同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。

• 产品介绍资料（2.6MB）

近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求，ROHM对以往的PrestoMOS™产品进行了改进，开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的新产品。

此次开发的新系列产品采用ROHM的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间（trr*1），同时，与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻*2最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面，继承了PrestoMOS™系列产品已经实现的105ns（纳秒）业界超快（与TO-220FM同等封装产品相比）反向恢复时间，而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点，与同等的通用产品相比，新系列可大大提高应用产品的效率。

除了上述系列之外，作为标准型600V耐压超级结 MOSFET，ROHM还开发了具有更低导通电阻的“R60xxYNx系列”，此次又新增了两款机型。客户可以根据应用需求选择合适的产品群。

新产品已于2022年1月开始暂以月产10万个（样品价格900日元/个，不含税）的规模投入量产。

今后，ROHM将继续开发抗噪性能更出色的新系列产品，不断扩大超级结 MOSFET系列产品的阵容，通过降低各种应用产品的功耗助力解决环境保护等社会问题。

＜新产品特点＞

1．实现业界超快的反向恢复时间，同时实现业界超低的导通电阻

PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻，与同等普通产品相比，最多可减少20%（与TO-220FM同等封装产品相比），有助于进一步降低各种应用产品的功耗。

2．具有业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低

通常，当工艺向更微细的方向发展时，导通电阻等基本性能会得到改善，但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而ROHM的PrestoMOS™“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技术，实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时，还实现了业界超快的105ns（纳秒）反向恢复时间（与TO-220FM同等封装产品比较）。由于抑制了额外的电流量，因此与同等的普通产品相比，开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下，包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300～400ns（纳秒）。

由于上述两大特点，在搭载了追求高效率的同步整流升压电路*3的评估板上，与导通电阻60mΩ级的产品进行比较时，“R60xxVNx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率，非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源（UPS）等应用的功耗。

＜产品阵容＞

R60xxVNx系列（PrestoMOS™型）

耐压 VDS [V]	导通电阻 RON typ. [mΩ] VGS=15V	反向 恢复 时间 trr typ. [ns]	封装
			TO-252 ＜DPAK＞	（TO-220FM） ＜TO-220FP＞	TO-220AB	TO-247AD （TO-247）
600	250	65	☆ R6013VND3	☆ R6013VNX
	180	68		R6018VNX
	130	80		R6024VNX	R6024VNX3
	95	92		R6035VNX	R6035VNX3
	59	112		☆ R6055VNX	☆ R6055VNX3	R6055VNZ4
	42	125				R6077VNZ4
	22	167				☆ R60A4VNZ4
☆: 开发中		封装采用JEDEC标准。（ ）内表示ROHM封装，〈 〉内表示GENERAL代码。

R60xxYNx系列（标准型）

耐压 VDS [V]	导通电阻 RON typ. [mΩ] VGS=12V	反向 恢复 时间 trr typ. [ns]	封装
			TO-252 ＜DPAK＞	（TO-220FM） ＜TO-220FP＞	TO-220AB	TO-3PF	TO-247AD （TO-247）	MO-299 （TOLL）
600	324	200～600	☆ R6010YND3	☆ R6010YNX	☆ R6010YNX3
	215		☆ R6014YND3	R6014YNX	☆ R6014YNX3
	154			R6020YNX	☆ R6020YNX3		☆ R6020YNZ4	☆ R6020YNJ2
	137			☆ R6022YNX	☆ R6022YNX3		☆ R6022YNZ4	☆ R6022YNJ2
	112			☆ R6027YNX	☆ R6027YNX3		☆ R6027YNZ4	☆ R6027YNJ2
	80			☆ R6038YNX	☆ R6038YNX3		☆ R6038YNZ4	☆ R6038YNJ2
	68			☆ R6049YNX	☆ R6049YNX3		☆ R6049YNZ4	☆ R6049YNJ2
	50			☆ R6061YNX	☆ R6061YNX3		☆ R6061YNZ4
	49							☆ R6063YNJ2
	36					☆ R6086YNZ	☆ R6086YNZ4
	21						☆ R60A4YNZ4
☆: 开发中		封装采用JEDEC标准。（ ）内表示ROHM封装，〈 〉内表示GENERAL代码。

＜应用示例＞

■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器（功率调节器）、不间断电源（UPS）等
■空调等白色家电
■其他各种设备的电机驱动和电源电路等

＜什么是PrestoMOS™？＞

Presto意为“非常快”，是源于意大利语的音乐术语。
PrestoMOS™是采用了ROHM自有的Lifetime控制技术、并以业界超快的反向恢复时间（trr）著称的功率MOSFET。

・PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标。

＜用语说明＞

*1) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）
内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。

*2) 导通电阻
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。

*3) 同步整流升压电路
通常，在由MOSFET和二极管组成的升压电路中，用来将二极管改为MOSFET以提升效率的电路。由于MOSFET导通电阻带来的损耗要小于二极管VF带来的功率损耗，因此这种电路的效率更高。

＜宣传单＞

＜相关信息＞

特设网页: 实现高速开关和低导通电阻　Super Junction MOSFE