ROHM罗姆6月研讨会| 报名开启

发布时间：2024-06-06 13:04
作者：AMEYA360
来源：罗姆
阅读量：598

　　电阻器是ROHM的创业产品，ROHM在电阻器产品开发方面始终走在行业前列。电流检测用分流电阻器主要用于电机驱动电路、电源的过电流保护以及电池剩余电量检测，目前已被广泛应用于汽车、工业设备、消费电子设备等众多领域。要满足各种应用的节能要求，就需要使用高精度且高可靠性的分流电阻器进行精确的电路控制。

　　此外，随着应用产品的功能改进，电路板上的安装密度越来越高，这就要求分流电阻器体积更小、功率更高。另外，在汽车领域，非常看重在高温环境下也能确保高电流检测精度。此次线上研讨会将围绕分流电阻器的种类和特点、电流检测要点、安装注意事项等进行详细剖析介绍，同时带来罗姆提供的产品阵容和支持资料。

　　扫描下方海报，报名本次研讨会，深入了解分流电阻器实际使用的相关知识，并有机会获得精美礼品!

ROHM罗姆6月研讨会| 报名开启

　　

　　研讨会主题

　　小电阻大奥秘--分流电阻器使用方法之实践篇

　　研讨会提纲

　　1. 分流电阻器的介绍

　　2. 电流检测的要点

　　3. 安装分流电阻器时的注意事项

　　4. 罗姆分流电阻器产品阵容和相关支持资料

　　研讨会讲师

　　ROHM罗姆6月研讨会| 报名开启

　　高金 高级工程师

　　12年FAE经验，资深工程师

　　分流电阻器实践进阶必备

　　*基础知识

　　*ROHM分流电阻器 产品阵容

　　*ROHM 6432尺寸金属板分流电阻器“PMR100”新增3款超低阻值产品!

　　*金属板分流电阻器“PMR100”

　　*电阻器常见问题解答

　　资料下载

　　1)电阻器产品目录

　　2)超低阻值(0.5,1,1.5mΩ)5W大功率 平面贴片型 6432尺寸 分流电阻器

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　　日前，搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁波威睿电动汽车技术有限公司。　　吉利和罗姆自2018年以来持续开展技术交流，并于2021年缔结了以SiC功率器件为核心的战略伙伴关系，合作至今。这次，作为合作成果，上述3种车型的主机逆变器搭载了罗姆的SiC MOSFET。无论哪种车型，以SiC MOSFET为核心的罗姆电源解决方案都将有助于延长车辆续航距离以及提高性能。　　罗姆正在推进SiC器件的开发，计划于2025年推出第5代SiC MOSFET，同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。并且，通过构筑SiC供应体制，实现以裸芯片、分立器件和模块等各种形态供货，从而促进SiC的普及，为实现可持续发展社会做出贡献。　　关于采用了罗姆“EcoSiC™”的极氪车型     极氪的“X”车型虽然是小型SUV，但最大输出功率300kW以上，续航距离400km以上，性价比高，在中国以外的地区也受到关注。另外，小型货车类型的“009”除了智能驾驶舱之外，还搭载了140kWh的大容量电池，最大续航距离达822km。并且，作为旗舰车型的运动旅行车类型的“001”，由于双电动机最大输出达400kW以上，续航距离超580km，拥有4轮独立控制机构等，作为高性能EV被广泛关注。　　关于极氪      极氪是浙江吉利控股集团有限公司旗下高端智能电动品牌，2021年3月，浙江极氪智能科技有限公司成立。极氪是一家以智能化、数字化、数据驱动的智能出行科技公司，秉承用户型企业理念，聚焦智能电动出行前瞻技术的研发，构建科技生态圈与用户生态圈，以“共创极致体验的出行生活”为使命，从产品创新、用户体验创新到商业模式创新，致力于为用户带来极致的出行体验。极氪的诞生区别于传统造车与新势力模式，实现智能纯电的快速进化，开拓纯电发展第三赛道的“极氪模式”。极氪致力于建立新型用户关系，实现与用户共创，根据用户需求与创造力得以持续进化，实现企业与用户平等融合。　　更多信息请访问网站：https://www.zeekrlife.com/　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信器等的众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。欲了解更多信息，请访问罗姆官网(https://www.rohm.com.cn/)　　市场背景与第4代SiC MOSFET     近年来，为了实现“碳中和”和其他减轻环境负荷的目标，就需要进一步普及下一代电动汽车(xEV)，这就推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的主驱逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对SiC功率元器件寄予厚望。　　罗姆于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来，作为SiC元器件领域的领军企业，一直在推动先进产品的技术开发。目前，罗姆将这些SiC元器件命名为“EcoSiC™”品牌，并正在不断扩展其产品群。目前不仅可提供裸芯片，还可提供分立封装和模块等多种形态产品。欲了解更多信息，请访问罗姆官网上的SiC介绍页面(https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices)。　　关于罗姆的EcoSiC™      EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　支持信息     罗姆拥有在公司内部进行电机测试的设备，可在应用层面提供强力支持。此外，为了加快第4代SiC MOSFET的评估和应用普及，罗姆官网上还提供各种支持资源。通过下面的链接，可以查看SPICE模型等各种设计模型、主要应用的仿真电路(ROHM Solution Simulator)和评估板(Evaluation Board)等信息。　　https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet#supportInfo
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　　根据日本本土的市场数据，在碳化硅半导体市场，罗姆日本市场占有率第一，全球第五。同时在碳化硅晶圆制造技术方面也处于世界领先地位。2024年，罗姆在宫崎县国富町建立全新的碳化硅工厂，在碳化硅领域的战略目标也逐渐清晰。　　罗姆从出光兴业的子公司手里，收购了其国富工厂，投资3000亿日元展开了150mm-200mm碳化硅晶圆的生产制造。而罗姆为了实现碳化硅半导体的增产计划，从2021年到2027年的7年间，将会投资5100亿日元。　　预计截至2025年，仅在碳化硅半导体的企业销售额，计划增长18%，达到年销售额1300亿日元，剑指世界市场占有率30%。到2027年销售额更计划达到2700亿日元。　　罗姆的底气，来自自身的产品力信心，也来自于日益增长的汽车应用市场及积极拓展该市场带来的订单。　　近年来，新能源汽车持续快速增长，我国2023年产销量分别是958.7万辆和949.5万辆，同比分别增长35.8%和37.9%，已连续九年位居世界第一;新能源市场占有率达到了31.6%，同比增加5.9pct。据预测，中国新能源汽车预计今年有望达到1100万辆，全球在未来5年继续保持15%~30%的增速。　　在全球汽车电动化的浪潮下，行业最关心的课题是续航里程。影响续航里程的因素有很多，包括电池容量、车身重量、电力系统的电能转化效率等。功率半导体是电能转换的核心，SiC作为第三代半导体的代表，其禁带宽度约为Si基材料的3倍，可在200℃以上的温度条件下工作;临界击穿场强约为Si基材料的10倍，耐高压能力强，可在高达3000V电压下工作;热导率约是Si基材料的3倍，散热效果更佳，可简化冷却系统;电子饱和漂移速率约是Si基材料的3倍，工作频率高，驱动功率小，损耗低。　　在新能源汽车中，功率模块已从Si基IGBT为主的时代，开始逐步进入以SiC 功率器件为核心的发展阶段。SiC功率器件主要应用在电机驱动逆变器、电源转换系统(车载DC/DC)、车载充电系统 (OBC)、车载空调系统 (PTC加热器和空压缩机)等方面。　　罗姆(ROHM)自2000年开始一直在推动SiC元器件的基础研究并不断完善工艺，其IDM(垂直统合型生产体系)和品质保证体系，从晶圆到芯片、封装、模组，可满足半导体厂商、模块厂商以及OEM厂商的各种各样的需求。　　罗姆2010年全球量产SiC SBD和MOSFET;2021年发布了第4代的沟槽SiC MOSFET，备有不同RDS(on)的750V和1200V器件。2023年量产8英寸碳化硅衬底，2024年推出全SiC牵引功率模块产品。　　罗姆第4代的SiC MOSFET技术优势：　　1.在改善短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻　　通过进一步改进自有的双沟槽结构，成功地在改善短路耐受时间的前提下，使导通电阻比第3代产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。　　2.通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗　　通过大幅降低栅漏电容(Cgd)，成功地使开关损耗比第3代产品降低约50%。　　3.支持15V栅源驱动电压，应用产品设计更容易　　在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压(Vgs)外，第4代SiC MOSFET还支持处理的15V栅源驱动电压，更容易可与IGBT一起用来设计驱动电路(栅极驱动电路)。
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　　ROHM面向智能手机和小型物联网设备等应用开发出一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”，该产品非常适合在中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。本文将为各位工程师呈现该产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。　　产品特点　　1.超小型WLCSP，有助于设备的小型化　　外形尺寸仅0.88x0.58x0.33(Max)mm　　2.尺寸小且精度高，非常适用于小型设备的感测应用　　实现低失调电压和低噪声：失调电压1mV(Max)，等效输入噪声电压密度12nV/√Hz(TyP)      通过工艺技术和电路设计技术实现更高精度，并通过实测保证实现可安心使用的产品。　　3.配备关断功能，可抑制设备的功耗　　通过使运算放大器仅在感测期间内工作，大幅降低待机电流：待机时的电路电流1.5μA (Max)　　支持信息　　在新产品验证用的仿真模型中，利用ROHM自有的建模技术，忠实地再现了实际IC的电气特性和温度特性，成功地使仿真值与IC实物的值完全一致。　　ROHM提供这种高精度SPICE模型“ROHM Real Model”，通过可靠的验证，可有效防止实际试制后的返工等情况发生，有助于提高应用产品的开发效率，这种SPICE模型可通过ROHM官网获取。　　产品阵容及应用示例　　产品非常适用于电池供电设备中的感测应用　　应用示例：智能手机、IoT设备、可穿戴式设备、小型无人机等
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