MOSFET）和BD63001AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）■SH8KB6（+40V耐压Nch+Nch双极MOSFET）和BM62300MUV（三相无刷电机预驱动器IC）■SH8KB6（+40V耐压Nch+Nch双极MOSFET）和BD63002AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）等＜产品阵容＞Nch+Pch双极MOSFET产品名称极性(ch)VDSS(V)ID(A)PD(W)Ron Max(mΩ)*VGS=10VData SheetSpiceModel封装名称SH8MB5N+P408.5219.4✓✓SOP8(6.0mm×5.0mm×1.75mm)-40-8.516.8SH8MC5606.532✓✓-60-733QH8MB5404.51.544✓✓TSMT8(2.8mm×3.0mm×0.8mm)-40-541QH8MC560390✓✓-60-3.591Nch+Nch双极MOSFET产品名称极性(ch)VDSS(V)ID(A)PD(W)Ron Max(mΩ)*VGS=10VData SheetSpiceModel封装名称SH8KB7N+N4013.528.4✓✓SOP8(6.0mm×5.0mm×1.75mm)SH8KB68.519.4✓✓SH8KC76010.512.4✓✓SH8KC66.532✓✓QH8KB64081.517.7✓✓TSMT8(2.8mm×3.0mm×0.8mm)QH8KB54.544✓✓QH8KC6605.530✓✓QH8KC5390＜应用示例＞■FA设备、机器人等工业设备和基站用的风扇电机■大型消费电子设备用的风扇电机＜术语解说＞*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFETPch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。*3) 导通电阻使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。

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ROHM 低导通电阻

发布时间：2021-07-29 00:00 阅读量：2380 继续阅读>>

ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列” ——损耗比以往IGBT产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和<span style='color:red'>工业设备</span>功耗～

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ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列” ——损耗比以往IGBT产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗～

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车（xEV）中的车载充电器和DC/DC转换器、以及太阳能发电用的功率调节器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。近年来，在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中，电动汽车（xEV）得以日益普及。为了进一步提高系统的效率，对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求，超低损耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和传统的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在经历技术变革。ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案，不仅专注于行业先进的SiC功率元器件，还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。此次，开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗（以下称“开通损耗”*3）。在车载充电器中采用本产品时，与以往IGBT产品相比，损耗可降低67％，与超级结MOSFET （SJ-MOSFET）相比，损耗可降低24％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。新产品已于2021年3月开始出售样品（样品价格：1,200日元/个，不含税），预计将于2021年12月起暂以月产2万个的规模投入量产。另外，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市场。今后，ROHM将继续开发满足各种需求的低损耗功率元器件，同时，提供设计工具以及各种解决方案，通过助力应用系统的节能和小型化为减轻环境负荷贡献力量。＜新产品特点＞●损耗比以往IGBT产品低67％，为普及中的车载电子设备和工业设备提供更高性价比“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管（Si-FRD）的IGBT产品相比，成功地大幅降低了开通损耗，在车载充电器应用中损耗比以往IGBT产品低67％。与通常损耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，损耗也可降低24％。在转换效率方面，新产品可以在更宽的工作频率范围确保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作频率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。●符合AEC-Q101标准，可在恶劣环境下使用新系列产品还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”，即使在车载和工业设备等严苛环境下也可以安心使用。＜Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”产品阵容＞＜应用示例＞・车载充电器・车载DC/DC转换器・太阳能逆变器（功率调节器）・不间断电源装置（UPS）＜术语解说＞*1) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是专门针对分立半导体元器件（晶体管、二极管等）制定的标准。*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）、SJ-MOSFET（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）两者均为通常使用Si衬底生产的功率半导体，它们的器件结构不同。IGBT比其他功率半导体的成本更低，但存在需要续流二极管才能工作（需要双芯片结构才能工作）、关断损耗较大的课题；与IGBT相比，SJ-MOSFET无需续流二极管即可工作（单芯片结构即可工作），而且关断损耗较小，但存在难以应对大功率的问题。作为一项突破，IGBT的续流二极管采用SiC SBD 而非传统的Si-FRD，推出了可以降低损耗的Hybrid IGBT。*3) 开通损耗和关断损耗两者均为晶体管等半导体元件开关时产生的损耗（开关损耗）。开通损耗是在元件ON时产生的损耗，关断损耗是在元件OFF时产生的损耗。理想情况下，这些损耗应该为零，但实际上，由于结构上的缘故，在ON和OFF之间切换时，不可避免地会流过不必要的电流，从而产生损耗，因此对于功率半导体来说，设法减少这些损耗是非常重要的工作。

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RGWxx65C系列

发布时间：2021-07-28 00:00 阅读量：1660 继续阅读>>

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