ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~

发布时间：2021-07-29 00:00
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来源：ROHM
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全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~



近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。

在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。通过这种组合，使ROHM在支持24V输入的±40V和±60V耐压级别拥有了业界先进的Nch+Pch双极MOSFET产品。此外，为了满足更广泛的需求，ROHM还开发出+40V和+60V耐压的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，产品阵容已达12款。

本系列产品采用ROHM新工艺，实现了业界超低的导通电阻，±40V耐压产品的导通电阻比普通产品低61%（双极MOSFET的Pch部分比较），有助于进一步降低各种设备的功耗。此外，通过将两枚器件集成到一个封装中，有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化，还有助于减少器件选型（Nch和Pch的组合）的时间。


今后，ROHM还会面向要求更高耐压的工业设备开发100V和150V耐压产品，以扩大本系列产品的阵容，通过降低各种应用的功耗和实现其小型化来助力解决环境保护等社会问题。

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~


＜新产品特点＞

1.实现业界超低导通电阻

在ROHM此次开发的业界先进的双极MOSFET 中，采用了新工艺的、±40V耐压的产品与普通产品相比，Pch部分的导通电阻降低多达61％，Nch部分的导通电阻也降低达39％，有助于降低各种设备的功耗。

2.具备只有双极MOSFET才有的特点，有助于实现设备的小型化和缩短设计周期

通过在一个封装中内置两枚器件，有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。在小型化方面，如果将以往的Nch+Pch双极MOSFET（SOP8）替换成新产品（TSMT8），安装面积可减少75%。

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~


组合示例

  • ■QH8MC5（±60V耐压Nch+Pch双极MOSFET）和BD63001AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）

  • ■SH8KB6（+40V耐压Nch+Nch双极MOSFET）和BM62300MUV（三相无刷电机预驱动器IC）

  • ■SH8KB6（+40V耐压Nch+Nch双极MOSFET）和BD63002AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）等


＜产品阵容＞

Nch+Pch双极MOSFET

产品名称 极性
(ch)		 VDSS
(V)		 ID
(A)		 PD
(W)		 Ron Max(mΩ)
*VGS=10V		 Data Sheet Spice
Model		 封装名称
ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~
SH8MB5		 N+P 40 8.5 2 19.4 ✓ ✓ ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~

SOP8
(6.0mm×5.0mm×1.75mm)
-40 -8.5 16.8
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SH8MC5		 60 6.5 32 ✓ ✓
-60 -7 33
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QH8MB5		 40 4.5 1.5 44 ✓ ✓ ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~

TSMT8
(2.8mm×3.0mm×0.8mm)
-40 -5 41
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QH8MC5		 60 3 90 ✓ ✓
-60 -3.5 91

Nch+Nch双极MOSFET

产品名称 极性
(ch)		 VDSS
(V)		 ID
(A)		 PD
(W)		 Ron Max(mΩ)
*VGS=10V		 Data Sheet Spice
Model		 封装名称
ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~
SH8KB7		 N+N 40 13.5 2 8.4 ✓ ✓ ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~

SOP8
(6.0mm×5.0mm×1.75mm)
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SH8KB6		 8.5 19.4 ✓ ✓
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SH8KC7		 60 10.5 12.4 ✓ ✓
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SH8KC6		 6.5 32 ✓ ✓
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QH8KB6		 40 8 1.5 17.7 ✓ ✓ ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~

TSMT8
(2.8mm×3.0mm×0.8mm)
ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~
QH8KB5		 4.5 44 ✓ ✓
ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET——非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~
QH8KC6		 60 5.5 30 ✓ ✓
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QH8KC5		 3 90





＜应用示例＞

  • ■FA设备、机器人等工业设备和基站用的风扇电机

  • ■大型消费电子设备用的风扇电机


＜术语解说＞

  • *1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）

  • 金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。 用作开关元件。

  • *2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET

  • Pch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。
    可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。
    Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。
    相比Pch MOSFET，漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。

  • *3) 导通电阻

  • 使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。



（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”——有助于大幅削减工厂的安装成本，并为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案~

下一篇：ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列” ——损耗比以往IGBT产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗～

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