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士兰微AI服务器电源全链功率<span style='color:red'>半导体</span>解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

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士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

　　4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京举行。大会群英荟萃，来自行业的院士专家、领军企业共聚一堂，聚焦MW级算力系统以及GW级数据中心的核心热点议题，分享交流宝贵经验，共商算力集群部署的关键瓶颈，为AI算力发展贡献一份力量。　　士兰微受邀出席本次峰会，士兰微电子系统应用专家胡豆豆发表以《算力引擎·功率领航 | 士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案》为题的讲演，向与会的专家学者、友商、用户们分享了士兰微AI数据中心供电的全链路功率半导体解决方案。　　针对当前50Vdc母线的AI数据中心的供电架构，士兰微提出了高度匹配的立体化产品矩阵：在前段高压的HVDC部分，士兰微提供业界领先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高压高效转换;在PSU部分，士兰微针对5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料号为SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料号为SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料号为SVGP081R8NL5-3HF)，该方案表现亮眼，已助力服务器电源客户实现97.5%效率，在LV IBC、VRM和热插拔等应用，士兰微推出各电压等级的低压MOSFET、宽SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。　　而随着AI数据中心供电向800Vdc母线演进，针对SST应用、HV IBC应用，士兰微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各电压等级的低压MOSFET。以上覆盖各应用场景的功率器件解决方案构成了“从电网到核心”的完整方案链条，保障数据中心能源供应的高效稳定。　　展望未来，AI日新月异，算力浪潮奔腾不息，士兰微将持续深耕数据中心供电领域，迭代推出更高性能的半导体集成电路产品与解决方案，与行业伙伴携手，共同为下一代算力基础设施提供强劲、高效、可靠的“芯”脏动力。

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士兰微

发布时间：2026-04-30 11:01 阅读量：383 继续阅读>>

新品发布｜类比<span style='color:red'>半导体</span>推出宽带低噪声轨到轨运算放大器OPA825/6/8

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新品发布｜类比半导体推出宽带低噪声轨到轨运算放大器OPA825/6/8

　　类比半导体推出OPA825/6/8系列单通道、双通道及四通道轨到轨宽带低噪声运算放大器，主要用于优化精密信号采集、电流采样检测与传感器信号调理类电路设计。该系列集成轨对轨输入输出架构，典型静态电流仅720μA，兼具11MHz宽带宽与超低噪声特性，1kHz 噪声低至 8nV/√Hz，可高效平衡成本与综合性能。　　此外，OPA825/6/8拥有极低输入偏置电流，能够适配兆欧级高内阻信号源;内置RF/EMI抑制滤波器，支持300pF容性负载单位增益稳定：具备4kV HBM静电防护、过载无相位反转等稳健特性，大幅降低外围设计难度。电气规格上，器件支持宽压工作，常温区间最低1.8V供电，扩展温域可覆盖−40℃~+125℃，满足多工况低压应用需求。　　封装布局丰富齐全，单通道OPA825采用SOT23-5和SC70-5，双通道OPA826采用SOIC-8，MSOP-8和TSSOP-8，四通道OPA828采用SOIC-14和TSSOP-14，硬件适配性强。产品广泛适配多领域场景：　　● HEV/EV 逆变器与电机控制　　● 电池供电类仪器设备　　● 车载充电机(OBC)及无线充电器　　● 高级驾驶辅助系统 ADAS　　● 电机相电流检测　　● 各类传感器信号调理电路　　OPA825/6/8系列产品特性：　　● 单位增益带宽：11MHz Typ　　● 高压摆率：11V/µs Typ　　● 快速建立时间：0.26µs(0.1%)Typ　　● 低输入噪声：1kHz 条件下 8nV/√Hz typ　　● 轨对轨输入输出　　● 内置RF/EMI抑制滤波器　　● 单电源供电：1.8V~5.5V　　● 低静态功耗：单路运放5.5V供电下典型电流720µA　　● 宽温工作范围：−40℃~+125℃　　典型应用电路：　　典型应用：　　电池供电类仪器设备　　OBC与无线充电　　产品选型表

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类比半导体

发布时间：2026-04-30 09:50 阅读量：268 继续阅读>>

海凌科丨碳化硅 VS 氮化镓：第三代<span style='color:red'>半导体</span>的“双雄对决”

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海凌科丨碳化硅 VS 氮化镓：第三代半导体的“双雄对决”

　　以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体，正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率，逐步取代传统硅器件，成为电源系统的“新引擎”。然而，两者虽同属宽禁带半导体，却在材料特性、应用场景和设计难点上各有千秋。更值得关注的是，随着器件性能的提升，设计的难度也在悄然转移——从系统层面，到开关瞬态，再到寄生与细节控制。本文将从四个角度为您科普这场“双雄对决”。　　一、材料特性　　碳化硅和氮化镓的禁带宽度分别是3.3eV和3.4eV，远高于硅的1.1eV，这让它们能承受更高的电压和温度。但在具体性能上，两者侧重点不同。　　碳化硅的“杀手锏”是热导率。 SiC的热导率高达4.9 W/cm·K，是GaN(1.3 W/cm·K)的近4倍，是硅的3倍以上。这意味着SiC器件天生散热能力强，可在高温环境稳定运行，尤其适合1200V以上的高压大功率场景。　　氮化镓的“王牌”是高电子迁移率。 GaN的电子迁移率高达2000 cm²/V·s，是SiC的两倍。这使得GaN器件开关速度极快，频率可达MHz级别，从而大幅缩小变压器、电感等磁性元件的体积，实现更高的功率密度。但它的热导率较低，高功率下需要更精心的散热设计。　　一句话总结：碳化硅是“大力士”，能扛得住高压高温;氮化镓是“短跑冠军”，跑得快、体积小。　　二、应用分野　　基于材料特性，两者的应用场景清晰地区分开来。　　碳化硅的主战场是高压大功率领域。在新能源汽车、光伏逆变器、充电桩、工业电机驱动等场景中，SiC器件凭借耐高压、耐高温的优势，正越来越多地取代传统硅方案。　　氮化镓则在中低压高频领域大显身手。消费类快充充电器是GaN最成熟的应用领域，其高频特性使充电器体积大幅缩小。GaN正向数据中心电源、车载充电器、AI服务器供电等场景渗透，助力实现更高的功率密度。　　可以看出，两者并非“你死我活”的竞争关系，而是在各自擅长的领域并行发展。　　三、设计难点　　从硅到碳化硅，再到氮化镓，器件越先进，设计难点也在“转移”。　　硅器件最成熟，难点在系统层面。硅MOSFET驱动简单、容错性高，设计时主要关注控制环路、热设计等系统问题。挑战在于“把系统做对”，而非压榨器件极限。　　碳化硅的难点转向“开关瞬态”与“保护”。 SiC开关速度快(dv/dt达10~50 V/ns)，易引发EMI和驱动扰动;短路耐受时间短，必须配备快速保护电路(如DESAT);高dv/dt还易导致米勒误导通，通常需要负压关断。　　氮化镓更加“挑剔”，难点集中在寄生与细节。 GaN驱动窗口窄(0~6V)，过压容忍度低;极高的di/dt使PCB布局中的回路电感直接影响开关行为——layout不再是优化，而是功能本身。高频快边沿也让EMI成为设计初期的核心约束。　　总结：硅难点在系统，碳化硅在瞬态与保护，氮化镓在寄生与细节。器件越先进，那些曾被忽略的“小问题”就越容易被放大。　　四、总结　　碳化硅和氮化镓并非谁取代谁的关系，而是共同构成了功率半导体的完整拼图。SiC正向更高耐压、更简拓扑演进;GaN则突破车规认证，向更高电压延伸。两者正在从“材料之争”走向“分工协同”——真正重要的是，根据产品定义选择最合适的器件，并理解其背后的设计逻辑。

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海凌科

发布时间：2026-04-28 10:02 阅读量：316 继续阅读>>

<span style='color:red'>半导体</span>的基础定义及常见类型有哪些？

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半导体的基础定义及常见类型有哪些？

　　半导体是现代电子技术和信息产业的基础材料，广泛应用于各种电子器件和集成电路中。下面就半导体的基础定义及常见类型简单了解一下吧!　　半导体的基础定义　　半导体是一类介于导体与绝缘体之间的材料，其导电性能介于两者之间。常温下，半导体的电导率比导体低，但又比绝缘体高。其导电性能可以通过掺杂不同的杂质元素或施加外部条件(如温度、电压、光照)进行调节。　　本质上，半导体材料具有一定的能带结构，价带和导带之间有带隙。通过外界刺激，电子可以跃迁到导带，使材料表现出导电性。这一独特性质使半导体广泛应用于各种电子元件如二极管、晶体管、光电器件等。　　常见的半导体材料类型　　元素半导体　　这类半导体由单一元素组成，最典型的是硅(Si)和锗(Ge)。　　硅(Si)：目前电子工业中最重要的半导体材料，因其丰富的资源和适合制造高性能器件的特性被广泛应用。　　锗(Ge)：早期电子器件中使用较多，因其高电子迁移率在高速电子器件中有一定优势。　　化合物半导体　　这类半导体由两种或多种元素组成，具有多样化的电子和光学性能，适合特殊器件应用。常见的化合物半导体包括：　　砷化镓(GaAs)：高频和光电子器件常用材料，电子迁移率高，适合高速及微波设备。　　磷化铟(InP)：用于光纤通信器件，具有良好的光电性能。　　氮化镓(GaN)：适用于高功率、高频率器件和发光二极管(LED)。　　有机半导体　　由碳基有机分子或聚合物组成，具有柔性、低成本等特点，主要应用于有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池等领域。　　总结来说，半导体作为现代电子科技的核心材料，因其独特的导电特性和灵活的调控方式而被广泛应用。常见的半导体类型包括元素半导体(如硅、锗)、化合物半导体(如砷化镓、磷化铟、氮化镓)以及新兴的有机半导体。　　仅供参考

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半导体

发布时间：2026-04-15 10:22 阅读量：365 继续阅读>>

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荣耀加冕｜小华半导体HC32F448斩获CITE2026创新奖，国产空调双变频“芯”实力闪耀亮相！

　　近日，第十四届中国电子信息博览会(CITE2026)在深圳盛大启幕。作为全球电子信息产业的年度盛会，本届展会以新技术、新产品、新场景为主题，汇聚行业各路领军企业，集中展示集成电路、新型显示、人工智能等领域前沿成果。　　小华半导体作为中国电子CEC旗下华大半导体核心子公司，重磅亮相由CEC统一搭建的集团联合展台，与集团旗下多家冠军产品企业同台亮相，集中展现国产芯片自主创新的硬核实力。　　本次展会上，小华半导体聚焦家电核心赛道，重点展出空调双变频芯片暨高端工业控制芯片 HC32F448。凭借在空调双电机控制领域的技术突破、高性能提升、优秀品质设计与大规模市场落地，该产品在行业产品参评中脱颖而出，荣获第十四届中国电子信息博览会“创新奖”，成为家电空调变频MCU的标杆之作!　　依托CEC与华大半导体　　筑牢国产MCU创新根基　　小华半导体是世界500强中国电子信息产业集团(CEC)旗下半导体业务平台华大半导体的核心子公司，依托集团全产业链资源与技术积淀，深耕家电、工业、汽车、物联网、数字电源等领域智能控制芯片研发，稳居国产MCU第一梯队。在家电芯片长期依赖进口、可靠性要求近乎严苛的赛道上，小华半导体始终把品质管控作为产品立身之本、市场竞争之基。从研发设计到量产交付，从芯片晶圆到封测出厂，构建全流程、全维度、高标准的品质管控体系，让每一颗出厂的MCU都经得起家电高温、高湿、强电磁复杂环境的长期考验。　　HC32F448　　空调双变频“全能芯”　　定义家电控制新高度　　本次获奖的HC32F448系列微控制器，是小华半导体专为家电变频控制打造的明星产品，更是空调双电机控制领域的标杆芯片。　　技术创新破解行业瓶颈　　基于ARM Cortex-M4内核，200MHz高主频，算力强劲，精准适配空调室外双电机+PFC协同控制。　　集成3路专用电机控制定时器，单个Timer单元可输出4对互补PWM波形，搭配死区控制，硬件关断;有效防止过流，短路，大幅提升驱动效率和系统安全。　　搭载3路12位2.5Msps高速ADC，完美满足空调外机多电机控制需求。　　内置D-bus保护机制与代码保护区，硬件级安全防护，保障控制系统稳定运行。　　高集成度降本增效　　实现“压缩机+风机+高频PFC”三合一单芯片控制，简化客户电路设计，减少外部元器件，大幅降低整机成本，已在头部家电企业大规模量产落地。　　场景全覆盖赋能全品类家电　　除空调双变频控制外，HC32F448还广泛适配洗衣机、扫地机器人等智能家电，同时覆盖移动储能、交流充电桩、工业编码器等工业场景，累计销量数千万颗，在家电领域打破国外垄断，同时满足工业高可靠性需求。　　家电MCU领跑者　　从国产替代到行业引领　　深耕家电控制芯片多年，小华半导体已形成覆盖高端变频、主控、主变一体的全场景家电 MCU产品矩阵，HC32F460、HC32F448、HC32F115、HC32F155、HC32L18x等系列产品全面覆盖空调、冰箱、洗衣机等核心家电品类。　　凭借稳定可靠的品质与成熟的变频算法方案，小华MCU在变频空调领域市占率25%，稳居国产MCU首位，助力家电企业实现核心芯片自主可控，推动中国家电产业从“中国制造”迈向“中国智造”。　　荣耀加冕再启新程　　本次HC32F448斩获CITE2026创新奖，是行业对小华半导体在家电芯片领域技术创新与市场实力的高度认可，更是国产MCU在高端家电控制领域从替代走向引领的有力证明。　　未来，小华半导体将继续依托CEC与华大半导体的强大支撑，坚守技术创新、客户导向，持续深耕家电核心场景，以更优质的芯片方案赋能家电产业升级，用一颗自主可控的“中国芯”，点亮全球智慧家庭，书写国产MCU创新发展新篇章! 　　关于小华半导体家电MCU　　小华半导体专注智能控制芯片设计，提供家电、工业、汽车、物联网、数字电源等产品线及系统级解决方案。在家电应用领域拥有成熟的变频控制算法、XHCode代码生成工具、IEC60730安全软件库等生态支持，全方位加速客户产品迭代。

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小华半导体

发布时间：2026-04-13 10:23 阅读量：461 继续阅读>>

荣湃<span style='color:red'>半导体</span>| 一文带你理解隔离通信电路的数字隔离器默认电平选型

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荣湃半导体| 一文带你理解隔离通信电路的数字隔离器默认电平选型

　　随着工业控制自动化、智能化进程的不断深入，工控设备、智能终端等装置在低负载或待机状态下的功率消耗日益受到行业关注，并逐渐成为衡量产品能效水平与技术先进性的重要指标之一。在“双碳”目标及绿色制造理念的推动下，降低待机功耗不仅有助于企业节约运营成本，也是响应节能环保政策、提升产品市场竞争力的关键举措。未来，随着能效标准的日趋严格和用户对可持续性要求的提高，低待机功耗设计将成为工控与智能终端领域的重要发展趋势之一。　　为了避免数字隔离器在输入侧供电丢失时、另一侧的输出端口输出电压不确定导致通讯电路异常，数字隔离器都设计了默认电平功能，可以根据型号选定为高电平或者低电平。一般来说，当数字隔离器的输入端口电压和默认电平吻合时，数字隔离器的电流消耗最低;若输入电平和默认电平相反，数字隔离器的电流消耗就会增加。数字隔离器作为必要的通讯隔离器件，在设备待机时也必须工作、准备传输数据，必然会消耗一部分功率。通过适当的选型和增加部分外围电路器件，可以显著降低数字隔离器在通讯电路处于空闲状态时的电流消耗。本文将从UART、CAN、SPI、RS-485这几种常见的通讯协议入手，解析数字隔离器默认电平的选型方法。　　图 1 隔离式 UART 通讯电路示意图　　UART协议中规定：UART数据帧的起始位总是1位的逻辑0(即低电平)，而数据帧的结束位则是1~2个位的逻辑1(高电平)。所以，物理层的发送-接收信号线在非传输状态时需要保持为高电平，直到有信号需要传输时才切换为低电平。为了满足UART空闲时需要保持为高电平这一特性，使用数字隔离器直接隔离UART物理层的逻辑信号时，需要采用默认电平为高电平的芯片。建议选用Pai122M41-SR。　　图 2 隔离式 CAN 通讯电路示意图　　在ISO11898标准中，规定了CAN总线差分电压小于0.5V时，总线处于隐性状态;当隐性状态持续超过11位的时间长度之后，总线即为空闲。通过查阅CAN收发器的真值表可知，常见的CAN收发器，在CANH、CANL引脚均处于隐性时，TXD、RXD的电位都是高电平。在隔离式CAN通讯电路中，数字隔离器处在MCU和CAN收发器之间，所以数字隔离器的输出默认电平应和CAN收发器保持一致。所以在隔离CAN通讯电路中应选用默认电平为高电平的数字隔离器，建议使用Pai122M61-W5R。　　图 3 隔离式 SPI 通讯电路示意图　　SPI(Serial Peripheral Interface，串行外设接口)协议则更为复杂。在SPI中，决定SCK时钟信号线物理层工作方式的是时钟极性(CPOL)和时钟相位(CPHA)两个参数。CPOL参数设置为0时，时钟信号低电平为空闲状态;反之空闲状态则为高电平。CPHA参数设置为0时，在时钟信号第一个边沿采样;反之则在第二个边沿采样。这两个参数均可以被设置为0或1，所以SPI协议可以定义出四种不同的通讯模式。同时，SPI的片选(CS，Chip select)信号通常为低电平有效。可以通过下面这个表格来确定如何选择合适的数字隔离器。　　图 4 隔离式 RS-485 通讯电路示意图　　半双工模式的RS-485通信中，总线上的每个节点都需要单独控制自己节点RS-485收发器的使能端口(接收使能RE和发送使能DE)才能正确收发数据。　　通常来说，当某一节点处于空闲、不需要向外发送数据时，必须将RS-485收发器A、B总线引脚置为高阻态(即进入总线侦听模式)，避免抢占总线、干扰其他节点通信;同时，当总线处于隐性、空闲时，RS-485收发器的RXD输出信号为高电平，用于指示MCU当前总线处于空闲状态;RS-485收发器的TXD输入信号脚内部一般为上拉、默认电平为高。　　根据以上特性，在理想的情况下，用于控制RS-485收发器RE、DE引脚的信号应为默认低电平;但是用于发送、接收数据的信号应为默认高电平。如果选用默认低电平的隔离器，会导致有两个通道在通信电路空闲时也处于工作状态，增加了电路的电流消耗;若选用默认高电平的隔离器，当VMCU不上电、但是V485上电时，使能信号为高电平、485收发器会占用总线，影响总线其他节点正常收发数据，存在冲突。只需要在数字隔离器输出端口到RS-485收发器使能端口之间增加一个电位反相电路，就可以解决默认电平冲突问题。　　和图5所示的传统隔离RS-485通讯电路相比，图6所示的新电路在RE、DE控制信号线上增加了一级由上拉电阻和下拉三极管组成的反相器。当VMCU不供电、V485供电时，Pai131S71R的VOA输出为高电平，此时三极管导通、RE、DE引脚被下拉至低电平，A、B输出为高阻态;同时，VIC、VOB均为高电平，与Pai131S71R的默认电平相同。反相器电路的上拉电阻可以根据实际通讯的速率继续调大阻值、降低电流消耗。　　不同的通讯协议需要的默认电平不同，有些需要高电平、有些需要低电平。和光耦相比，数字隔离器具有高速率、低延时、低静态功耗的特点。虽然数字隔离器的默认电平相对固定，但是通过选择合适的型号、增加一些外围电路，同样可以显著降低隔离通讯电路的静态功耗，降低设备的待机电流，助力工控行业绿色化发展。

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荣湃半导体

发布时间：2026-03-26 09:59 阅读量：605 继续阅读>>

龙腾<span style='color:red'>半导体</span>推出 1200V/25A IGBT，中小功率场景再添硬核主力！

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龙腾半导体推出 1200V/25A IGBT，中小功率场景再添硬核主力！

　　在便携储能、变频家电、小型工业驱动等场景持续爆发的当下，中小功率 1200V IGBT 的市场需求迎来高速增长。如何在有限的体积内，实现更低损耗、更高可靠性、更优性价比，成为行业客户的核心诉求。　　龙腾半导体推出的新款LKB25N120UM1 IGBT(1200V/25A)采用新型场截止型IGBT技术，实现了开关损耗与通态损耗的最佳折中。作为公司重点布局的中小功率档位主推型号，精准定位于中小功率电力电子应用场景，可充分满足该领域的性能需求。　　核心亮点　　1 低导通压降，提升系统效率　　典型VCE(sat)仅为1.5V(@Tvj=25℃，Ic=25A)，高温下仍保持低导通压降(175℃时为1.9V)，有效降低导通损耗。　　2 高结温能力，适应严苛工况　　最大工作结温Tvj=175℃，为高功率密度设计提供更大热余量。　　3 开关特性优化，降低电磁干扰　　优化的栅极驱动特性，显著抑制开通时的 Vge振荡，提升系统稳定性。　　4 内置快恢复二极管　　集成快速恢复反并联二极管，反向恢复时间trr典型值 371ns，反向恢复电荷Qrr为1471nC，适配高频硬开关应用。　　5 短路耐受能力　　产品拥有业界领先的短路耐受时间，具备很好的短路鲁棒性。　　典型应用　　不间断电源　　电焊机　　变流器

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龙腾

发布时间：2026-03-16 13:25 阅读量：472 继续阅读>>

普冉<span style='color:red'>半导体</span>闪耀 AWE 2026，荣获“2025年度中国家电产业链金钉奖”

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普冉半导体闪耀 AWE 2026，荣获“2025年度中国家电产业链金钉奖”

　　3月15日，为期四天的中国家电及消费电子博览会(AWE 2026)在上海浦东圆满落幕。普冉股份携MCU、NOR Flash、EEPROM等全系列产品及电机控制、智能触控与HMI交互等全场景解决方案重磅亮相，与家电整机厂、方案商等行业伙伴深度交流洽谈，全面展现了从“存储+MCU”的平台化布局。　　解码“存储+控制”如何赋能家电创新　　在2026年中国家电产业链大会上，普冉股份发表题为《精工智控，以存为本——普冉高性能MCU和高可靠存储芯片赋能家电创新》的主题演讲。演讲提及，当前家电产业正迎来电机能效提升与智能化控制的双重迭代趋势，普冉股份紧扣行业发展需求，推出针对性的芯片产品及解决方案。依托多年深耕存储领域的技术积淀，公司为家电行业构建全方位的嵌入式系统平台，实现存储、控制、驱动的全链路技术支撑，同时以高效的产品迭代能力搭建完善产业生态，助力客户加速产品研发与升级进程。　　电机驱动与智能交互精准覆盖核心场景　　展会期间，普冉股份重磅推出专题路演，聚焦电机控制与智能交互，精准覆盖家电核心应用场景，以完整的MCU产品矩阵赋能家电智能化升级。其中，集成无感FOC控制的高效电机驱动方案依托高算力MCU内核，保障电机稳定高能效运行，适配高速风筒、吸尘器、冰箱压缩机、空调室内及室外机变频控制等场景。智能触控与HMI交互方案搭载32位ARM Cortex内核的MCU，具备强抗干扰能力，高可靠性防水触摸技术，以及高性能HMI软硬件处理单元，且满足工业级-40℃～+105℃的宽温度运行范围，可为空调、冰箱、洗衣机等白电及烤箱、烟机、空气炸锅、咖啡机等生活电器产品，提供从高灵敏度触控到流畅动画图形显示的智能交互体验。　　金钉奖加冕芯实力　　在同期举办的2026中国家电产业链大会上，公司触控MCU PY32T090系列凭借卓越的性能表现与广泛的家电场景应用，荣获“2025年度中国家电产业链金钉奖”。这一奖项是行业对普冉股份在触控芯片领域技术创新与市场贡献的高度肯定，也进一步激励我们持续深耕家电市场，打造更具竞争力的芯片产品与解决方案。　　AWE 2026的聚光灯已落下，但普冉股份与家电产业的深度对话仍在继续。未来，公司将继续秉持 “精工智控，以存为本” 的发展理念，以高可靠存储芯片与高性能MCU为核心，持续强化技术研发与场景化方案打造能力，把智能生活的想象变为日常。

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普冉

发布时间：2026-03-16 11:46 阅读量：489 继续阅读>>

罗姆<span style='color:red'>半导体</span>亮相AI PowerDC算力供电创新论坛硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展

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罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展

　　当前AI算力需求爆发式增长，数据中心供电向高效化、绿色化升级，800V高压直流架构渗透率提升，SST等核心技术加速迭代，行业面临技术革新与标准完善的双重需求。基于此2026年4月25日“AI PowerDC 算力供电创新技术国际领军者论”将在深圳湾万丽酒店顺势召开，聚焦行业核心痛点，搭建技术交流与合作对接平台。　　全球知名半导体制造商罗姆半导体(ROHM)重磅亮相本次论坛，公司技术专家苏勇锦将于A会场11:20-11:50，发表题为《ROHM Power The Future of ECO AI Server》的主题演讲，深度解读AI服务器供电痛点，分享前沿电源技术解决方案，彰显罗姆在高端算力供电领域的核心技术实力。　　AI 硬件的急速成长，带来了数据中心对电力设施前所未有的负荷压力。Server Rack 单位消耗功率由数十~数百kW 向MW 级别的规模扩展，现有的48VDC 配电系统，以达到其物理性的、经济性的极限。为解决这一历史性的课题，包括HVDC电源架构等的技术变革正在发生。如何让AI服务器电源系统更节能，更高效，更智能，成为各大电源厂家和半导体厂家的目标和方向。罗姆半导体做为全球知名半导体制造商，充分利用常年以来积累的功率器件和模拟器件的技术经验，为AI服务器提供包括SiC，GaN，Si-MOS，DrMOS，模拟IC等电源解决方案，助力AI服务器向更加ECO的未来发展!　　4月25日AI算例论坛概要　　名称：AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛　　■主办：21世纪电源网　　■ 会场：深圳湾万丽酒店　　■ 时间：2026年4月25日　　■ 地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技南路18号　　■交通：9号线高新南站A出口步行3分钟　　赞助企业

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罗姆

发布时间：2026-03-12 17:50 阅读量：640 继续阅读>>

从 Micro LED 到 CPO：禹创<span style='color:red'>半导体</span>打造下一代光电集成关键平台

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从 Micro LED 到 CPO：禹创半导体打造下一代光电集成关键平台

　　锁定800G/1.6T升级浪潮，以「可验证、可量产、可交付」加速AI算力中心光互连落地。　　禹创半导体今日宣布：将以现有Micro LED技术平台与量产导入经验为基础，正式跨入CPO(Co-Packaged Optics，共同封装光学)领域，打造面向AI算力中心、数据中心与高速交换架构的下一代光电整合关键平台，协助产业解决全球AI基础设施竞争中最关键的系统瓶颈之一——在功耗与散热压力持续升高的情况下，仍能实现海量数据的高效率传输与可扩展互连。　架构示意图　　三大亮点：定义下一代互联标准　　1.对准800G/1.6T升级窗口：响应AI数据中心带宽倍增与互连能耗压力，光互连成为下一代平台刚需。　　2. Micro LED可量产系统工程能力可直接迁移：高密度I/O、封装整合、热管理、制程窗口、可靠度验证与测试体系，匹配CPO核心挑战。　　3.国际深度共研合作加速产品化：co-spec/co-validation/co-design与供应链长期alignment，建立更高进入门槛与交付确定性。　　产业背景：铜缆电互连到极限　　随着「算力即国力」与主权AI成为国家级战略重点，全球正加速投入AI计算基础设施建设，网络带宽需求几乎以倍数速度成长，从400G快速迈向800G、1.6T乃至更高。传统缆电互连在带宽密度、传输距离、功耗与散热方面存在不可逾越的物理限制，已成为系统扩展性与能效提升的核心瓶颈;在高端GPU单芯片功耗持续攀升的趋势下，互连能耗与热负载问题更加突出，光互连不再是选项，而是基础设施。　　架构趋势：硅光子 + CPO 成为必然演进路线　　产业普遍认为硅光子(Silicon Photonics)与CPO是下一代架构演进方向。透过将光引擎更靠近甚至直接与计算/交换芯片整合，CPO可显著降低互连功耗损失、热负载与系统复杂度，提升带宽密度与整体能效。　　禹创策略：以「可量产系统工程」切入 CPO，缩短导入周期、提升交付确定性　　在Micro LED领域长期累积的能力，核心不仅是芯片设计，更涵盖高密度 I/O、封装整合、热管理、制程窗口控制、可靠度验证与测试体系建置等「可量产系统工程」。上述能力与CPO的关键挑战高度重迭，使禹创得以把既有方法论迁移到高速光互连架构，缩短从工程样品到商用导入的周期，并提升交付确定性。　　禹创半导体表示：「我们以『可验证、可量产、可交付』为CPO布局的核心原则，透过系统级整合与全球伙伴协同，加速下一代高速光电整合平台的产品化与落地部署，建立长期竞争力。」　　系统级平台布局：电子IC、光子IC、3D封装、CPO架构与热管理全覆盖　　在技术路线上，禹创半导体采取系统级硅光子布局，全面覆盖电子IC、光子IC、先进3D封装、CPO架构及热管理技术，以高度整合的平台方式提供可持续扩展的技术路线：既能支持当前多Terabit数据传输需求，也可演进至未来每秒百Terabit以上的规模，对应AI基础设施长周期、深层次的结构性变革。　　生态合作：co-spec/co-validation/co-design，供应链 long-term alignment　　在生态合作层面，CPO不是单打独斗的游戏，通过与国外伙伴的共同定义规格(co-spec)、协同验证(co-validation)、共同迭代设计(co-design / co-optimization)及供应链节点的长期配合(long-term alignment)。此合作模式将有助于在关键料件、制程能力与验证体系上形成更高的进入门槛，并加速产品化与商用落地。　　延伸场景：从超大型算力中心到边缘AI　　除超大规模数据中心外，该技术体系亦正快速渗透至边缘 AI场景，包括智能医疗、机器人、自动化系统与智能物联网等，同样对能效、带宽密度与系统集成提出更高要求。从超大型算力中心的“主动脉”，到边缘AI应用的“毛细血管”，数据的流动效率决定了智能的进化速度。禹创半导体，正致力于成为下一代AI基础设施中，那个不可或缺的“连结者”。

关键词：

禹创半导体

发布时间：2026-02-26 14:12 阅读量：796 继续阅读>>

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