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基本新洁能第七代<span style='color:red'>IGBT</span>技术NCE40ER65BP介绍

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基本新洁能第七代IGBT技术NCE40ER65BP介绍

　　产品家族针对不同应用特点发展出很多不同分支，逆导IGBT是-个重要分支。逆导IGBT通过将续流二极管芯片巧妙的集成到IGBT芯片中，来实现器件性能的提升和成本的降低。业界对逆导IGBT较为常见的称呼是REVERSE CONDUCTING IGBT,缩写为RC-IGBT,也有称为SHORT ANODE IGBT,简称SA-IGBT,还有些文献中称逆导IGBT为集电极短路IGBT等，虽然名称略有差异，但都是原理都是基于阳极短路技术。　　本文推荐一款新洁能生产的逆导IGBT NCE40ER65BP,该产品是-款650V、TO-3P封装、100°C下额定电流40A的产品。我们将该产品基本的基本参数与手头常见的相近规格产品做了实测对比,其中50JR22是一款在8本公司生产的逆导IGBT, BT40T60是一款国内厂商的普通IGBT产品，详细数据如下:　　本文介绍的RC-IGBT NCE40ER65BP产品是新洁能采用第七代微沟槽场截止技术设计制造的量产产品之一,该系列产品除采用先进的微沟槽技术大幅提高器件元胞结构密度外,还采用了优化的载流子存储设计、多梯度背面缓冲层设计以及超薄漂移区工艺技术，大幅提升器件电流密度，以650V产品为例，产品电流密度可以提升至550A/CM2以上,可以与国际最先进技术世代产品性能达到相同水平。　　器件的饱和压降和开关损耗大幅度降低，器件折中特性大幅优化, 650V满足中频IGBT饱和压降典型值仅1.35V,达到目前业界最优水平。此外，该系列产品通过引入多梯度背面缓冲层设计,优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。该系列产品全部基于全球最领先的大尺寸IGBT晶圆制造平台生产，实现了卓越器件电气特性与参数高-致性稳定性的全面结合。

关键词：

新洁能,IGBT,NCE40ER65BP

发布时间：2023-03-23 11:03 阅读量：2846 继续阅读>>

瑞萨电子推出新型栅极驱动IC用于驱动EV逆变器的<span style='color:red'>IGBT</span>和SiC MOSFET

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瑞萨电子推出新型栅极驱动IC用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

　　瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。　　栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V的功率器件。此外，全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能，使其成为低成本变频器系统的理想选择。　　RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除适用于牵引逆变器外，该栅极驱动器IC还非常适合采用功率半导体的各类应用，如车载充电器和DC/DC转换器。为助力开发商将产品迅速推向市场，瑞萨推出xEV逆变器套件解决方案，该方案将栅极驱动IC与MCU、IGBT和电源管理IC相结合，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本。　　瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“瑞萨很高兴面向车载应用推出具有高隔离电压和卓越CMTI性能的第二代栅极驱动IC。我们将继续推动针对电动车辆的应用开发，打造能减少电力损失并满足用户系统高水平功能安全性的解决方案。”　　RAJ2930004AGM栅极驱动IC的关键特性　　隔离能力　　耐受隔离电压：3.75kVrms　　CMTI（共模瞬态抗扰度）：150V/ns　　栅极驱动能力　　输出峰值电流：10A　　保护/故障检测功能　　片上有源米勒钳制　　软关断　　过流保护（DESAT保护）　　欠压锁定(UVLO)　　故障反馈　　工作温度范围：-40至125°C（Tj：最高150°C）　　该产品将通过实现高成本效益的逆变器来推动电动汽车采用率的提升，从而最大限度减少对环境的影响。

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瑞萨

发布时间：2023-01-30 13:09 阅读量：1813 继续阅读>>

ROHM开发出内置SiC二极管的<span style='color:red'>IGBT</span>（Hybrid <span style='color:red'>IGBT</span>）“RGWxx65C系列” ——损耗比以往<span style='color:red'>IGBT</span>产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗～

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ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列” ——损耗比以往IGBT产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗～

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车（xEV）中的车载充电器和DC/DC转换器、以及太阳能发电用的功率调节器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。近年来，在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中，电动汽车（xEV）得以日益普及。为了进一步提高系统的效率，对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求，超低损耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和传统的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在经历技术变革。ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案，不仅专注于行业先进的SiC功率元器件，还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。此次，开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗（以下称“开通损耗”*3）。在车载充电器中采用本产品时，与以往IGBT产品相比，损耗可降低67％，与超级结MOSFET （SJ-MOSFET）相比，损耗可降低24％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。新产品已于2021年3月开始出售样品（样品价格：1,200日元/个，不含税），预计将于2021年12月起暂以月产2万个的规模投入量产。另外，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市场。今后，ROHM将继续开发满足各种需求的低损耗功率元器件，同时，提供设计工具以及各种解决方案，通过助力应用系统的节能和小型化为减轻环境负荷贡献力量。＜新产品特点＞●损耗比以往IGBT产品低67％，为普及中的车载电子设备和工业设备提供更高性价比“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管（Si-FRD）的IGBT产品相比，成功地大幅降低了开通损耗，在车载充电器应用中损耗比以往IGBT产品低67％。与通常损耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，损耗也可降低24％。在转换效率方面，新产品可以在更宽的工作频率范围确保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作频率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。●符合AEC-Q101标准，可在恶劣环境下使用新系列产品还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”，即使在车载和工业设备等严苛环境下也可以安心使用。＜Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”产品阵容＞＜应用示例＞・车载充电器・车载DC/DC转换器・太阳能逆变器（功率调节器）・不间断电源装置（UPS）＜术语解说＞*1) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是专门针对分立半导体元器件（晶体管、二极管等）制定的标准。*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）、SJ-MOSFET（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）两者均为通常使用Si衬底生产的功率半导体，它们的器件结构不同。IGBT比其他功率半导体的成本更低，但存在需要续流二极管才能工作（需要双芯片结构才能工作）、关断损耗较大的课题；与IGBT相比，SJ-MOSFET无需续流二极管即可工作（单芯片结构即可工作），而且关断损耗较小，但存在难以应对大功率的问题。作为一项突破，IGBT的续流二极管采用SiC SBD 而非传统的Si-FRD，推出了可以降低损耗的Hybrid IGBT。*3) 开通损耗和关断损耗两者均为晶体管等半导体元件开关时产生的损耗（开关损耗）。开通损耗是在元件ON时产生的损耗，关断损耗是在元件OFF时产生的损耗。理想情况下，这些损耗应该为零，但实际上，由于结构上的缘故，在ON和OFF之间切换时，不可避免地会流过不必要的电流，从而产生损耗，因此对于功率半导体来说，设法减少这些损耗是非常重要的工作。

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RGWxx65C系列

发布时间：2021-07-28 00:00 阅读量：1674 继续阅读>>

ROHM开发出业界顶级高效率与软开关兼备的650V耐压<span style='color:red'>IGBT</span>

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ROHM开发出业界顶级高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT "RGTV/RGW系列"

＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1）和高速开关特性的650V耐压IGBT※2）"RGTV系列（短路耐受能力※3）保持版）"和"RGW系列（高速开关版）"，共21种机型。这些产品非常适用于UPS（不间断电源）、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH（感应加热）等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。此次开发的新系列产品采用薄晶圆技术及ROHM独有结构，在具有权衡关系的低导通损耗和高速开关特性方面，获得了业界顶级的性能。例如，在交错式PFC电路中使用时，与以往产品相比，轻负载时效率提升1.2％，重负载时效率提升0.3％，有助于进一步降低应用的功耗。另外通过元器件内部的优化，实现了顺畅的软开关。与同等效率的普通产品相比，成功减少50%电压过冲※4），从而减少以往需要用来对策的部件数量，可显著减轻设计负担。本系列产品已于2017年10月开始出售样品（样品价格400日元～/个：不含税），并于2017年12月开始暂以月产10万个的规模开始量产。前期工序的生产基地为蓝碧石半导体宫崎株式会社（日本宫崎县），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)（泰国）。＜背景＞近年来，随着IoT进程带来的数据量増加，对数据中心高性能化的要求越来越高。不仅服务器本身，包括进行主体电源稳定供给所不可欠缺的UPS等在内，系统整体的功耗量显著增加，进一步降低功耗已成为重要课题。另外，在使用IGBT的大功率应用中，为确保设备的可靠性，必须对可引发元器件故障或设备误动作的开关时的过冲采取措施，简化需求日益迫切。＜特长＞1．实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能在本新系列产品中，利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15％，另外采用ROHM独创的单元微细化结构，成功实现业界顶级的低导通损耗（VCE(sat)＝1.5V）和高速开关特性（tf=30～40ns）2．实现软开关，减轻设备的设计负担通过元器件内部优化，实现了ON/OFF顺畅切换的软开关。由此，开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50％，可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量。使用IGBT时，应用端不再需要以往需要的过冲对策，有利于减轻设计负担。＜产品阵容＞产品阵容又新增了以"短路耐受能力保持2μs"为特点的RGTV系列和以"高速开关性能"为特点的RGW系列，能够支持更广泛的应用。RGTV系列（短路耐受能力保持版）TO-247NTO-3PFMIGBT单体内置FRDIGBT单体内置FRD30ARGTV60TS65RGTV60TS65DRGTV60TK65RGTV60TK65D50ARGTV00TS65RGTV00TS65DRGTV00TK65RGTV00TK65D80ARGTVX6TS65★ RGTVX6TS65D--★开发中RGW系列（高速开关版）TO-247NTO-3PFMIGBT单体内置FRDIGBT单体内置FRD30ARGW60TS65RGW60TS65DRGW60TK65RGW60TK65D40ARGW80TS65RGW80TS65DRGW80TK65RGW80TK65D50ARGW00TS65RGW00TS65DRGW00TK65RGW00TK65D＜应用＞工业设备（UPS（不间断电源）、焊接机、功率控制板等）、空调、IH（感应加热）　等＜术语解说＞*1) 导通损耗MOSFET和IGBT等晶体管因元器件结构的缘故，在电流流动时发生电压下降。导通损耗是因这种元器件的电压下降而产生的损耗。*2) IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极晶体管）MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性兼备的功率晶体管。*3) 短路耐受能力对引起元器件损坏的短路（电子电路的2点用低阻值的电阻器连接）的耐受能力。*4) 电压过冲开关ON/OFF时产生超出规定电压值的电压。电压值因过冲而暂时超出稳态值，之后返回到接近稳态值。

关键词：

ROHM Semiconductor

发布时间：2018-04-17 00:00 阅读量：2428 继续阅读>>

栅级电阻(Rg)在<span style='color:red'>IGBT</span>驱动电路应用

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栅级电阻(Rg)在IGBT驱动电路应用

针对不同的IGBT特性，选取合适的栅级电阻(Rg)是极其重要的，它不仅影响了IGBT的动态性能，同时也影响系统的成本和可靠性。IGBT驱动器中栅级电阻(Rg)的主要作用在于消除栅级振荡、转移驱动器的功率损耗及调节功率开关器件的通断速度。第一电阻SFP(V)及MM(V)系列具有如下优势，是IGBT驱动电路中栅级电阻的最佳选择。 SFP(V) & MM(V)特性: .AEC-Q200 Compliant .金属薄膜晶圆电阻(MELF Resistor) .耐高压能力优于片式电阻(Surge Proof) .低温漂、低误差值(tolerance) .散热能力佳 .长期操作可靠性佳(Excellent Stability) 产品型号及规格来自台湾的第一电阻电容器股份有限公司(Firstohm)，成立于1969年，专营生产制造电阻器,并成为全球少数有技术能力制造晶圆电阻(MELF Resistor)的厂商，Firstohm针对目前市场客户群使用较多的型号授权Ameya360电子供应平台进行网络销售，点击查看全部料号详情备注 MM102系列可替代Vishay MMU0102 0.2W. MM204系列可替代Vishay MMA0204 0.25W. MM52系列可替代Vishay MMB0207 0.4W. SRM204系列可替代Vishay CMA0204 0.25W. SRM204T系列可替代Vishay CMA0204 0.4W. SRM101T系列可替代Vishay CMB0207 1W. 了解更多产品详情请访问Firstohm官网：www.firstohm.com.tw Ameya360提供FAE在线帮助选型邮箱：service@ameya360.com QQ：2851701840 欢迎咨询

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栅级电阻,IGBT

发布时间：2017-09-04 00:00 阅读量：1700 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor

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