冲击加速度传感器,采用MEMS技术与微电子技术成果研制而成,集加速度传感器、信号变换器、电源变换器、信号滤波电路、饱和控制与温度补偿于一体,具有微体积、微功耗、微噪声、高集成、高稳定、高可靠、低温漂、环境适应性强等特点。
冲击加速度传感器的结构形式多,常见的有柱式、膜片式结构,图中是我们采用的周边圆支圆形规膜片结构,中心带敏感质量块。靠近圆膜片边缘应变最大的位置,用扩散参杂法沿径向110和切向110晶向扩散四个阻值相等的电阻条,经蒸渡铝电极链接4个性能一致的电阻构成惠斯顿电桥。
适用于最大量程达100000g 的冲击加速度参数测量与控制。
量程 ±100000g
频率响应 0.1~10000Hz
输出信号 0.15 ±50mv~4800mv(可变) 测量线性度、重复性及迟滞性
均优于1% 供电电压 ±15±0.5V 功耗
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MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
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ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
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TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
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BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
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