禹创半导体全新小<span style='color:red'>封装</span>BLDC预驱动IC介绍
  随着科技的飞速发展,我们欣喜地宣布,禹创半导体近日推出了全新的小封装单相无刷直流(BLDC)预驱动IC——ERD1101及ERD1102,为我国长期被日美欧品牌占据主导地位的马达产业注入了一股强劲的国产力量。  自 2018 年成立以来,禹创半导体一直致力于技术创新与产品研发,先后推出了 LCD 驱动 IC,AMOLED 驱动 IC 和多串锂电池保护IC等产品。2024 年禹创新推出了马达驱动IC,完成了公司产品线的三大布局。禹创半导体的马达团队来自国际大厂: TI 及安森美(三洋)的马达团队,平均拥有 20 年的马达 IC 设计年资,具有丰富的设计经验及对马达市场细致的了解。除了ERD1101/ERD1102,接下来半年内我们将陆续推出内置 MOSFET 的单相无刷直流驱动马达 IC: ERD100x 系列,以满足客户不同的应用需求。  ERD1101是一款开环的单相无刷直流(BLDC)预驱动IC,配合不同的外置MOSFET,可适用于12V/24V/48V电压,以及各种大电流的应用,主要应用于电脑处理器,显卡,电源模组的冷却风扇,冰箱的循环风扇。而ERD1102则是一款闭环的单相无刷直流(BLDC)预驱动IC。这两款IC采用了引脚兼容的设计,可轻松应用于同一PCB上的开环和闭环设计。为了减少PCB的面积,ICs采用了QFN16 3*3的小型化封装。  马达是各种电子设备中不可或缺的关键部件,尽管它们在我们的日常生活中隐形存在,却承载着重要的功能。冷气机、冰箱、洗衣机、吸尘器、打印机、电脑、汽车等各类设备都依赖于各种马达的工作。为了满足对马达稳定性和耐用性的高要求,我们在ERD1101/ ERD1102内置了锁定检测、过热保护、欠压保护和限流保护等功能,以更好地保护IC免受外界因素的损害。此外,我们还提供了GUI界面来控制IC内部的各种参数,从而大大缩短了开发周期。QFN3*3的封装使到客户可以将它应用在更小的空间,从而达到小型化的要求。在ERD1101/ ERD1102推出市场之前,我们已经得到两岸多家客户的评估及品质验证。随着2024年Q1的量产,我们相信很快就可以在市场上看到采用ERD1101/ ERD1102的产品了。  随着科技的发展,AI和机器人成为了现今科技界最热门的话题。在这个充满活力的领域,马达IC也扮演着重要的角色。我们相信马达产业的奇异点即将到来,禹创半导体布局马达驱动IC不仅可以参与这第四次工业革命的浪潮,还将为我国的人形机器人产业提供强大的后盾。
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发布时间:2024-12-17 15:50 阅读量:171 继续阅读>>
雷卯展示SOD-323<span style='color:red'>封装</span>大功率ESD
  上海雷卯有全系列各种电压的SOD-323封装ESD,现整理部分产品列表如下:  一、SOD-323的优势特点  1、尺寸与空间优势  体积小:SOD-323封装本身尺寸小巧,在电路板上所占空间小,适用于如手机、便携式设备、数码相机等对空间要求严苛的电子产品,有助于实现产品的小型化与集成化.能在有限的电路板面积上集成更多的保护器件,满足高度集成化电路设计需求,提升电路功能与性能。  2、电气性能优越  、大功率承受能力:如SD0381D3W峰值脉冲功率可达2500W,除了抗静电可以达到±30KV,也可应对较大的瞬间能量冲击,有效保护电路。  - 低钳位电压:能在ESD事件发生时快速将过电压钳制在较低水平,如SD0571D3WH具有低钳位电压特性,浪涌电流110A 时,钳位电压低至9.5V。列表里许多款钳位电压低,因此可以帮助用户产品避免敏感元件因过压损坏.  3、可靠性与兼容性强  符合标准:众多SOD-323封装大功率ESD器件符合IEC 61000-4-2等国际标准,静电等级满足4级 ,可以达到空气和接触±30KV,能满足不同应用场景的ESD防护要求,确保电子设备的电磁兼容性。  二、 应用场景  SOD-323封装大功率ESD的应用广泛,主要包括以下领域:  1、消费电子领域  智能手机和平板电脑,笔记本电脑等。用于此类产品电源浪涌防护或者频率不  高的信号处做静电浪涌防护。比如用于保护显示屏、触摸屏、按键、耳机插孔、USB接口等部件电源处免受ESD损害,防止屏幕出现闪烁、花屏、触控失灵,以及接口电路损坏等问题。  2、通信设备领域  路由器和交换机:保护网络接口、通信芯片、电源电路等,保障网络设备在复杂电磁环境下的稳定运行,防止ESD引发的通信中断、数据丢包等故障.  基站中的射频模块、基带处理单元、电源管理模块等都需要ESD保护,以确保基站在户外恶劣环境下的长期稳定工作,降低设备故障率和维护成本。  3、工业控制领域  PLC和工控计算机,传感器和变送器:保护电源防止ESD干扰导致的控制信号错误、设备误动作,保证测量数据的准确性和稳定性。  4、汽车领域  车载娱乐系统:保护车载音响、导航系统、多媒体显示屏等设备的电子元件和接口,防止ESD对其造成损害,确保车载娱乐系统的正常使用.  车身控制系统:车身控制模块、车窗控制电机、车门锁控制器等设备中的电子元件和电路,需要ESD保护来防止因静电放电导致的设备故障和误动作,保障车身控制系统的可靠性和安全性。  汽车电子传感器:汽车发动机控制单元中的温度传感器、氧传感器、曲轴位置传感器等,以及胎压监测传感器、倒车雷达传感器等,都需要SOD-323封装大功率ESD器件进行保护,以确保传感器的正常工作,提高汽车的安全性和性能。  此方案图可以应用于直流电压静电浪涌防护 ,器件选择可以参考前面表格,根据保护电源电压选择合适ESD二极管。  Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间:2024-12-11 11:10 阅读量:307 继续阅读>>
2.5D<span style='color:red'>封装</span>和3D<span style='color:red'>封装</span>的区别
  2.5D封装和3D封装是两种重要的技术发展趋势,它们对于提高电子产品性能、减小尺寸、降低功耗等方面都具有重要意义。封装技术的不断演进推动了电子行业的发展,并为各种应用场景带来了更多可能性。  1. 定义  2.5D封装是一种介于传统2D封装和全面的3D封装之间的中间形式。在2.5D封装中,多个芯片或器件被整合在同一个封装内,但这些芯片并不直接堆叠在一起,而是通过硅互连层或基板进行连接。这种封装结构可以实现更高的集成度和性能优化,同时又相对容易制造,成本较低。  与2.5D封装相比,3D封装更加先进和复杂。在3D封装中,多个芯片或器件被垂直堆叠在一起,通过封装材料或硅互联层进行互连。这种垂直堆叠的设计使得封装结构更加紧凑,信号传输路径更短,从而提高了性能和功耗效率。  2. 工艺流程  2.5D封装工艺流程  制备基板:选择合适的基板材料,进行表面处理和图形图案设计。  芯片定位:将芯片按照设计要求固定在基板上。  金线键合:使用金属线将芯片和基板上的焊盘连接。  封装成型:对整体进行封装成型,保护芯片和连接线路。  3D封装工艺流程  Wafer thinning:对芯片进行薄化处理,减小厚度以便堆叠。  TSV制造:在芯片上制造Through-Silicon Vias,用于实现垂直互连。  堆叠组装:将多个薄化后的芯片堆叠在一起,通过TSV进行互连。  封装封装:对整体进行封装,保护堆叠的芯片和连接线路。  3. 技术特点  2.5D封装特点  高度集成:多个芯片在同一封装内,提高了系统整体的集成度。  低成本:相比3D封装,2.5D封装制造成本更低。  易于设计:设计难度相对较低,对设计人员的要求也较低。  3D封装特点  更高性能:垂直堆叠结构缩短了信号传输路径,提高了系统性能。  更小尺寸:相同功能的芯片堆叠在一起,封装尺寸更小。  更低功耗:优化的堆叠布局和互连设计减小功耗。  4. 应用领域  2.5D封装应用  数据中心:用于高性能计算、人工智能等领域的服务器和处理器。  网络通信:提高网络设备的处理速度和带宽。  汽车电子:应用于汽车雷达、驾驶辅助系统等模块。  3D封装应用  移动设备:手机、平板电脑等消费类电子产品,提高性能和降低功耗。  医疗领域:医疗影像设备、植入式医疗器械等需求高性能和小尺寸的设备。  5. 优缺点分析  2.5D封装优点  生产成本低:相比3D封装成本更低。  设计容易:对设计人员要求较低。  高度集成:提高了整体系统的集成度。  2.5D封装缺点  性能局限:相比3D封装,性能提升有限。  散热困难:集成度增加可能带来散热问题。  信号干扰:多个芯片在同一封装内可能引起信号干扰。  3D封装优点  更高性能:性能提升明显。  更小尺寸:封装尺寸更小。  低功耗:通过优化互连设计减小功耗。  3D封装缺点  制造复杂:制造工艺较为复杂,技术门槛高。  成本高昂:制造成本相对较高。  设计难度大:对设计人员要求高。
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发布时间:2024-12-10 11:19 阅读量:194 继续阅读>>
上海贝岭:超小<span style='color:red'>封装</span>物联网能效监测芯片BL0971
  随着新能源汽车产业的发展,对充电设施的便利、安全、智能化等方面均提出了更高的要求。许多新车型开始采用800V架构,一辆搭载100kWh电的电动汽车,只需要15min即可完成30%~80%的充电,大大缩短了充电时间,使得当前消费者的快速充电需求得以满足。在同样充电功率时800V电池平台相比400V电池平台,只需要400V时充电电流的一半,减少了导线和电气组件的热损耗,提高了系统的能效和安全性。为实现安全、有序充电,固定充电桩设备需要对直流电压/电流、能效、温度等物理量进行实时监控,在保证测量精度足够高,电能计费准确的同时,充电中一旦出现异常,可立即实施保护断开。另外,在新能源车随车充的应用中,由于空间紧凑,需要更小的芯片体积。  ·BL0971产品介绍·  为实现这些监测及应用需求,上海贝岭在之前的物联网能效监测芯片BL0972的基础上,针对直流充电桩的应用需求,推出了超小封装的BL0971交直流能效监测芯片。  BL0971是一颗内置时钟/外接晶振的单相交直流能效监测芯片。可用于交/直流断路器、交/直流照明能耗监控、交/直流物联网仪表或终端等产品。  ·产品特性·  1U1I模式,1路电流,1路电压测量 ;2I模式,2路电流测量;  高精度,在输入动态范围(5000:1)内,交流有功电能非线性测量误差小于0.1%;  交流电压和电流有效值,测量动态范围(2500:1)内,有效值非线性误差小于0.1%;  可选直流信号测量,输入范围2000:1,测量误差<±1%;  对于输入波形,可以通过选择不同滤波器,来获得全波、交流或直流的有效值及功率;  内置波形寄存器,可以用于波形分析;  测量电流、电压有效值、有功功率、无功功率、有功电能、无功电能等参数;  批次出厂增益误差小于 1%,外围元件满足一定条件下可以免校准;  SPI/UART 通讯接口,满足交/直流计量、检测、故障监控时高速率的数据交互需要;  内置基准参考电压源;  支持内置时钟或外接晶振,可根据应用场景选择;  单工作电源3.3V,低功耗15mW(典型值);  过流、过压、欠压快速检测、中断输出可配置,满足直流充电桩保护的需求;  可用于保险丝保护,最快10ms产生中断输出;  QFN20封装,4*4mm,体积小。  ·上海贝岭选型方案·  上海贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择。以下为部分汽车充电桩应用的产品型号。
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发布时间:2024-11-20 11:26 阅读量:299 继续阅读>>
纳芯微推出全新CSP<span style='color:red'>封装</span>MOSFET: NPM12023A
  近日,纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品,优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力,可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。  纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品,采用自有专利芯片结构设计,综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺,拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求,同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题,为客户提供更安全、更可靠的产品,简化客户的设计。  图1:纳芯微CSP封装MOSFET产品优势  便携式锂电设备对于充放电保护的要求:  高强度,小体积  智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄,功能更强大,同时对设备的充放电功率要求也越来越高:从最初的3-5W,到现在超过100W的充放电功率,使人们在享受更便捷的生活的同时,提高了充电效率,减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的不断提高,对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战:如何在降低内阻的同时,兼顾机械应力及雪崩能量等要求,成为聚焦的重点。  图2:CSP封装MOSFET典型应用场景  技术特点  专有的CSP封装技术  传统CSP封装结构为了降低衬底电阻,采用了芯片厚度减薄的方法,从而降低了该封装结构的机械强度,随之而来的,在生产组装过程中,可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹,从而导致应用端不良等问题。  纳芯微全新CSP封装系列产品在设计之初就在产品结构上做了调整,使导通电流平行于芯片表面,缩短电流路径,从而降低导通电阻,也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题(耐受机械压力>60N),更高的机械强度,可以帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上,最大程度上降低使用过程中的变形、裂片等问题,保证了产品的可靠性和安全性。  图3:纳芯微CSP封装结构与传统CSP封装结构对比  高抗短路和雪崩的能力  作为锂电池保护电路中的关键器件,CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上其他产品,纳芯微该系列产品具备非常好的抗短路和雪崩的能力:短路电流测试达到280A,雪崩能力测试>30A(225mJ)。  纳芯微CSP封装MOSFET产品选型表
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发布时间:2024-09-27 11:24 阅读量:581 继续阅读>>
DIO6346-帝奥微特色电源又添新品,超小<span style='color:red'>封装</span>同步升压系列面市
  在当今快速发展的电子科技领域,高效、稳定的电源管理解决方案至关重要。Boost DCDC 作为一种关键的电源转换技术,正以其卓越的性能和广泛的适用性,在消费电子、工业自动化、可再生能源、汽车电子等领域发挥着不可替代的作用。  Boost DCDC不仅能够实现电压的高效升压,确保设备在各种输入电压条件下稳定运行,还能通过先进的控制技术提高电源效率,降低能源消耗,带来经济实惠的成本效益。  帝奥微特色电源产品系列新增的一款明星产品DIO6346,为最新一代高压超小尺寸同步升压转换器。下面让我们一起了解它的优异之处,探索其为电子世界带来的更高效、更稳定的解决方案。  DIO6346简介  DIO6346是一款高效、超小体积、高集成的同步升压转换器,专为医疗器械、传感器模块、光通信、机顶盒和便携式照明等需要高电压小尺寸的应用而设计。  DIO6346集成有28V功率开关、输入/输出隔离开关、涌流限流、内部软启动和补偿,它可以将来自1节锂电池或两节碱性干电池串联的输入电压转换为高达28 V的输出电压。  DIO6346的1.0MHz开关频率支持使用较小的外围器件,基于自适应恒导通时间(ACOT)和脉冲调频(PFM)控制拓扑结构,该产品在轻载时自动进入PFM模式,可提高效率并降低静态电流。将FB引脚连接到VIN引脚时,该产品的输出电压默认设置为12V,这意味着只需要接三个外部元器件就可以获得12V的输出电压,可有效减少外围器件从而降低BOM成本。  DIO6346主要参数  DIO6346封装  WLCSP-6 (0.8mm x 1.2mm)  DIO6346应用框图  DIO6346性能解析效率高:3.6V输入,12V输出,最高效率达85.98%,峰值/平均效率均优于市面上同类产品  2.纹波小:3.6V输入,5mA输出时纹波为18mV,100mA输出时纹波为46mV  3.负载响应性能优异:3.6V输入,12V输出,Auto mode,0mA ~ 50mA输出,under shoot为220mV,over shoot为200mV  DIO6346以其超小的体积、更高的效率、更稳定的性能、更精简的外围BOM等优秀品质,可为众多高性能的终端产品赋能。
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发布时间:2024-09-25 15:41 阅读量:613 继续阅读>>
里阳半导体:SOT23<span style='color:red'>封装</span>的这款ESD你一定用过
  随着汽车工业的不断发展,车载电子系统的复杂度日益提升,车载中控作为车辆信息处理和控制的中心,其稳定性和可靠性显得尤为重要。  在车载中控系统的信息传递中,静电放电(ESD)保护器件扮演着至关重要的角色,其中SOT23封装的这款ESD你一定用过。  产品概述  LY23DC24-Q是里阳半导体推出的一款车规级ESD,它采用SOT-23的封装,使其能够适应车载中控系统对空间布局和散热性能的要求,确保系统的高效稳定运行。  图为LY23DC24-Q的封装图▲  产品特性  车载中控系统的显示触摸屏是驾驶员与车辆进行交互的重要界面。触摸屏将捕捉到的触摸数据通过内部电路进行处理,解析出用户的操作指令。  处理后的操作指令会通过数据总线(如 CAN 总线、LIN总线或专用通信协议)传输给中控主机(或称为中央控制单元)。  数据总线是汽车内部各个电子控制单元之间通信的桥梁,它负责将各个控制单元产生的数据和信息进行传输和共享。  CAN总线和LIN总线分别用于连接控制区域网络和局域互联网络中的设备。这两种线路分别有高数据传输速率和广泛的分布的特点,特别容易受到静电的影响。  一旦这些线路遭受静电冲击,可能会导致数据传输错误,严重时甚至会损坏连接在这些线路上的电子控制单元。  此时,LY23DC24-Q就派上了用场。该产品具有极低的漏电流和快速的响应时间,能够在极短的时间内对静电进行有效抑制,保护车载中控系统中的通信线路免受损害。  其参数如下图所示。  测试标准  LY23DC24-Q满足IEC61000-4-2的测试标准:VESD (Air Discharge):±30kV,VESD (Contact Discharge):±30kV。  可以及时吸收静电并将电压稳定在安全范围内,可以有效抑制静电放电、保护通信质量和增强系统稳定性。  产品应用  CAN线作为汽车内部的主干通信网络,其数据传输速度快、可靠性高,是车辆各系统间信息交换的重要通道。  然而,CAN线也容易受到静电放电的干扰,导致数据传输错误或系统故障。  LY23DC24-Q的应用可以有效解决这一问题。通过将其集成到CAN线接口电路中,能够迅速将静电放电的能量引导至地,保护CAN线接口电路不受损坏,确保数据传输的稳定性和可靠性。  未来展望  随着汽车智能化、网联化趋势的加速发展,汽车电子系统正在经历着不断的变革。  作为汽车电子系统中的重要组成部分,ESD防护器件的角色愈发关键。  里阳半导体的LY23DC24-Q将在更多领域发挥其重要作用,为汽车电子系统的稳定性和可靠性提供有力保障。  稳定,让智能出行更加安心;  可靠,让科技守护每一段旅程;  耐用,让每一程都坚实长久。  里阳半导体,与您共创智慧驾享舒适体验!
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发布时间:2024-09-19 09:58 阅读量:762 继续阅读>>
几种常见的晶振<span style='color:red'>封装</span>的特点及其优势
  晶体振荡器(Crystal Oscillator)是现代电子设备中常见的元件之一,用于产生稳定的时钟信号。在电子产品设计中,晶振的封装类型多种多样,每种封装都有其独特的特点和优势。以下将介绍几种常见的晶振封装类型及其特点以及相应的优势。  1. DIP(Dual In-line Package)  DIP封装是一种双列直插式封装,在早期的电子产品中非常常见。它的特点包括:  易于插拔:DIP封装的引脚设计使其易于插拔,方便进行维护和更换。  较大尺寸:由于DIP封装较为传统,其尺寸相对较大,有利于手工焊接。  通用性强:DIP封装适用于多种不同类型的晶振。  优势:  易于制造:DIP封装结构简单,易于制造和组装。  可靠性高:由于封装结构简单,DIP晶振的可靠性较高。  2. SMD(Surface Mount Device)  SMD封装是一种表面贴装封装,逐渐取代了DIP封装在现代电子产品中的应用。其特点包括:  小型化:SMD封装体积小巧,有利于提高PCB板的集成度。  适合自动化生产:SMD封装适合大规模生产,并且可以通过表面贴装技术实现自动化焊接。  耐震动:SMD封装在振动环境下有较好的稳定性。  优势:  空间利用率高:SMD封装占用空间少,有利于实现紧凑的电路设计。  适应性强:SMD封装适用于各种现代电子设备,如手机、笔记本电脑等。  3. TO(Transistor Outline)  TO封装是一种金属外壳封装,主要用于需要较好散热性能的晶振。其特点包括:  优良的散热性能:TO封装具有金属外壳,便于将热量散发出去,保持晶振的稳定性。  耐高温:TO封装能够较好地耐受高温环境,适用于一些高温工作条件下的场景。  优势:  稳定可靠:TO封装的散热性能和稳定性使得其在某些要求高稳定性的应用中表现优异。  长寿命:由于TO封装的散热性能较好,晶振在工作过程中的热量能够有效散发,延长了晶振的使用寿命。  4. Ceramic Package  陶瓷封装是一种常见的晶振封装类型,具有以下特点:  优异的温度稳定性:陶瓷封装对温度变化不敏感,能够提供较高的频率稳定性。  耐腐蚀:陶瓷材料具有较好的耐腐蚀性能,适合在恶劣环境中使用。  抗震动:由于陶瓷封装具有较好的机械强度,对震动和冲击有一定的抵抗能力。  优势:  长期稳定性:陶瓷封装的温度稳定性和抗腐蚀性能使得晶振在长期使用过程中维持稳定性。  适应性广泛:陶瓷封装适用于各种电子产品,尤其适合在恶劣的工作环境下使用。  5. Metal Can Package  金属罐封装是一种外壳采用金属制成的封装类型,具有以下特点:  较好的屏蔽性能:金属罐封装能有效屏蔽外部干扰信号,提供相对较好的抗干扰能力。  保护性能好:金属罐封装能有效保护晶振内部结构,减少外部环境对晶振的影响。  易于焊接:金属罐封装便于手工或自动化焊接,有利于生产制造。  优势:  抗干扰能力强:金属罐封装的屏蔽性能能有效阻挡外部干扰信号,提高晶振的稳定性。  环境适应性好:金属罐封装在不同工作环境下均表现出色,适用性广泛。  通过了解以上几种晶振封装的特点及其优势,设计工程师可以更好地选择适合特定应用需求的晶振封装类型,以确保电子产品性能稳定、可靠。在实际设计中,还需考虑到成本、体积、工艺要求等因素,综合权衡后做出最佳选择。不同的封装类型之间并非孤立存在,而是相互补充,为工程师提供了多样化的选项,以满足不同领域的需求。
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发布时间:2024-09-12 11:00 阅读量:546 继续阅读>>
ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP<span style='color:red'>封装</span>通用AC-DC控制器IC
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC,非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产,包括低耐压MOSFET驱动用的“BD28C55FJ-LB”、中高耐压MOSFET驱动用的“BD28C54FJ-LB”、IGBT驱动用的“BD28C57LFJ-LB”以及SiC MOSFET驱动用的“BD28C57HFJ-LB”。  尽管全球半导体产品短缺的问题已逐步得到缓解,但工业设备等所用的电源产品仍然处于供不应求的状态。尤其是AC-DC控制器IC,由于制造商较少,半导体短缺已成为长期问题,产品开发的需求不断增加。在这种背景下,ROHM通过推出可满足工业设备应用中需求较大的封装和性能要求的PWM控制方式AC-DC控制器IC,助力解决供应短缺问题。  此次新产品的输入电压范围为6.9V~28.0V,最大电路电流为2.0mA,最大启动电流为75μA,最大占空比*2为50%,采用标准的SOP-J8(相当于JEDEC标准的SOIC8)封装形式。引脚排列与工业设备电源中常用的通用产品相同,有助于缩短电路变更和新设计的设计周期。新产品的所有型号都支持具有电压滞回的自恢复型低电压误动作防止功能(UVLO)*3。与普通产品±10%左右的阈值电压误差相比,新产品的阈值电压误差更小,仅为±5%,实现了高精度的自恢复启动,有助于提高应用产品的可靠性。  不仅如此,新产品还属于长期供货对象产品,可长期稳定供应,有助于寿命长的工业设备持续运行。  新产品已于2024年7月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格180日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本滨松市),后道工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)。另外,相应的产品也已开始电商销售,在电商平台Ameya360处可购买。  未来,ROHM将在产品阵容中逐步新增支持高耐压MOSFET和GaN器件的产品。另外还计划推出支持100%最大占空比的产品。  <产品阵容>  <应用示例>  工业设备:AC-DC电源、电机驱动用的逆变器以及其他通过电源插座供电的应用  <电商销售信息>  开始销售时间:2024年7月起  电商平台:Ameya360  新产品在其他电商平台也将逐步发售。  ・产品信息  产品型号:BD28C54FJ-LB、BD28C55FJ-LB、BD28C57HFJ-LB、BD28C57LFJ-LB  <术语解说>  *1) PWM控制方式  PWM(Pulse Width Modulation,脉冲宽度调制)是一种使用了半导体的功率控制方式。通过改变一定周期内的导通时间和关断时间比例来控制输出功率。  *2) 占空比  一定周期内连续脉冲波处于导通状态或关断状态的时间比率。导通状态的比例称为“导通占空比”,关断状态的比例称为“关断占空比”。通常占空比是指处于导通状态的时间比例。  占空比(%)=脉冲宽度(t) ÷ 周期 (T)  *3) 具有滞回特性的自恢复型欠压保护功能(UVLO)  UVLO是“Under Voltage Lock Out”的首字母缩写。当输入电压下降到阈值范围之外时,在IC内部电路出现异常之前安全停止IC工作的功能。自恢复型欠压保护功能由于电压接近阈值电压时,IC会反复停止和重启,变得不稳定,因此通过采用具有滞回特性的保护电路,在IC停止时和重启提供一定范围的电压。
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发布时间:2024-08-26 13:11 阅读量:624 继续阅读>>
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种<span style='color:red'>封装</span>的车载Nch MOSFET, 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载NchMOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品已经开始销售,未来会继续扩大产品阵容。  在汽车领域,随着安全性和便捷性的提高,电子产品逐渐增加,使得所安装的电子元器件数量也与日俱增,而且,为了提高燃油效率和降低电耗,还要求降低这些产品的功耗。其中,尤其是在对于车载开关应用不可或缺的MOSFET市场,对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求高涨。  ROHM一直在为消费电子和工业设备领域提供采用中等耐压新工艺的低导通电阻MOSFET。此次通过将这种新工艺应用于对可靠性要求高的车载产品,又开发出具有低导通电阻优势的10款车载Nch MOSFET新产品。不仅有近年来需求高涨的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封装产品,还有传统的TO-252封装产品,未来将会继续扩大产品阵容并持续供应。  新产品的耐压分别为40V、60V和100V,均通过采用split gate*3实现了低导通电阻,有助于车载应用的高效运行。所有型号的新产品均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,并确保高可靠性。  封装有适用于不同应用的3种形式。小型封装DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)等安装面积较小的应用。另外还有已被广泛用于车载电源等应用的TO-252(DPAK)封装(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封装的引脚采用的是可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术*4,TO-252封装的引脚采用的是鸥翼型结构*5,安装可靠性都非常高。  目前,新产品暂以月产1,000万个(10种型号合计)的规模量产(样品价格500日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360电商平台可购买。  未来,ROHM将致力于扩大车载用中等耐压Nch MOSFET的产品阵容。计划于2024年10月开始量产DFN3333封装(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封装(5.0mm×6.0mm)的产品,于2025年开始量产80V耐压的产品。另外还计划增加Pch产品。ROHM将继续扩大产品阵容,为车载应用的高效运行和小型化贡献力量。  <产品阵容>  <应用示例>各种车载电机(汽车门锁、座椅调节器、电动车窗等)LED前照灯信息娱乐系统、车载显示器高级驾驶辅助系统(ADAS)  <电商销售信息>  电商平台:Ameya360  (开始销售时间:2024年6月)  <术语解说>  01. 导通电阻(Ron)  MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。  02. Nch MOSFET  通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。与Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性,因而目前在市场上更受欢迎。  03. split gate  一种将MOSFET的栅极分为多段以有效调整电子流动的技术。利用该技术可实现高速且高可靠性的运行。  04. 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术  一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。  05. 鸥翼型结构  引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异,可提高安装可靠性。
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