反向二极管是一种特殊设计的二极管,在正压下基本没有导电能力,但在反压下具有特定的击穿场强度(BreakdownVoltage)。与普通二极管只能进行单向导通不同,反向二极管可以实现双向导通。
反向二极管的结构与普通二极管相似,由P型材料和N型材料组成。然而,反向二极管在生产过程中引入了特殊的材料和工艺,在反向电压下表现出与普通二极管完全不同的特性。
在电子产品和电路原理中,反向二极管有多种应用。以下是一些主要功能:
电源稳定压力:反向二极管可用于电源稳定压力电路。通过选择合适的击穿场强度,当电压超过该值时,反向二极管会穿透,从而使电路中的电压保持在相对稳定的水平。这在各种电子产品和电源供应系统中得到了广泛的应用,以确保负载不会受到高电压的损坏。
过压保护:反向二极管也可用于过压保护电路。当电路中出现过压时,反向二极管可以提供合理可靠的导通路径,将过压引导到地面或其他可接受的位置,从而保护其他电子元件免受过压损坏。
信号调整:反向二极管也可用于信号调整和限流应用。反向二极管可以限制电路中的电流或电压,并通过选择合适的击穿场强度和穿透电流来削峰、调整或调整输入信号。这在通信设备、音频放大器和模拟电子电路中起着重要作用。
反向二极管的工作原理基于PN结的穿透效果。当反向电压超过反向二极管的穿透场强度时,PN结会穿透,导致电流迅速增加。在穿透条件下,反向二极管将保持相对较低的电阻,以允许反向电流通过,并将反向电压保持在穿透场强度周围。
一般而言,反向二极管有两种穿透方式:雪崩击穿(AvalancheBreakdown)穿透Zener(ZenerBreakdown)。雪崩击穿(AvalancheBreakdown)这种穿透方式发生在高反向电场下,其特点是穿透电流随着电压的增加而迅速增加。Zener穿透(ZenerBreakdown)它是由特殊材料和工艺制成的反向二极管。当反向电压达到击穿场强度时,会出现非常陡峭的穿透特性,使电流保持在相对固定的值上。
下列步骤可描述反向二极管的工作原理:
在正电压下,反向二极管几乎不导电,PN结构形成正偏压。此时,P区域的空穴和N区域的自由电荷将扩散到PN结的两侧,形成一个耗尽的区域(DepletionRegion),该地区没有可移动载流。
当施加反向电压时,如果电压低于击穿场强度,电流特别小,耗尽区域的总宽度会增加。此时,反向二极管处于正常截止状态。
当反向电压超过穿透场强度时,雪崩穿透或Zener穿透将根据不同的穿透方式出现。穿透时,电流会迅速增加,耗尽区域的总宽度也会减小。
在穿透条件下,反向二极管表现出较低的电阻,使电流能够通过并保持反向电压稳定。
反向二极管的工作原理使其具有稳定可靠的穿透特性,在许多应用中发挥着重要作用。通过选择合适的穿透场强度和穿透电流,可以满足不同电路和系统的需要,从而实现电源稳压、过压保护和信号调整。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注