士兰微推出高集成SoC方案，全面支持PD3.2 AVS协议，助力快充客户快速升级-Ameya360 electronic components purchasing network

士兰微推出高集成SoC方案，全面支持PD3.2 AVS协议，助力快充客户快速升级

Release time：2025-11-10

author：AMEYA360

source：士兰微

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　　摘要

　　快充行业迎来新一波技术迭代，士兰微电子多款高集成SoC方案全面支持PD3.2 AVS协议，为移动电源、旅行充电器和电动工具等设备带来高效、安全、便捷的快充体验。

　　01 技术前瞻

　　近日，苹果正式发布iPhone 17系列，宣布全系支持基于USB PD 3.2 SPR AVS协议的全新40W动态快充，可实现“约20分钟充至50%”的极速体验。这一变化不仅带动了官方配件升级，也极大推动了第三方快充配件市场的技术演进。

　　作为国内领先的集成电路IDM企业，士兰微电子早已布局多协议快充领域，其推出的SD59D24与SD59D25系列高集成快充SoC芯片，兼容支持PD 3.2 AVS、PPS、UFCS等多种主流快充协议，可为不同功率、不同应用场景提供完整解决方案，助力客户迅速响应市场变化，抢占先机。

士兰微推出高集成SoC方案，全面支持PD3.2 AVS协议，助力快充客户快速升级

　　02 多口大功率移动电源的理想选择

　　针对多设备用户和高端移动电源市场，士兰微推出多款支持多口输出、智能功率分配的快充控制芯片：

　　SD59D24B：集成4路USB端口(最多AACC配置)，兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，SFCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4等快充协议;内置8路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度CCCV控制单元，实现锂电池充放电管理。

　　SD59D24C：同样支持4路USB端口，侧重双C口配置，集成4路PWM驱动和高精度ADC，适用于追求C口普及的快充移动电源方案。兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，SFCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4等快充协议;内置4路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度ADC，实现锂电池充放电管理。

士兰微推出高集成SoC方案，全面支持PD3.2 AVS协议，助力快充客户快速升级

　　SD59D25 / SD59D25A：均集成3路USB接口，支持双C口配置，兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4，UFCS等快充协议;内置4路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度ADC，实现锂电池充放电管理。

　　03 突破性二合一解决方案：旅行充电器+移动电源

　　SD59D25AC是一款创新型的二合一控制芯片，既可作为移动电源使用，也可切换为旅行充电器模式。支持PD3.2.SPR AVS、UFCS等最新协议，内置TL431和光耦控制接口，可直接控制AC-DC电源模块，实现充电器模式的恒压恒流输出。

　　该芯片极大提升了产品集成度，减少外围元件，加速产品开发周期，是兼具便携性与多功能性的理想选择。

士兰微推出高集成SoC方案，全面支持PD3.2 AVS协议，助力快充客户快速升级

　　04 140W大功率移动电源&电动工具快充方案

　　针对高端用户和大功率应用，士兰微也提供了专业的解决方案：

　　SD59D25H：支持140W输出功率，支持PD3.2.EPR AVS、UFCS等最新协议，集成3路USB接口，支持数字通信和负载控制，适用于大功率移动电源、户外电源等高端应用场景。

士兰微推出高集成SoC方案，全面支持PD3.2 AVS协议，助力快充客户快速升级

　　SD59D25S：专注于单口大功140W快充，支持PD3.2.EPR AVS、UFCS等最新协议，适用于电动工具、高端单口充电设备等对体积和功率密度有较高要求的领域。

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行业新闻

士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工

　　2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东，副董事长、总裁郑少波，副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞，中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂，共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。　　此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。　　同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币，两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设，将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。　　士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。　　公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调，8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设，是士兰发展历程中的重大里程碑，将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。　　公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果，并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心，全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示，面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇，士兰愿与客户携手共创解决方案，推动产业高效、智能、绿色发展。　　中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示，士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业，此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工，是士兰微电子发展史上的重要里程碑，士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。　　活动期间，与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场，并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。　　此次双线并举，是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局，也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。

2026-01-05 16:05 reading：451

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