基本<span style='color:red'>新洁能</span>第七代IGBT技术NCE40ER65BP介绍
  产品家族针对不同应用特点发展出很多不同分支,逆导IGBT是-个重要分支。逆导IGBT通过将续流二极管芯片巧妙的集成到IGBT芯片中,来实现器件性能的提升和成本的降低。业界对逆导IGBT较为常见的称呼是REVERSE CONDUCTING IGBT,缩写为RC-IGBT,也有称为SHORT ANODE IGBT,简称SA-IGBT,还有些文献中称逆导IGBT为集电极短路IGBT等,虽然名称略有差异,但都是原理都是基于阳极短路技术。  本文推荐一款新洁能生产的逆导IGBT NCE40ER65BP,该产品是-款650V、TO-3P封装、100°C下额定电流40A的产品。我们将该产品基本的基本参数与手头常见的相近规格产品做了实测对比,其中50JR22是一款在8本公司生产的逆导IGBT, BT40T60是一款国内厂商的普通IGBT产品,详细数据如下:  本文介绍的RC-IGBT NCE40ER65BP产品是新洁能采用第七代微沟槽场截止技术设计制造的量产产品之一,该系列产品除采用先进的微沟槽技术大幅提高器件元胞结构密度外,还采用了优化的载流子存储设计、多梯度背面缓冲层设计以及超薄漂移区工艺技术,大幅提升器件电流密度,以650V产品为例,产品电流密度可以提升至550A/CM2以上,可以与国际最先进技术世代产品性能达到相同水平。  器件的饱和压降和开关损耗大幅度降低,器件折中特性大幅优化, 650V满足中频IGBT饱和压降典型值仅1.35V,达到目前业界最优水平。此外,该系列产品通过引入多梯度背面缓冲层设计,优化了器件的开关特性,为系统设计提供更大的余量。该系列产品全部基于全球最领先的大尺寸IGBT晶圆制造平台生产,实现了卓越器件电气特性与参数高-致性稳定性的全面结合。
发布时间:2023-03-23 11:03 阅读量:2846 继续阅读>>
<span style='color:red'>新洁能</span>自主研发推出了CSP 12V-24V电流能力6A-30A系列产品
  针对高端智能手机&智能穿戴锂电池保护应用,新洁能自主研发推出了CSP 12V-24V电流能力6A-30A系列产品,拥有体积小、散热性好、电性连接寄生参数小等特点,满足常见单节锂电池充放电管理需求。  智能穿戴设备,包括TWS耳机、智能手表/手环、智能眼镜,以及智能服饰、智能配饰,甚至智能鞋垫等。凭借着便携的使用方式,以及数据交互、云端交互等强大的功能,愈发受到市场和消费者的关注。  高端智能手机追求高性能的同时,对轻薄的外形、高颜值也提出了很高要求,对于减薄PCB厚度,减小PCB体积而言,是个巨大的挑战。  电子产品正不断朝着小型化、轻薄化的方向发展。随着柔性PCB的迅猛发展,CSP封装得到了极大的重视。由于省去了传统封装的引线框架、焊线、塑封工序,CSP产品体积小、轻薄,因而在应用中改进了封装电路的回路电感,同时能很好的改善电路的热性能。  单节电池保护电路应用原理图  二、CSP封装简介  CSP全称Chip Scale Package,芯片级封装。整体面积(组装占用印制板的面积)与芯片尺寸相同或比芯片尺寸稍大一些,整体厚度约100-300um,满足良好的机械耐受压力需求。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比相当接近1:1的理想情况,约为普通的BGA的1/3,仅仅相当于TSOP芯片面积的1/6。  产品设计通常依据终端电路板引线和电流能力需求,可定制不同的chip size以及pin脚位置,常见外形有如下两种:  三、选型及特性
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发布时间:2023-03-16 09:56 阅读量:2101 继续阅读>>

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