NOR Flash

发布时间：2022-09-14 13:26
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2181

　　NOR FLASH是INTEL在1988年推出的一款商业性闪存芯片，它需要很长的时间进行抹写，大半生它能够提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，而且它可以忍受一万次到一百万次抹写循环，是早期的可移除式闪存储媒体的基础。

NOR Flash

性能比较

　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

　　l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。

　　2、 NAND的写入速度比NOR快很多。

　　3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

　　4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。

　　5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

　　此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。


闪存技术

　　是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

　　NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。——《ARM嵌入式Linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 API Key


软件支持

　　当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

　　在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD(Memory Technology Devices)。

　　使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

　　驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。


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关于NOR Flash的介绍

　　相对于硬件工程师和嵌入式软件工程师一般在完成设计之后常常需要验证FLASH是否在工作。在应用当中，也有很多时候需要对FLASH进行写操作。今天Ameya360电子元器件采购网给大家简单介绍了基于ARM芯片的NOR FLASH烧写，并提供了2个具体的实例和源代码，希望对有需要的朋友有点帮助。在开始之前，先声明一下，这篇文章只是介绍了如何写 NOR FLASH 的烧写驱动，和H-JTAG/H-FLASHER没有直接的联系。　　在后面的介绍里，如无特别说明，处理器指的是 ARM 处理器，FLASH 指的都是 NOR FLASH。另外，BYTE 指的是8-BIT的数据单元，HALF-WORD代表的是16-BIT的数据单元，而WORD 则代表了32-BIT的数据单元。　　1. NOR FLASH 的简单介绍　　NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH支持Execute ON Chip，即程序可以直接在FLASH片内执行。这点和NAND FLASH不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质。　　NOR FLASH的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。从支持的最小访问单元来看，NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然，也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式，具体的工作模式通过特定的管脚进行选择) 。       对8位的 NOR FLASH芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片来说，一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据。例如一块8-BIT的NOR FLASH，假设容量为4个 BYTE。那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号，A1-A0。地址0x0对应第0个 BYTE，地址0x1对应于第1BYTE，地址0x2对应于第2个 BYTE，而地址0x3则对应于第3 个BYTE对16位的 NOR FLASH芯片，或是工作在16-BIT模式的芯片来说，一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据。       例如，一块16-BIT的 NOR FLASH，假设其容量为4个BYTE。那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0。地址 0x0对应于芯片内部的第0个 HALF-WORD，地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD。 FLASH一般都分为很多个SECTOR，每个SECTOR包括一定数量的存储单元。对有些大容量的FLASH，还分为不同的BANK，每个BANK包括一定数目的SECTOR。FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR，BANK或是整片FLASH为单位的。　　在对FLASH进行写操作的时候，每个BIT可以通过编程由1变为0，但不可以有0修改为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH的一个SECTOR，一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF。这样，写操作就可以正确完成了。　　2. ARM 处理器的寻址　　ARM 可以说是目前最流行的32位嵌入式处理器。在这里只提一下 ARM 处理器的寻址，为后面做个铺垫。从处理器的角度来看，系统中每个地址对应的是一个BYTE的数据单元。这和很多别的处理器都是一样的。　　3. 处理器和 NOR FLASH 的硬件连接　　从前面的介绍，我们知道从处理器的角度来看，每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元。而，NOR FLASH 的每个地址有可能对应的是一个BYTE的数据单元，也有可能对应的是一个HALF-WORD的数据单元。所以在硬件设计中，连接ARM处理器和 NOR FLASH时，必须根据实际情况对地址信号做特别的处理。　　如果ARM处理器外部扩展的是8-BIT的NOR FLASH， 数据线和地址线的连接应该如图1所示。 从图中我们可以看到，处理器的数据信号D0-D7和 FLASH的数据信号D0-D7是一一对应连接的，处理器的地址信号A0-An和NOR FLASH的地址信号A0-An 也是一一对应连接的。
2022-09-14 13:31 阅读量：2497
NOR FLASH需求爆增,Q4继续涨15%,GD半年多赚一倍
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NOR FLASH需求爆增,Q4继续涨15%,GD半年多赚一倍

由于美光、赛普拉斯淡出NOR Flash，专注高容量的车用和工规领域，旺宏、华邦电和晶豪科到年底的订单已全数被抢购一空，明年即使增加产能，仍将供不应求。其中，华邦电产能几乎被苹果抢购一空，并优先供应三星等一线手机厂商，供应链传出，NOR Flash第四季度合约价再度调涨15%，这是继第三季度调涨10%~20%后，价格再向上推升，成为下半年涨势最凶猛的内存产品。 新应用成长惊人，NOR FLASH需求爆增 受智能手机导入AMOLED面板、触控IC及驱动IC整合单芯片及物联网三大新应用，带动NOR Flash强劲需求，加上美系二大供货商淡出市场的影响显现，NOR Flash第4季报价将再调涨15%%，涨幅与本季相近，凸显NOR型内存供货短缺。这些新应用领域，每个都以上亿颗起跳，都让这项内存元件身价看涨。   因苹果新手机将导入OLED面板，得搭载NOR芯片维持手机色彩饱和，预料明年三款手机会全数导入，加上非苹果也跟进，推估NOR内存芯片是上亿颗起跳，这也是目前旺宏、华邦电、晶豪科和兆易创新、武汉新芯、长江存储和力晶等看到这波商机，急着增产的关键，不过从增产的幅度来看，到明年难仍填补美系二大厂淡出的缺口。 华邦电是NOR Flash主要供货商之一，去年单月出货超过2亿颗。华邦电董事长焦佑钧曾形容，这项元件虽然单价低，但就像米和饭一样，缺米就不能煮饭吃，是电子产品不可或缺的元件，其重要性由此可见。   据悉，兆易创新（GD）今年上半年针对物联网（IoT）市场，推出了超低功耗的NOR Flash产品；适用性广泛的1.65V~3.6V宽电源电压NOR Flash产品实现量产；适用车载和高性能市场，支持DDR接口的高速度传输速率NOR Flash研发成功并量产；同时增加对高容量产品的研发，自研的SLCNAND Flash实现量产。 MCU、NOR缺货危机，GD半年大赚一倍 日前，兆易创新发布2017上半年财报显示，上半年实现营业收入9.39亿元，同比增长43.29%；归属于上市公司股东的净利润1.79亿元，同比增99.59%，半导体及元件行业平均净利润增长率为26.22%。 报告期内，兆易创新持续推进先进工艺技术，NOR Flash稳步推进45nmNOR Flash产品研发，保持在NOR Flash技术的业界领先，为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备；NAND Flash在原来量产产品的基础上，调试优化24nm技术产品并取得显著进展，为后续推出高容量和特性丰富的NAND产品线做好技术储备。 在MCU产品系列方面，兆易创新持续打造MCU产品线的竞争力，加大扩展市场占用率，并加强产品在各个阶层应用的覆盖率。上半年，兆易创新陆续推出基于168MHzCortex-M4内核的GD32F403系列高性能基本型微控制器新品，以均衡的系统资源和外设配置为高级运算需求提供了高性价比之选；推出主频108MHz的GD32F330/350多个系列超值型微控制器新品；推出指纹识别FPR系列专用MCU，可为指纹识别系统提供安全高速又极具成本优势的硬件开发平台。 中报指出，兆易创新在上半年加大研发投入，丰富上述产品线，适应市场应用需求的同时，也在优化供应链管理，积极应对产能紧张。今年上半年，全球半导体产业供应链产能偏紧张，而需求增加明显，市场出现供不应求。兆易创新凭借与外协厂商多年积累的良好协作关系，优化供应链管理，调配各供应商产能，同时强化供应链各环节的产销衔接，针对新产品、新应用开发、新技术和新流程，降低成本，提高良率，维持稳定供货。 中报披露，兆易创新的运营管理坚持市场化和国际化路线，产品研发、运营和销售区域直接面向全球，客户包括Intel、三星、佳能等国际一线厂商，对业务拓展提供了良好的前景。同时运营坚持市场化方向，产品以客户为导向，紧紧围绕客户现在和未来潜在需求定义开发产品及运营。 目前兆易创新是中国大陆领先的闪存芯片设计企业。根据中国半导体行业协会数据，自2012年以来，兆易创新为中国大陆地区最大的代码型闪存芯片本土设计企业，也是最大的串行NOR Flash设计企业；根据TrendForce数据，2016年兆易创新NOR Flash全球营业收入市占率7%，排名全球第5。
2017-08-29 00:00 阅读量：1444
手机没它出不了货,工厂产能全部卖光,NOR Flash又炸了
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手机没它出不了货,工厂产能全部卖光,NOR Flash又炸了

　　存储器超级周期太可怕，台湾两大存储器制造商旺宏、华邦电公布最新营收情况显示，编码型闪存NOR Flash需求一个季度比一个季度更强。供应链消息称，旺宏董事长吴敏求表示，市场很多人还没弄清楚目前NOR产业整个结构状况，正马不停蹄出差和客户接洽；华邦指出，工厂NOR Flash出货已被手机大厂提前包下，没有它手机就出不了货，等于下半年产能已全部卖光…　　全球NOR Flash厂商主要包括有美光、赛普拉斯、旺宏、华邦电、兆易创新、晶豪科技等，受到智能手机AMOLED的新增需求、触控IC以及驱动IC整合单芯片带动的NOR Flash需求的影响，再加上全球NOR Flash的每月投片仅约8.8万片，高度客制化与产能不易扩张，供不应求的格局将持续，第三季NOR Flash价格将上涨两成。　　工厂产能全部卖光，NOR Flash又炸了　　美光Micron　　三星电子在2010年一纸公告全部退出NOR，当时客户转单美光，引发缺货潮；时隔六年，同样的动作在2016年出现，美光去年第四季度淘汰中低容量NOR芯片产能让位3D NAND，将仅保留高容NOR，客户转单旺宏、华邦电，引发涨价潮。　　此前，美光2016年市占率18%左右，目前已经停产其生产NOR的8寸产线，对应月产能2万片/月，预计其另一条月产能1.2万片/月，生产汽车和工控产品的12寸线也有可能在未来几年退出。据悉，美光市场占比快速下滑，中低容NOR供给缺口在10-20%之间，部分产品缺货严重，调涨幅已经超过两成。　　为腾空工厂生产3D NAND和DRAM先进工艺，美光正卖出NOR制造设备，但是预计如果是新的进入者接手设备，预计需要4年以上时间大规模达产，如果是市场传统玩家，也需要1年半以上时间。　　赛普拉斯CYPRESS　　20170717-NOR-4　　前不久，CYPRESS也宣布持续退出中低容量的NOR，转而专注汽车与工控领域。　　在2017年CYPRESS分析师见面会上，CEO Hassane El-Khoury声明公司NOR的目标是维持毛利率在50%，而传统应用毛利率普遍在25%左右，因此公司将会专注于汽车与工控等高端市场。CYPRESS此前已经退出部分传统市场，对应8000万美元的市场规模，预计未来2-4年将会将其产能减少至50%以下。　　CYPRESS的NOR Flash主要是旗下飞索（Spansion）生产，根据TrendForce报告显示，2016年CYPRESS市占率25%位居第一。在2017年第一季度，CYPRESS出售主要NOR制造工厂美国明尼苏达布卢明顿（Bloomington）晶圆厂，随后突然发布通知对代理商进行调整，同时对NOR报价作废，导致供应链大洗牌。CYPRESS因很多NOR芯片是自用作为嵌入式多芯片封装（eMCP）存储，主要导入车用，外卖有限，产能直接紧缩。　　旺宏　　由于欧美客户转单效应，位于台湾的旺宏是目前全球第一大NOR制造商，市占率超过24%，主要供给16Mb、32Mb、64Mb等中端产品，工艺为65/90nm为主，是CYPRESS、美光退出市场的最大受益业者，第二季度合约价格上涨20%，产能已排单到年底了，营收创11个月来新高。　　旺宏主要产能集中在台湾工厂，手中的库存已经全部卖光，目前正在扩充产能补充供给，已将原本在12寸生产的大部分NOR Flash移至8寸厂生产，且制程推进到75纳米，12寸厂则生产更具竞争力的55纳米制程NOR芯片，12寸加上8寸整体月产能可增4000片，第三季度NOR Flash产能逐步提升，一颗单价约为0.2-0.5美元。　　旺宏董事长吴敏求日前称，市场很多人还没弄清楚目前NOR产业整个结构状况，正在马不停蹄出差和客户接洽，并表示，这一波NOR缺货行情将持续两年时间。此外，旺宏和鸿海已经结盟，一方面保障NOR供应，另一方面向东芝发起专利战。　　华邦电　　20170717-NOR-2　　三星、苹果等系统大厂扩大采购情况下，华邦电下半年NOR Flash产出已经被客户提前包下，等于下半年产能已全部卖光。今年已经全面扩建生产线，计划从现有的44K投片提升至年底的50K，新增的皆为NOR Flash产品，由于价格相比实惠，台湾中科厂已经与苹果、任天堂、大陆一线手机厂商签署包产协议，争夺大客户。　　NOR Flash除苹果Macbook采用，外传苹果新一代iPhone 8搭载三星5.8寸AMOLED面板，需要外挂NOR Flash来存储状态跟补偿AMOLED面板的电流及亮度，华邦电是三星NOR Flash独家供货商。同时，包括华为、OPPO、Vivo等大陆手机厂下半年推出多款搭载TDDI的智能手机，没有NOR Flash手机厂商无法出货。　　董事长焦佑钧表示，截至目前，华邦电NOR占有率达33%，46/58nm制程最先进，现在每月出货量超过2亿颗，客户都在排队等产能，价格也看到上涨趋势，预计缺货情况会持续到明年中。　　兆易创新　　20170717-NOR-6　　兆易创新是国内NOR Flash龙头企业，市场占有量稳步上升，国内竞争对手为宜扬科技。该公司NOR产品最大容量为256至512M，工艺节点最高为65nm，主要由武汉新芯、中芯国际代工，主要是低价串行NOR产品。　　受益于美光、赛普拉斯让出市场，兆易创新市场成功登陆资本市场筹1.6亿元投资NOR，占有率今年有望达到16%，跃升为第一梯队。项目规划为90nm、65nm、45nm工艺，并降低大容量NOR成本，提高产品竞争力。不过，由于兆易创新属于FABLESS，今年以来硅晶圆价格续涨，正联手武汉新芯、华力微、中芯国际增产，在产能和技术上追赶华邦电、旺宏，恐怕对营收贡献有限。　　武汉新芯NOR芯片产能大概每月1万片，工艺平台主要生产130nm到65nm中低端NOR芯片。华力微项目隶属于华虹集团，一期项目产能达到3.5万片，包括55nmeFlash、65nm NOR Flash等。　　其它　　台湾存储器代工厂力晶科技宣布，由于国际大厂美光、赛普拉斯相继停产导致NOR Flash供不应求，力晶决定响应客户强劲需求，重启台湾NOR Flash生产线。力晶会逐步将LCD驱动IC转移至合肥厂生产，空余产能生产NOR，最高产能高达2.4万片/月(12寸)。此外，晶豪科技NOR产能有限，占据公司营收仅仅一成。随着欧美、日本、韩国晶圆代工业者也相继放弃NOR产品，转单其它逻辑器件，未来NOR产能将向旺宏、华邦电、兆易创新等大厂集中。　　NOR芯片需求旺盛，手机没它就出不了货　　需求面来看，由于AMOLED、TDDI与IOT三大产品对于NOR Flash产品需求属新兴领域，加上原有NOR Flash基本盘市场未减，今年来看短期供需失衡难解，缺口有望维持至19年。20170717-NOR-1　　功能机　　一方面是NAND由于更高的性价比在智能机领域替代NOR，另一方面是功能机出货持续下滑。但目前情况是NAND替换已经完成，在智能机应用稳定在ISP、TDDI、AMOLED等领域以及低端功能机，而功能机领域还有较大市场且增速的下滑也已经趋于平缓。根据Gartner，2016年功能机出货3.96亿部，同比增速-5.71%，远小于过去几年两位数以上的衰退，其背后原因是由于收入结构与人口结构等因素影响，仍有较多地区以功能机为主，根据PEW研究，东南亚、印度、非洲与日本(由于人口老龄化影响)智能手机普及率仅有20%、17%、10%与39%(全球平均水平是43%)。功能机仍有3亿部左右的筑底市场存在，对应25%的下降空间，预计未来几年功能机下滑速度持续在10%以内。　　车用电子　　传统功能机市场下滑明显趋缓的同时，工控与汽车等新应用在强势崛起。华邦电汽车和工用占比从2012年2%迅速提升至2016年18%。而旺宏汽车和工控占比也从09年的不到3%一路提升至16年的20%，复合增长率达39.08%。而根据CYPRESS，专用于ADAS系统NOR市场也预计将从2016年的0.28亿美元增长至2021年的1.21亿美元，对应复合增长率28%。　　AMOLED　　由于AMOLED面板技术门槛较高，批次产出的良率可能出现不一致的状况，面板厂多半会另外透过De-Mura功能来维持同一批次产出面板的显示质量一致性。但De-mura编码目前无法整合进入以高压制程生产的驱动IC当中，必须要另行外挂一颗NOR Flash来储存De-Mura功能所需的编码。因此当AMOLED面板需求大增，NOR Flash的需求势必将同步跃升。　　TDDI　　发展已有一段时间的TDDI IC，在将触控功能整合进入驱动IC的同时，也受制于触控功能分位编码所需容量较大，无法一并整合进入TDDI IC当中，而须另外外挂一颗NOR Flash作为储存触控功能所需的分位编码。在大部分的TDDI IC方案已于去年下半年陆续到位下，TrendForce预期，今年搭配TDDI IC的In Cell面板出货将大幅提升，渗透率将由2016年的5%持续提升至2017年的10%，同步推升对NOR Flash的需求。目前，国内手机全部上18：9全面屏幕，有望都将集成TDDI驱动芯片，敦泰TDDI IC订单爆满。　　eFlash　　赛普拉斯转向eFlash（嵌入式NOR）是趋势，但由于面积和成本，以及高低压制程不兼容(eFlash运行在12V，而驱动IC运行在28V)，以及物联网市场是否买账等因素制约，未来增长空间难以确定。　　结论：缺口大，逐季涨　　在传统应用下滑趋势减缓，物联网、汽车、工控、AMOLED与TDDI等新应用强势拉动的背景下，而NOR一般是毛利率最低的产品，代工厂一般不会主动加大NOR的产能，另一方面NOR大厂武汉新芯上游硅片受到日系厂商限制，预计今明两年对大陆NOR总供给产生影响，厂商增产计划要到明年下半年才会陆续实现，市场缺口巨大，未来数个季度合约价格将逐步上涨。
2017-07-18 00:00 阅读量：2067
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