罗姆开发出超低导通电阻的Nch MOSFET,有40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V),这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用,例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。
近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中,中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中,制造商要求进一步降低功耗。另一方面,“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数,但对于普通的MOSFET而言,由于导通电阻与芯片尺寸成反比,Qgd会成比例增加,因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题,ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施,改善了两者之间的权衡关系。
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron)*2,相比以往产品,导通电阻降低了50%。另外,通过改进栅极结构,Qgd*3(栅-漏电荷,通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了约40%(Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较)。这可以降低开关损耗和导通损耗,非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如,当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时,新产品在稳态工作时的输出电流范围内,实现了业界超高的电源效率(峰值时高达约95%)。
未来,ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET,通过助力各种设备降低功耗和更加节能,为环境保护等社会问题贡献力量。
<产品阵容>
RS6G120BG
RS6G100BG
RS6L120BG
RS6L090BG
RS6N120BH
RS6P100BH
RS6P060BH
RS6R060BH
RS6R035BH
RH6G040BG
RH6L040BG
RH6P040BH
RH6R025BH
<应用示例>
◇通信基站和服务器用的电源
◇工业和消费电子产品用的电机
<术语解说>
*1)Nch MOSFET
通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。
与Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性,因而目前在市场上更受欢迎。
*2)导通电阻(Ron)
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小,导通时的功率损耗越少。
*3)Qgd(栅-漏电荷)
MOSFET开始导通后,栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小,开关速度越快,开关时的损耗(功率损耗)越小。
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TL431ACLPR | Texas Instruments | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
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