机构：2024年全球<span style='color:red'>半导体材料</span>市场将同比增11%
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机构：2024年全球半导体材料市场将同比增11%

　　据消息报道，半导体材料市场信息咨询公司TECHCET 预测今年全球半导体材料市场将出现反弹。2023年整体半导体行业环境低迷，同比下降6%后，随着形势转好，2024年预计将增长近7%。　　TECHCET预计半导体材料行业的收入在未来5年期间将持续增长，2028年的年销售额预计将超过880亿美元。　　由于消费者终端产品的需求下降，2023年半导体材料行业面临不稳定，而汽车行业半导体价值含量增加的趋势仍然强劲。TECHCET高级总监 Mike Walden表示：“汽车行业的增长包括扩大SiC和GaN等新材料的集成，以进一步增强功能性。”此外，这一年见证了行业转移资源来解决技术升级问题，这种方法在更广泛的经济放缓时期越来越受欢迎。　　尽管2024年的背景下存在一些持续的经济低迷问题，包括地缘政治紧张局势和通胀压力的不确定性，但普遍的驱动因素正在推动材料行业回到有利的状况。技术开发工作将导致对先进材料和工艺的需求增加，包括CMP 耗材、先进封装材料和清洁化学品等。预计到2025年，在人工智能和不断扩大的5G基础设施的推动下，芯片扩张将蓬勃发展，需求将出现更强劲的增长。
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发布时间：2024-03-25 13:17 阅读量：613 继续阅读>>
什么是宽带隙半导体 宽带隙<span style='color:red'>半导体材料</span>有哪些
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什么是宽带隙半导体 宽带隙半导体材料有哪些

　　宽带隙半导体是一类特殊的半导体材料，拥有较大的能带隙，相对于传统半导体而言，其能带隙范围更加广泛。下面AMEYA360将介绍宽带隙半导体的定义以及常见的宽带隙半导体材料。　　1.什么是宽带隙半导体　　宽带隙半导体是指能带隙较大的半导体材料，其能带隙通常大于2电子伏特(eV)。能带隙是指在半导体中，带电粒子从价带跃迁到导带时所需的最小能量差。宽带隙半导体的能带隙大于传统半导体如硅(Si)和锗(Ge)，使得它们在光电子学、高功率电子器件和高温应用等领域具有独特的优势。　　宽带隙半导体具有以下特点：　　高电子迁移速度： 宽带隙半导体中的载流子迁移速度较高，可以实现高频率的操作，适用于高速电子器件。　　高击穿电场强度： 宽带隙半导体具有高击穿电场强度，能够承受较高的电场，适用于高功率电子器件。　　宽工作温度范围： 宽带隙半导体在高温环境下仍能保持较好的性能，适用于高温应用。　　2.宽带隙半导体材料有哪些　　宽带隙半导体材料有多种选择，常见的宽带隙半导体包括：　　碳化硅(SiC)： 碳化硅是一种流行的宽带隙半导体材料，其能带隙为2.2至3.4 eV。它具有优良的热传导性能和耐高温特性，可应用于高功率电子器件、光电子器件以及高温电子器件等领域。　　氮化镓(GaN)： 氮化镓是另一种常见的宽带隙半导体材料，其能带隙为3.4至3.6 eV。它具有出色的高频性能和高电子迁移速度，广泛应用于射频功率放大器、光电子器件和蓝光LED等领域。　　氮化铟镓(InGaN)： 氮化铟镓是一种宽带隙半导体材料，其能带隙范围从0.7至3.4 eV不等。它在光电子学中具有重要应用，尤其在蓝光和绿光LED以及激光器方面表现出色。　　氮化铝(AlN)： 氮化铝具有宽带隙，其能带隙范围从6至7 eV。它具有良好的热传导性能和高击穿电场强度，适用于高功率和高温电子器件。　　除上述材料外，还有其他宽带隙半导体材料如碳化硼(BN)、碳化氮(CN)等。这些宽带隙半导体材料在不同应用领域具有独特的特性和优势，可以满足各种高性能电子器件的需求。　　宽带隙半导体的发展和应用推动了光电子学、高功率电子器件和高温电子技术的进步。它们在激光器、LED、太阳能电池、功率变换器等领域中发挥着重要作用。例如，在高功率电子器件中，宽带隙半导体可实现更高的工作频率和功率密度，提供更高的效率和可靠性。　　此外，宽带隙半导体材料还被广泛应用于无线通信系统、雷达技术、医疗仪器以及航空航天领域。其在高频率、高温度和高能量密度环境下的稳定性和性能优势使得它们成为许多关键应用的理想选择。　　总结起来，宽带隙半导体是一类具有较大能带隙的特殊半导体材料，拥有优异的高温特性、高频特性和高功率特性。碳化硅、氮化镓、氮化铟镓和氮化铝等宽带隙半导体材料在光电子学和高功率电子器件中具有广泛的应用。随着技术的不断发展，宽带隙半导体将继续推动电子器件的创新和进步，为现代科技领域带来更多可能性。
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发布时间：2023-09-08 10:16 阅读量：2460 继续阅读>>
元器件资讯：镓和锗作为<span style='color:red'>半导体材料</span>有什么用途
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元器件资讯：镓和锗作为半导体材料有什么用途

　　7月3日，根据商务部的最新消息，中国以维护国家安全和利益为目的，经过国务院批准，决定自8月1日起，对镓和锗两种关键金属实行出口管制。这一决定基于《中华人民共和国出口管制法》、《中华人民共和国对外贸易法》和《中华人民共和国海关法》等法律法规的规定。　　众所周知，镓、锗是半导体应用中非常重要的材料。　　镓(Gallium)　　镓(Gallium)是战略性矿产家族成员之一。它是灰蓝色或银白色的金属，原子序数为31，元素符号Ga，原子量69.723。镓的熔点很低，但沸点很高。纯液态镓有显著的过冷的趋势，在空气中易氧化，形成氧化膜。　　镓的原子结构包括31个质子和电子，以及相应数量的中子。在化学反应中，镓原子通常以三价态存在，即失去了三个电子形成Ga3+离子。　　镓的工业用途　　制造半导体氮化镓、砷化镓、磷化镓、锗半导体掺杂元;纯镓及低熔合金可作核反应的热交换介质;高温温度计的填充料;有机反应中作二酯化的催化剂。　　镓的工业应用还很原始，尽管它独特的性能可能会应用于很多方面。液态镓的宽温度范围以及它很低的蒸汽压使它可以用于高温温度计和高温压力计。镓化合物，尤其是砷化镓在电子工业已经引起了越来越多的注意。目前没有能利用的精确的世界镓产量数据，但是临近地区的产量只有20吨/年。　　镓的使用领域　　半导体产业：镓在半导体行业中扮演着重要的角色。它被用于制造高速电子器件、光电器件和太阳能电池。镓基半导体材料，如镓砷化物(GaAs)和氮化镓(GaN)，具有优异的电学性能和高温特性，适用于高频电子器件和高功率电子器件的制造。　　LED照明：镓化合物被广泛用于制造LED(发光二极管)。镓基LED具有高效能、长寿命、节能等优点，在室内和室外照明、电子显示器和汽车照明等领域得到广泛应用。　　合金制备：镓可以与其他金属形成合金，提高其特性和性能。例如，镓合金用于制备低熔点合金，如镓铟合金(常用于温度计)和镓铋合金(常用于火警装置)。　　锗(Germanium)　　锗、锡和铅在元素周期表中是同属一族.　　锗(Germanium)是一种化学元素，元素符号Ge，原子序数32，原子量72.64，在化学元素周期表中位于第4周期、第IVA族。锗单质是一种灰白色准金属，有光泽，质硬，属于碳族，化学性质与同族的锡与硅相近，不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液，溶于王水、浓硝酸或硫酸，具有两性，故溶于熔融的碱、过氧化碱、碱金属硝酸盐或碳酸盐，在空气中较稳定。　　锗的原子结构包括32个质子和电子，以及相应数量的中子。在化学反应中，锗原子通常以四价态存在，即共享或失去了四个电子形成Ge4+离子。　　锗的工业用途　　锗具备多方面的特殊性质，在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用，是一种重要的战略资源。在电子工业中，在合金预处理中，在光学工业上，还可以作为催化剂。　　高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗还原，再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。　　锗单晶可作晶体管，是第一代晶体管材料。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数，对红外线透明，不透过可见光和紫外线，可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。　　20世纪初，锗单质曾用于治疗贫血，之后成为最早应用的半导体元素。单质锗的折射系数很高，只对红外光透明，而对可见光和紫外光不透明，所以红外夜视仪等军用观察仪采用纯锗制作透镜。锗和铌的化合物是超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂，含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能，可作广角照相机和显微镜镜头，三氯化锗还是新型光纤材料添加剂。　　据数据显示，2013年以来光纤通信行业的发展、红外光学在军用、民用领域的应用不断扩大，太阳能电池在空间的使用，地面聚光高效率太阳能电站推广，使得全球对锗的需求量在持续稳定的增长。　　21世纪初期，全球光纤网络市场尤其是北美和日本光纤市场的复苏拉动了光纤市场的快速增长。全球光纤需求年增长率已经超过了20%。　　锗的使用领域　　半导体产业：锗在半导体行业中是一种重要的材料。它被用于制造高速电子器件和光电器件，如高纯度锗晶片用于太阳能电池和红外探测器的制造。　　光纤通信：锗光纤是一种用于光纤通信的重要材料。它具有较高的折射率和透明度，可用于制造高速通信中的光纤和光纤放大器。　　光学应用：由于锗对红外辐射的透过性，它被广泛应用于红外光学系统和红外成像技术。锗透镜和锗窗口用于红外传感器、热成像仪和红外激光系统等领域。　　化学催化剂：锗化合物常用作催化剂，在化学工业中具有重要的应用。锗催化剂可以促进化学反应的进行，并用于生产聚合物、制备有机化合物等。镓和锗作为稀有金属元素，在高科技领域、电子行业、能源产业等方面扮演着重要的角色。随着科技的不断进步，对这两种元素的需求也在不断增长。
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发布时间：2023-07-05 13:12 阅读量：1934 继续阅读>>
<span style='color:red'>半导体材料</span>有哪些分类
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半导体材料有哪些分类

　　随着上世纪九十年代以来，移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网兴起。随之，第二代半导体材料开始崭露头角。今天Ameya360电子元器件采购网将为大家进行介绍！　　第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料。　　这些化合物中，商业半导体器件中用得最多的是砷化镓、磷化铟、磷砷化镓（GaAsP）、砷铝化镓（GaAlAs）和磷镓化铟（InGaP）。其中以砷化镓技术最成熟，应用也最广。　　相对于硅材料，以砷化镓为首的第二代半导体材料在性质上有两大区别：　　① 化合物半导体的电子迁移率较硅半导体快许多，因此适用于高频传输，在无线电通讯，如手机、基地台、无线区域网络、卫星通讯、卫星定位等皆有应用；　　② 化合物半导体具有直接带隙，这是和硅半导体所不具备的。因此化合物半导体可适用发光领域，如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、光接收器（PIN）及太阳能电池等产品。可用于制造超高速集成电路、微波器件、激光器、光电以及抗辐射、耐高温等器件，对国防、航天和高技术研究具有重要意义。　　砷化镓等二代半导体材料适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、GPS导航等领域。但是镓（地壳含量仅0.0015%）、铟（地壳含量仅0.001%）材料资源非常稀缺，导致价格昂贵；同时，砷还有剧毒，会对人体，自然环境，乃至接触的物质产生严重的有害化学反应，在世界上许多国家是被严格限制的 ；这些缺点使得第二代半导体材料的应用具有一定的局限性。　　1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体的第三种特性。
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发布时间：2022-12-09 17:35 阅读量：1995 继续阅读>>
电子元器件为什么都用<span style='color:red'>半导体材料</span>
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电子元器件为什么都用半导体材料

半导体用于集成电路，消费电子，通信系统，光伏发电，照明应用，大功率功率转换和其他领域。半导体是介于导体与绝缘体之间的材料。但半导体有个特性是导体和绝缘体所没有的，那就是可以做成两种不同特性的基片，再把这两种基片结合到一起就可体现绝缘和导体交替的特性，如二极管反向绝缘，正向导电，三极管通过一个控制端可让其导电就导电，让其绝缘就绝缘。半导体的作用是可以通过改变其局部的杂质浓度来形成一些器件结构，这些器件结构对电路具有一定控制作用，比如二极管的单向导电，比如晶体管的放大作用。半导体分类和性能（1）元素半导体。元素半导体是指由单个元素组成的半导体，其中硅和硒的研究相对较早。它是一种具有相同元素半导体特性的固体材料，容易受到痕量杂质和外部条件引起的变化的影响。目前，只有硅和锗具有良好的性能并被广泛使用。硒用于电子照明和光电领域。硅被广泛用于半导体工业中，主要受二氧化硅的影响，可以在器件生产中形成掩模，可以提高半导体器件的稳定性，有利于自动化工业生产。（2）无机复合半导体。无机复合材料主要由单个元素作为半导体材料组成。当然，也存在由多种元素组成的半导体材料。主要的半导体特性是I组和V，VI和VII组。第II组和第IV，V，VI和VII组；III组和V，VI；IV和IV，VI；V和VI; VI和VI组合的化合物，但受元素特性和生产方法的影响，并非所有化合物都能满足半导体材料的要求。该半导体主要用于高速设备。InP制造的晶体管比其他材料快，并且主要用于光电集成电路和抗核辐射设备。对于具有高导电率的材料，它们主要用于LED和其他方面。（3）有机化合物半导体。有机化合物是指分子中含有碳键的化合物。有机化合物和碳键彼此垂直以形成导带。通过化学加成，它可以进入能带，从而产生电导率并形成有机化合物半导体。与以前的半导体相比，该半导体具有低成本，良好的溶解性和易于加工轻质材料的特征。电导率可以通过控制分子来控制，具有广泛的应用范围，主要用于有机薄膜，有机照明等。（4）非晶半导体。它也被称为非晶半导体或玻璃半导体，属于一类半导体材料。像其他非晶材料一样，非晶半导体具有短程有序和长程无序结构。它主要通过改变原子的相对位置并改变原始的周期性排列来形成非晶硅。晶态和非晶态主要与原子排列是否具有长序不同。难以控制非晶半导体的性能。随着技术的发明，非晶半导体开始被使用。该生产工艺简单，主要用于工程领域，对光的吸收效果好，主要用于太阳能电池和液晶显示器。（5）本征半导体。没有杂质和晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低的温度下，半导体的价带已满。在热激发之后，价带中的一些电子将穿过禁带并以更高的能量进入空带。空带中的电子成为导带。没有电子会形成带正电荷的空位，称为空穴。空穴传导不是实际的运动，而是等效的运动。当电子导电时，电荷相等的空穴将沿相反的方向移动。[5]它们在外部电场的作用下产生定向运动，以形成宏观电流，分别称为电子传导和空穴传导。通过电子-空穴对的生成而形成的这种混合电导率称为本征电导率。导带中的电子落入空穴，并且电子-空穴对消失，这称为复合。重组期间释放的能量变为电磁辐射（发光）或晶格热振动能量（加热）。在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡。此时，半导体具有一定的载流子密度并因此具有一定的电阻率。当温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度将增加，并且电阻率将降低。没有晶格缺陷的纯半导体的电阻率相对较大。
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发布时间：2022-01-13 00:00 阅读量：1605 继续阅读>>
电子元器件为什么大部分都用<span style='color:red'>半导体材料</span>
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电子元器件为什么大部分都用半导体材料

半导体用于集成电路，消费电子，通信系统，光伏发电，照明应用，大功率功率转换和其他领域。半导体是介于导体与绝缘体之间的材料。但半导体有个特性是导体和绝缘体所没有的，那就是可以做成两种不同特性的基片，再把这两种基片结合到一起就可体现绝缘和导体交替的特性，如二极管反向绝缘，正向导电，三极管通过一个控制端可让其导电就导电，让其绝缘就绝缘。半导体的作用是可以通过改变其局部的杂质浓度来形成一些器件结构，这些器件结构对电路具有一定控制作用，比如二极管的单向导电，比如晶体管的放大作用。半导体分类和性能（1）元素半导体。元素半导体是指由单个元素组成的半导体，其中硅和硒的研究相对较早。它是一种具有相同元素半导体特性的固体材料，容易受到痕量杂质和外部条件引起的变化的影响。目前，只有硅和锗具有良好的性能并被广泛使用。硒用于电子照明和光电领域。硅被广泛用于半导体工业中，主要受二氧化硅的影响，可以在器件生产中形成掩模，可以提高半导体器件的稳定性，有利于自动化工业生产。（2）无机复合半导体。无机复合材料主要由单个元素作为半导体材料组成。当然，也存在由多种元素组成的半导体材料。主要的半导体特性是I组和V，VI和VII组。第II组和第IV，V，VI和VII组；III组和V，VI；IV和IV，VI；V和VI; VI和VI组合的化合物，但受元素特性和生产方法的影响，并非所有化合物都能满足半导体材料的要求。该半导体主要用于高速设备。InP制造的晶体管比其他材料快，并且主要用于光电集成电路和抗核辐射设备。对于具有高导电率的材料，它们主要用于LED和其他方面。（3）有机化合物半导体。有机化合物是指分子中含有碳键的化合物。有机化合物和碳键彼此垂直以形成导带。通过化学加成，它可以进入能带，从而产生电导率并形成有机化合物半导体。与以前的半导体相比，该半导体具有低成本，良好的溶解性和易于加工轻质材料的特征。电导率可以通过控制分子来控制，具有广泛的应用范围，主要用于有机薄膜，有机照明等。（4）非晶半导体。它也被称为非晶半导体或玻璃半导体，属于一类半导体材料。像其他非晶材料一样，非晶半导体具有短程有序和长程无序结构。它主要通过改变原子的相对位置并改变原始的周期性排列来形成非晶硅。晶态和非晶态主要与原子排列是否具有长序不同。难以控制非晶半导体的性能。随着技术的发明，非晶半导体开始被使用。该生产工艺简单，主要用于工程领域，对光的吸收效果好，主要用于太阳能电池和液晶显示器。（5）本征半导体。没有杂质和晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低的温度下，半导体的价带已满。在热激发之后，价带中的一些电子将穿过禁带并以更高的能量进入空带。空带中的电子成为导带。没有电子会形成带正电荷的空位，称为空穴。空穴传导不是实际的运动，而是等效的运动。当电子导电时，电荷相等的空穴将沿相反的方向移动。[5]它们在外部电场的作用下产生定向运动，以形成宏观电流，分别称为电子传导和空穴传导。通过电子-空穴对的生成而形成的这种混合电导率称为本征电导率。导带中的电子落入空穴，并且电子-空穴对消失，这称为复合。重组期间释放的能量变为电磁辐射（发光）或晶格热振动能量（加热）。在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡。此时，半导体具有一定的载流子密度并因此具有一定的电阻率。当温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度将增加，并且电阻率将降低。没有晶格缺陷的纯半导体的电阻率相对较大。
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发布时间：2021-12-31 00:00 阅读量：2067 继续阅读>>
中国<span style='color:red'>半导体材料</span>大会：<span style='color:red'>半导体材料</span>、碳化硅等十一个项目签约合肥
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中国半导体材料大会：半导体材料、碳化硅等十一个项目签约合肥

　　与非网 9 月 17 日讯，近日，2020 中国半导体材料创新发展大会在合肥市新站高新区召开，开幕式上，合肥半导体材料产业园正式揭牌，会上，合肥晶合集成电路有限公司二期项目、新阳半导体关键材料二期项目、露笑科技第三代半导体(碳化硅)产业园项目等 11 个重点项目签约落户合肥市。　　据介绍，合肥半导体材料产业园总规划面积约 10 平方公里，核心启动区约 3 平方公里，在 2014 年设立的“电子化工集中区”基础上建设，重点聚焦关键电子材料、硅材料、封装材料、耗材及设备维护等板块，计划引入专业运营机构，形成定位清晰、业态丰富、公共配套完善、环境优良的园区格局。　　合肥晶合集成电路有限公司二期项目　　合肥晶合集成电路有限公司是安徽省首个 12 英寸晶圆代工的企业、合肥市首个百亿级集成电路项目，2017 年 12 月 6 日正式量产，今年 7 月产能达到 2.5 万片，月产能再创新高。　　据报道，合肥晶合集成电路有限公司二期项目总投资 180 亿元，合肥晶合集成电路有限公司总经理蔡辉嘉介绍说，这次签约的项目是晶合的第二个工厂，晶合二期项目规划月产能为 4 万片 12 英寸晶圆，主要从事 55 纳米代工制程的量产，同时开展 40 纳米工艺制程的开发。　　露笑科技第三代半导体(碳化硅)产业园项目　　今年 8 月 9 日，露笑科技发布关于与合肥市长丰县签署建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园战略合作框架协议的公告。　　露笑科技将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计 100 亿元。　　据悉，除了上述两大项目之外，此次签约的重点项目还包括新阳半导体关键材料二期项目、高分子材料研发生产项目、半导体显示电子材料生产项目、合盟精密半导体硅材料加工项目、强友 IC 托盘生产制造项目、菲利华 TFT-LCD 及半导体用光掩膜版精加工项目、半导体用高端电子材料产业化项目、硅基氮化镓功率器件产业化项目、以及深紫外 LED 探测器外延芯片生产项目。　　近年来，合肥大力发展集成电路产业。目前，全市集成电路全产业链企业近 300 家，从业人员过万人，已经成为全国少数几个拥有集成电路设计、制造、封装测试及设备材料全产业链的城市之一。下一步，合肥市将研究出台含金量更高的产业人才政策，邀请更多精英加入，共同打造“芯屏器合”“集终生智”的战新产业。
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发布时间：2020-09-18 00:00 阅读量：1683 继续阅读>>
聚焦丨自力更生 韩国在<span style='color:red'>半导体材料</span>逆袭，那日本该何去何从
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聚焦丨自力更生 韩国在半导体材料逆袭，那日本该何去何从

韩国被日本“逼上梁山” 韩日贸易巨额逆差的主要问题是技术差距，韩国半导体和显示器产业规模虽然不断扩大但在关键领域依赖日本，而且多是需要长时间技术积累才能生产的零部件和材料产品。 韩国统计厅 7 日发布的数据显示，今年第一季度韩国进口的日本制造业原材料比例为 15.9%，与 2010 年同期 25.5%的比例相比下降近 10%。 从 2014 年一季度开始，中国超越日本成为韩国制造业原材料最大来源地。今年一季度来自中国的原材料占韩国进口总量的 25.8%，远超第二位日本的 15.9%。 虽然日本原材料总体比例在下降，中国的原材料也在替换，但在一些需要高科技的核心原材料方面，即使日本的价高，韩国也无法找到替代来源。 管控逆袭从支援开始 韩国产业通商资源部基于上月发布的制造业复兴战略，进一步细化了关于材料、零部件、设备产业的投资方向。去年起十年内对半导体材料、零部件、设备研发投入 1 万亿韩元，约合 58 亿元人民币。 至于普通材料、零部件、设备，政府正在对从 2021 年开始的 6 年内投入 5 万亿韩元的方案进行可行性调查。 韩国政府每年将投入 1 万亿韩元，积极推进支柱产业所需材料进口渠道的多边化，提高国内生产竞争力。产业部计划在本月内提出加强国内零部件材料竞争力的具体方案。 去年三星电子 DRAM 的销售额为 437 亿 4700 万美元，市占率为 43.9%；SK 海力士也紧追在后，销售额达 294 亿 900 万美元，市占率为 29.5%。 也就是说，这两家韩国企业在全球 DRAM 市场占有率高达 73.4%。此时 DRAM 榜单中再无日本厂商身影，韩国从日本手中拿过了 DRAM 的交接棒。 1993 年时韩国半导体设备国产比例仅 8%，2007 年提升至 20%，2015 年时已来到约 30%，2017 年达到 33%。 成果明显提升数倍 在 5 月 11 日召开的韩国第二次后疫情产业战略会议上表示：虽然自 2019 年 7 月以来，日本加强管控对韩国出口半导体、显示屏相关的三类材料：氟聚酰亚胺、EYV 光刻胶、高纯度氟化氢”，而韩国不仅完成了实质上的稳定供给，自去年 8 月以来一直致力于强化材料、配件、设备中严重依赖进口的 100 类产品的竞争力，同时把库存水准提升至以往的数倍。 针对日本限制出口的三类产品，韩国不仅代替日本从美国、中国、欧洲采购，且致力于实施吸引外资企业加大对韩投资、扩大韩国企业的生产等措施，从而获得了实质性的成果、实现了稳定的供货。 就半导体生产工艺中用于蚀刻的氟化氢而言，已经有多家韩国企业正在新设或者增设量产工厂、确保产能，以充分满足韩国国内企业的需求。 日本防流失开始拉拢巨头 日本半导体零件、装置等优势企业正在流失，在国内建造最强工厂可以预防并改变这种情况，日本经产省对国内技术空洞化有强烈的危机感。 日本经济产业省正在讨论引进世界大型半导体制造商进驻日本，为了促进本国半导体材料企业的回归，计划启动外资引进项目。 日本经产省正推动引进世界大型半导体企业的生产及研发基地，初步目标是美国英特尔和中国台积电等，采用本土制造商提供的零件和装置，最终促成日本半导体零件及设备制造商的回归。 实施该项目的直接原因是日韩问题，由于日本具有竞争力的材料制造对韩国三星等制造商的依赖已十分明显，而且近年来中国的供应商影响力也很大。 不过早在去年，美国政府就与英特尔和台积电进行接触，希望后者能够把更多规模的晶圆代工工厂放在美国本土，美国将为这些工厂提供更多的税收优惠，但后来台积电没有做出正面回应。 除此之外，美国政府还与英特尔进行了谈判，希望后者在美国建厂造芯片，目前双方还在沟通当中。 看来，日本将要面临的是“外焦里嫩”的窘境，从硬气地管控到如今的顾虑，日本的底气逐渐消散。 结尾： 韩国整体产业政策模式有一个制度背景，就是基本上不鼓励合资政策，其目的就是要防止技术锁定，防止国内企业太依赖于国外的技术。 可以说，韩国半导体逆袭的背后，是市场化力量的成功，也是三星构建以三星为核心、上下游韩国企业共同打造及构建重点扶持、长期计划所得来的成功;在此过程中，三星、政府、高校乃至许多奋斗在一线的工程师、研究员，缺一不可。
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发布时间：2020-05-19 00:00 阅读量：1382 继续阅读>>
因日韩首脑会谈，日韩<span style='color:red'>半导体材料</span>之争暂缓？
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因日韩首脑会谈，日韩半导体材料之争暂缓？

近日，有消息报道称日本放宽了三种半导体材料对韩出口管制，日韩贸易纠纷获奖迎来缓解。这是日本 7 月宣布加强对韩出口管制以来首次调整运用。此举可能是为定于 24 日举行的日韩首脑会谈营造氛围。此前，日本加强了光刻胶、氟化氢以及氟化聚酰亚胺三种产品对韩出口管制。但日本就本次调整运用说明称，关于光刻胶以外的两种材料，或将根据日韩企业间的实际业绩情况决定是否放宽出口管制。公开资料显示，电子级氢氟酸在半导体制造工艺中主要用于清洗、刻蚀等步骤。全球半导体级氢氟酸生产技术主要掌握在日本企业手中，韩国半导体所需电子级氢氟酸从日本进口的比例不低于 50％。如果日韩冲突一直持续存在，且日本长期管制半导体材料出口的话，会给韩国企业带来不少影响。韩国企业一方面需重新选择新的供应商，另一方面其国内自用量将有所提升，对中国及其它国家出口量或将受到影响。  2019 年 7 月初，日韩突然陷入制裁争端，日本宣布限制对韩出口三种关键的半导体材料，分别是电视和手机 OLED 面板上使用的氟聚酰亚胺（Fluorine Polyimide）、半导体制造中的核心材料光刻胶（Photoresist）和高纯度氟化氢（Eatching Gas）。日本方面敢这么做当然是有底气的，基本垄断着全球的氟聚酰亚胺、氟化氢材料市场，分别占全球份额的 90％、70％之多，韩国企业更是严重依赖日本供应，禁售直接带来了毁灭性的打击。据外媒最新报道，日本经济产业省已经部分解除了对韩国出口光刻胶的限制。今后，日本企业可以向 LG、三星、SK 海力士等韩国企业提供最多三年的光刻胶出口合同，而不必每一笔出口都要获得许可。不过，氟聚酰亚胺、高纯度孵化器依然在禁售之列，韩国方面也在想尽办法，争取尽早解除所有限制。今天（24 日），国总统文在寅、日本首相安倍晋三将会进行首脑会谈。
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发布时间：2019-12-24 00:00 阅读量：1840 继续阅读>>
相对乐观 全球<span style='color:red'>半导体材料</span>市场今年仍能增长2%
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相对乐观 全球半导体材料市场今年仍能增长2%

韩媒the elec预测，全球半导体材料市场今（2019）年将增长2％，去年由于上半年存储器行业的繁容，增长了10%。虽然今年半导体材料市场的增长不如去年，但是相比于半导体设备市场同期因设施投资（CAPEX）而下降4%来说，还是比较乐观的。国际半导体设备协会（SEMI）的数据显示，2018年半导体材料市场增长到了490亿美元，与2017年（470亿美元）相比成长了10％。预计今年将增长2％，达到500亿美元。主要归功于已完成投资的半导体工厂开始全面运营，以及由于制程数量增加而导致的材料消耗增多。半导体材料主要用于前端（晶圆制造）和后端（封装），其占比约为6：4。前端材料包括硅晶圆、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助材料、湿化学品、气体、溅射靶材料、化学机械抛光（CMP）浆、研磨垫和一些新材料等。作为三大半导体材料，硅晶圆、光掩膜和气体今年销售额的增长幅度将是最高的，预计分别能达到5800万美元、6500万美元和2000万美元。后端材料包括引线框架和基板、陶瓷封装、封装树脂、键合线和粘合剂。今年，电路板市场销售额预计为6.34亿美元，其2017年的增长率为5％，2018年为3％，今年将下降至1％。从过去三年的半导体材料增长率来看，前端材料远高于后端材料。2016年，前端材料销售额增长了3%，后端材料则下降了4％；2017年前后端分别增长了13％和5％。去年分别增长14%和3%。SEMI分析指出，前端材料的增长归功于各种前端技术的积极使用，如极紫外（EUV）曝光，原子层沉积（ALD）和等离子体化学气相沉积（PECVD）等。另外，未来需要面对的不确定因素包括中美贸易争端、汇率和国际金属的价格变动。作为后端材料之一的焊线在2016年开始取代黄金且被广泛使用，自此以来国际铜价一路飙升。材料的改变会对整装材料的营收产生负面影响。SEMI表示，许多材料供应商都在日本，日本公司占据了半导体材料市场的55％，因此日元下跌也可能会影响整装材料的收入。同时，SEMI预计今年半导体市场增速开始大幅放缓，仅增长2.6％，远低于2017年的22％和2018年的15.9％。然而，预计到2020年，半导体设备市场将强劲反弹20.7％，所有半导体和材料市场也有望以同样的趋势上涨。
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发布时间：2019-01-17 00:00 阅读量：1849 继续阅读>>

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