瞬态电压抑制二极管是一种电子器件,用于限制和抑制电路中的瞬态过电压。在电路中,当遭受雷击、电感耦合、开关电源开关过程等突然出现的瞬态电压时,TVS二极管会迅速启动,并在极短的时间内提供一个低电阻通路,将过电压功率消耗掉或将其引流到地。
瞬态电压抑制二极管主要由PN结构组成,其中包括正向工作区和反向截止区。正向工作区具有较低的电阻,在正向电压下表现出类似普通二极管的导通特性;而反向截止区则具有较高的电阻,只在达到额定电压时才会导通。
瞬态电压抑制二极管的工作原理基于击穿效应。当电路中出现过电压时,TVS二极管的反向截止区会迅速击穿,形成一个低电阻的通路。这使得过电压能量被吸收,并将其引流到地,保护其他电子元件免受损害。
在正常工作条件下,TVS二极管处于反向截止状态,几乎不消耗功率。然而,当遭受瞬态过电压时,其特性会迅速切换到导通状态,并能够在纳秒级别响应时间内吸收大量的过电压能量。这种快速响应和高能量吸收的能力使得TVS二极管成为抑制瞬态过电压的理想选择。
瞬态电压抑制二极管的性能由一系列规格参数来描述。以下是一些常见的规格参数:
峰值脉冲功率(Peak Pulse Power): TVS二极管能够吸收的过电压脉冲的最大功率。较高的峰值脉冲功率表示其能够处理更强的过电压冲击。
额定工作电压(Rated Standoff Voltage): TVS二极管可以承受的最大反向电压。应根据实际需求选择适当的额定工作电压。
响应时间(Response Time): 从TVS二极管开始导通到吸收过电压能量所需的时间。较低的响应时间表示其对瞬态过电压的抑制能力更强。
最大工作温度(Maximum Operating Temperature): TVS二极管能够正常工作的最高环境温度。超出该温度范围可能导致TVS二极管性能下降或损坏。
静态电流(Static Leakage Current): 在额定工作电压下,TVS二极管的反向漏电流。较低的静态电流表示其在正常工作条件下的功耗更低。
封装类型(Package Type): TVS二极管可以采用不同的封装形式,如表面贴装(SMD)和插件(Through-Hole)等。选择合适的封装类型与PCB布局和应用环境相匹配。
环境标准(Environmental Standards): TVS二极管的设计符合特定的环境标准,如RoHS(无铅)和REACH(化学品注册、评估、许可和限制)。这些标准确保了器件的环境友好性和可持续性。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注